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FDA59N30
A 300V 59A N-channel MOSFET with TO-3P pin configuration
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![ISO9001](/img/about/iso9001.png)
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Marken: Onsemi
Herstellerteil #: FDA59N30
Datenblatt: FDA59N30 Datenblatt (PDF)
Paket/Gehäuse: TO-3PN-3
RoHS-Status:
Lagerzustand: 9.458 Stück, Neues Original
Produktart: Single FETs, MOSFETs
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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*Alle Preise sind in USD
Menge | Einzelpreis | Ext. Preis |
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1 | $3,546 | $3,546 |
10 | $3,071 | $30,710 |
30 | $2,789 | $83,670 |
90 | $2,504 | $225,360 |
450 | $2,371 | $1066,950 |
900 | $2,312 | $2080,800 |
Auf Lager: 9.458 Stck
FDA59N30 Allgemeine Beschreibung
Designed to meet the evolving needs of power electronics, the FDA59N30 UniFET™ MOSFET offers a versatile solution for a wide range of switching power converter applications. Its advanced technology enables enhanced performance in power factor correction, flat panel display TV power, ATX, and electronic lamp ballasts, making it an ideal choice for industries looking to enhance energy efficiency and reliability in their operations. By prioritizing on-state resistance reduction and superior switching capabilities, the FDA59N30 delivers the performance and durability required for demanding power management applications
Funktionen
- Low leakage current (<1nA)
- RG = 60kΩ (Typ.)
- IR = 500μA (Max.)
- Avalanche tested (Up to 20V)
- High surge immunity
Anwendung
- Use this product for any task at hand.
- Great choice for various uses.
Spezifikationen
Parameter | Wert | Parameter | Wert |
---|---|---|---|
Product Category | MOSFET | RoHS | Details |
REACH | Details | Technology | Si |
Mounting Style | Through Hole | Package / Case | TO-3PN-3 |
Transistor Polarity | N-Channel | Number of Channels | 1 Channel |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 300 V | Id - Continuous Drain Current | 59 A |
Rds On - Drain-Source Resistance | 56 mOhms | Vgs - Gate-Source Voltage | - 30 V, + 30 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 3 V | Qg - Gate Charge | 100 nC |
Minimum Operating Temperature | - 55 C | Maximum Operating Temperature | + 150 C |
Pd - Power Dissipation | 500 W | Channel Mode | Enhancement |
Series | FDA59N30 | Brand | onsemi / Fairchild |
Configuration | Single | Fall Time | 200 ns |
Height | 20.1 mm | Length | 16.2 mm |
Product Type | MOSFET | Rise Time | 575 ns |
Factory Pack Quantity | 30 | Subcategory | MOSFETs |
Transistor Type | 1 N-Channel | Typical Turn-Off Delay Time | 120 ns |
Typical Turn-On Delay Time | 140 ns | Width | 5 mm |
Part # Aliases | FDA59N30_NL |
Versand
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