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BSS123W
N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 100V, 0.17A, 6Ω
Marken: ON SEMICONDUCTOR
Herstellerteil #: BSS123W
Datenblatt: BSS123W Datenblatt (PDF)
Paket/Gehäuse: SOT-323
RoHS-Status:
Lagerzustand: 9.444 Stück, Neues Original
Produktart: Single FETs, MOSFETs
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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| Menge | Einzelpreis | Ext. Preis |
|---|---|---|
| 20 | $0,022 | $0,440 |
| 200 | $0,018 | $3,600 |
| 600 | $0,016 | $9,600 |
| 3000 | $0,013 | $39,000 |
| 9000 | $0,012 | $108,000 |
| 21000 | $0,011 | $231,000 |
Auf Lager: 9.444 Stck
BSS123W Allgemeine Beschreibung
This N-channel enhancement mode MOSFET is produced using high cell density, trench MOSFET technology. This product minimizes on-state resistance while providing rugged, reliable and fast switching performance. This product is particularly suited for low-voltage, low-current applications such as small servo motor control, power MOSFET gate drivers, logic level transistor, high speed line drivers, power management/power supply and switching applications.
Funktionen
- High-Speed, Low-Power Operation
- Fast Switching Time & RDS(ON)
- Efficient Thermal Dissipation
- Precision Temperature Compensation
- Rapid Charge/Discharge Capability
- Ultra-Low Saturation Current
Anwendung
- Audio Equalizer ICs
- DC Motor Controllers
- Switching Power Supplies
Spezifikationen
| Parameter | Wert | Parameter | Wert |
|---|---|---|---|
| Source Content uid | BSS123W | Pbfree Code | Yes |
| Part Life Cycle Code | End Of Life | Ihs Manufacturer | ON SEMICONDUCTOR |
| Package Description | SC-70, 3 PIN | Manufacturer Package Code | 419AB |
| Reach Compliance Code | compliant | ECCN Code | EAR99 |
| HTS Code | 8541.21.00.95 | Samacsys Manufacturer | onsemi |
| Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | DS Breakdown Voltage-Min | 100 V |
| Drain Current-Max (ID) | 0.17 A | Drain-source On Resistance-Max | 6 Ω |
| FET Technology | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | Feedback Cap-Max (Crss) | 2.74 pF |
| JESD-30 Code | R-PDSO-G3 | JESD-609 Code | e3 |
| Moisture Sensitivity Level | 1 | Number of Elements | 1 |
| Number of Terminals | 3 | Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
| Operating Temperature-Max | 150 °C | Operating Temperature-Min | -55 °C |
| Package Body Material | PLASTIC/EPOXY | Package Shape | RECTANGULAR |
| Package Style | SMALL OUTLINE | Peak Reflow Temperature (Cel) | 260 |
| Polarity/Channel Type | N-CHANNEL | Power Dissipation Ambient-Max | 0.2 W |
| Power Dissipation-Max (Abs) | 0.2 W | Surface Mount | YES |
| Terminal Finish | MATTE TIN | Terminal Form | GULL WING |
| Terminal Position | DUAL | Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | 30 |
| Transistor Application | SWITCHING |
Versand
| Versandart | Versandgebühr | Vorlaufzeit | |
|---|---|---|---|
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