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BSS138W-7-F
SOT323-packaged N-channel MOSFET capable of handling up to 50 volts and 0.2 amps
Marken: Diodes Incorporated
Herstellerteil #: BSS138W-7-F
Datenblatt: BSS138W-7-F Datenblatt (PDF)
Paket/Gehäuse: SOT323-3
RoHS-Status:
Lagerzustand: 7.112 Stück, Neues Original
Produktart: Single FETs, MOSFETs
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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| Menge | Einzelpreis | Ext. Preis |
|---|---|---|
| 10 | $0,030 | $0,300 |
| 100 | $0,026 | $2,600 |
| 300 | $0,024 | $7,200 |
| 3000 | $0,023 | $69,000 |
| 6000 | $0,021 | $126,000 |
| 9000 | $0,021 | $189,000 |
Auf Lager: 7.112 Stck
BSS138W-7-F Allgemeine Beschreibung
Ideal for general-purpose switching in digital circuits, the BSS138W-7-F is a small signal N-channel MOSFET transistor with a maximum drain-source voltage rating of 50V and a continuous drain current of 220mA. Its low on-resistance of 3.5 ohms makes it a perfect choice for low voltage and low power applications, providing efficient operation in various electronic systems. Housed in a compact SOT-323 package, this transistor offers space-saving benefits for designs with limited space, while its gate-source voltage of ±8V and threshold voltage of 1 to 2V ensure compatibility with a wide range of circuitry. With a fast switching speed, the BSS138W-7-F is well-suited for applications requiring quick response times, making it a versatile and reliable component for digital circuitry
Funktionen
- Low On-Resistance
- Low Gate Threshold Voltage
- Low Input Capacitance
- Fast Switching Speed
- Totally Lead-Free & Fully RoHS compliant (Notes 1 & 2)
- Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3)
- Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability
Spezifikationen
| Parameter | Wert | Parameter | Wert |
|---|---|---|---|
| Pbfree Code | Yes | Rohs Code | Yes |
| Part Life Cycle Code | Active | Ihs Manufacturer | DIODES INC |
| Package Description | SOT-323, 3 PIN | Pin Count | 3 |
| Reach Compliance Code | compliant | ECCN Code | EAR99 |
| HTS Code | 8541.21.00.95 | Factory Lead Time | 63 Weeks |
| Samacsys Manufacturer | Diodes Inc. | Additional Feature | LOW THRESHOLD |
| Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | DS Breakdown Voltage-Min | 50 V |
| Drain Current-Max (ID) | 0.2 A | Drain-source On Resistance-Max | 3.5 Ω |
| FET Technology | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | Feedback Cap-Max (Crss) | 8 pF |
| JESD-30 Code | R-PDSO-G3 | JESD-609 Code | e3 |
| Moisture Sensitivity Level | 1 | Number of Elements | 1 |
| Number of Terminals | 3 | Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
| Operating Temperature-Max | 150 °C | Operating Temperature-Min | -55 °C |
| Package Body Material | PLASTIC/EPOXY | Package Shape | RECTANGULAR |
| Package Style | SMALL OUTLINE | Peak Reflow Temperature (Cel) | 260 |
| Polarity/Channel Type | N-CHANNEL | Power Dissipation Ambient-Max | 0.2 W |
| Power Dissipation-Max (Abs) | 0.2 W | Qualification Status | Not Qualified |
| Reference Standard | UL RECOGNIZED | Surface Mount | YES |
| Terminal Finish | MATTE TIN | Terminal Form | GULL WING |
| Terminal Position | DUAL | Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | 30 |
| Transistor Application | SWITCHING |
Versand
| Versandart | Versandgebühr | Vorlaufzeit | |
|---|---|---|---|
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