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$5000IDH10G65C6XKSA1
Schottky SiC rectifier diode with 650V voltage rating and 24A current capacity in TO-220 package
Marken: Infineon Technologies
Herstellerteil #: IDH10G65C6XKSA1
Datenblatt: IDH10G65C6XKSA1 Datenblatt (PDF)
Paket/Gehäuse: TO220-2
Produktart: Single Diodes
RoHS-Status:
Lagerzustand: 6.902 Stück, Neues Original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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IDH10G65C6XKSA1 Allgemeine Beschreibung
Diode 650 V 24A Through Hole PG-TO220-2
Funktionen
- Robust construction
- Safe and reliable operation
- Minimal maintenance required
- Long lifespan ensured
- Noise-free operation guaranteed
- Ergonomic design for comfort
Anwendung
- Integrated solutions
- Customizable options
- Cost-effective choices
Spezifikationen
Parameter | Wert | Parameter | Wert |
---|---|---|---|
Package | Tube | Product Status | Active |
Technology | SiC (Silicon Carbide) Schottky | Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 650 V |
Current - Average Rectified (Io) | 24A | Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.35 V @ 10 A |
Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) | Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
Current - Reverse Leakage @ Vr | 33 µA @ 420 V | Capacitance @ Vr, F | 495pF @ 1V, 1MHz |
Mounting Type | Through Hole | Package / Case | TO-220-2 |
Supplier Device Package | PG-TO220-2 | Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 175°C |
Base Product Number | IDH10G65 |
Versand
Versandart | Versandgebühr | Vorlaufzeit | |
---|---|---|---|
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage | |
FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage | |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage | |
TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage | |
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REGISTRIERTE LUFTPOST | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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Zahlung
Zahlungsbedingungen | Handgebühr | |
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Geldgramm | Bankgebühr in Höhe von 0,00 USD wird berechnet. |
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Verpackung
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Schritt1 :Produkt
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Schritt2 :Vakuumverpackung
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Schritt3 :Antistatikbeutel
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Schritt4 :Individuelle Verpackung
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Schritt5 :Verpackungskartons
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Schritt6 :Barcode-Versandetikett
Alle Produkte werden in antistatischen Beuteln verpackt. Versand mit ESD-Antistatikschutz.
Auf dem äußeren ESD-Verpackungsetikett werden die Informationen unseres Unternehmens verwendet: Teilenummer, Marke und Menge.
Wir prüfen alle Waren vor dem Versand, stellen sicher, dass sich alle Produkte in gutem Zustand befinden und dass die Teile neu und original sind und mit dem Datenblatt übereinstimmen.
Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.
Teilpunkte
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The IDH10G65C6XKSA1 chip is a high-power, high-frequency insulated-gate bipolar transistor (IGBT) module designed for use in industrial applications such as power converters and motor control. It features a voltage rating of 650V, a current rating of 10A, and is equipped with a heat sink for efficient thermal management.
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Equivalent
The equivalent products of IDH10G65C6XKSA1 chip are IDH10G65C6XKSA2, IDH10G65C6XKSA3, and IDH10G65C6XKSA4. -
Features
1. 650V, 10A, Single Channel IGBT 2. High switching frequency capability 3. Low VCE(sat) 4. Low inductance VCE(sat) voltage overshoot during turn-off 5. Kelvin emitter for easy drive lossless gate configuration 6. RBSOA and SCSOA rated 7. 6th generation Trench IGBT technology 8. UL and RoHS compliant -
Pinout
The IDH10G65C6XKSA1 is a 65-pin high-speed digital Isolation device. It provides isolation for 10 channels, offering protection against high voltages and noise in communication systems. The device helps ensure signal integrity while reducing electromagnetic interference. -
Manufacturer
IDH10G65C6XKSA1 is manufactured by Infineon Technologies AG, a German semiconductor manufacturer specializing in power and control electronics. They are known for producing a wide range of products including microcontrollers, power ICs, sensors, and automotive solutions. -
Application Field
IDH10G65C6XKSA1 is a high-voltage insulated-gate bipolar transistor (IGBT) commonly used in industrial applications, such as motor control, renewable energy systems, and power supplies. Its high voltage and current capabilities make it suitable for demanding applications that require high power efficiency and reliability. -
Package
The IDH10G65C6XKSA1 chip comes in a module package type with a size of 47mm x 25mm. It is a high voltage IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) in a 6th generation S-series IGBT form, capable of handling 1,200V and 20A.
Wir bieten qualitativ hochwertige Produkte, durchdachten Service und eine Kundendienstgarantie
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Wir haben reichhaltige Produkte, die Ihre unterschiedlichen Bedürfnisse erfüllen können.
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Die Mindestbestellmenge beginnt bei 1 Stück.
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Niedrigste internationale Versandgebühr beginnt ab 0,00 USD
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