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ON BUV22G
Bipolar Transistors - BJT 40A 250V 250W NPN
Marken: ON Semiconductor, LLC
Herstellerteil #: BUV22G
Datenblatt: BUV22G Datasheet (PDF)
Paket/Gehäuse: TO-204-2
Produktart: Transistoren
RoHS-Status:
Lagerzustand: 2377 Stück, Neues Original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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BOMBUV22G Allgemeine Beschreibung
TRANSISTOR; Transistor Polarity: NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 250V; Transition Frequency ft: 8MHz; Power Dissipation Pd: 250W; DC Collector Current: 40A; DC Current Gain hFE: 8hFE; Transistor Case Style: TO-3; No. of Pins: 2Pins; Operating Temperature Max: 200°C; Product Range: -; Automotive Qualification Standard: -; MSL: -; SVHC: No SVHC (15-Jan-2018); Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on): 1.5V; Current Ic Continuous a Max: 40A; Gain Bandwidth ft Typ: 8MHz; Hfe Min: 10; Operating Temperature Min: -65°C; Operating Temperature Range: -65°C to +200°C; Termination Type: Through Hole
Funktionen
- High DC current gain: HFE min. = 20 at IC = 10 A
- Low VCE(sat): VCE(sat) max. = 1.0 V at IC = 10 A
- Very fast switching times:
TF max. = 0.35 ms at IC = 20 A - Pb-Free Package is Available
Anwendung
ONSEMISpezifikationen
| Parameter | Wert | Parameter | Wert |
|---|---|---|---|
| Source Content uid | BUV22G | Pbfree Code | Yes |
| Part Life Cycle Code | Active | Ihs Manufacturer | ONSEMI |
| Part Package Code | TO-204 (TO-3) | Package Description | CASE 197A-05, TO-3, 2 PIN |
| Pin Count | 2 | Manufacturer Package Code | 197A-05 |
| Reach Compliance Code | not_compliant | ECCN Code | EAR99 |
| Factory Lead Time | 52 Weeks, 1 Day | Samacsys Manufacturer | onsemi |
| Case Connection | COLLECTOR | Collector Current-Max (IC) | 40 A |
| Collector-Emitter Voltage-Max | 250 V | Configuration | SINGLE |
| DC Current Gain-Min (hFE) | 10 | JEDEC-95 Code | TO-204AE |
| JESD-30 Code | O-MBFM-P2 | JESD-609 Code | e1 |
| Number of Elements | 1 | Number of Terminals | 2 |
| Operating Temperature-Max | 200 °C | Package Body Material | METAL |
| Package Shape | ROUND | Package Style | FLANGE MOUNT |
| Polarity/Channel Type | NPN | Power Dissipation-Max (Abs) | 250 W |
| Qualification Status | Not Qualified | Surface Mount | NO |
| Terminal Finish | TIN SILVER COPPER | Terminal Form | PIN/PEG |
| Terminal Position | BOTTOM | Transistor Application | SWITCHING |
| Transistor Element Material | SILICON | Transition Frequency-Nom (fT) | 8 MHz |
| feature-type | NPN | feature-category | Bipolar Power |
| feature-material | Si | feature-configuration | Single |
| feature-number-of-elements-per-chip | 1 | feature-maximum-collector-base-voltage-v | 300 |
| feature-maximum-collector-emitter-voltage-v | 250 | feature-maximum-emitter-base-voltage-v | 7 |
| feature-maximum-dc-collector-current-a | 40 | feature-minimum-dc-current-gain | 20@10mA@4V|10@20A@4V |
| feature-maximum-power-dissipation-mw | 250000 | feature-maximum-transition-frequency-mhz | 8(Min) |
| feature-packaging | Tray | feature-rad-hard | |
| feature-pin-count | 3 | feature-supplier-package | TO-204 |
| feature-standard-package-name1 | TO | feature-cecc-qualified | No |
| feature-esd-protection | feature-military | No | |
| feature-aec-qualified | No | feature-aec-qualified-number | |
| feature-auto-motive | No | feature-p-pap | No |
| feature-eccn-code | EAR99 | feature-svhc | Yes |
| feature-svhc-exceeds-threshold | Yes |
Versand
| Versandart | Versandgebühr | Vorlaufzeit | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
 |
FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
 |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
 |
TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
 |
EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
 |
REGISTRIERTE LUFTPOST | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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Zahlung
| Zahlungsbedingungen | Handgebühr | |
|---|---|---|
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Banküberweisung | Bankgebühr in Höhe von 30,00 USD wird berechnet. |
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Paypal | 4,0 % Servicegebühr wird berechnet. |
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Kreditkarte | 3,5 % Servicegebühr wird berechnet. |
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 |
Geldgramm | Bankgebühr in Höhe von 0,00 USD wird berechnet. |
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Schritt6 :Barcode-Versandetikett
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Wir prüfen alle Waren vor dem Versand, stellen sicher, dass sich alle Produkte in gutem Zustand befinden und dass die Teile neu und original sind und mit dem Datenblatt übereinstimmen.
Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.
Teilpunkte
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The BUV22G chip is a component used in power systems applications. It is a high-power N-channel MOSFET that provides efficient switching capabilities. The chip features low on-resistance and fast switching speed, making it suitable for applications requiring high power and reliable performance. Its compact design and thermal efficiency make it ideal for use in various power system designs.
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Features
The features of BUV22G include a high power density, low forward voltage drop, high efficiency, and low leakage current. It also has a fast switching speed, high surge capability, and is suitable for use in high-frequency applications. -
Pinout
The BUV22G is not a specific electronic component or device. Therefore, there is no defined pin count or function for it. -
Application Field
The BUV22G is a gallium nitride (GaN) transistor that is commonly used in various applications such as power converters, wireless charging systems, telecom infrastructure, and satellite communications. It offers improved efficiency, higher power density, and greater ruggedness compared to traditional silicon-based transistors, making it suitable for applications that require high levels of power and performance. -
Package
The BUV22G chip has a TO-3P package type, a discrete transistor form, and a size of TO-3P-3.
Datenblatt PDF
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