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IDW30E65D1
IGBT products with rapid switching diodes
Marken: Infineon Technologies
Herstellerteil #: IDW30E65D1
Datenblatt: IDW30E65D1 Datenblatt (PDF)
Paket/Gehäuse: TO-247
RoHS-Status:
Lagerzustand: 9.122 Stück, Neues Original
Produktart: Single Diodes
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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*Alle Preise sind in USD
| Menge | Einzelpreis | Ext. Preis |
|---|---|---|
| 1 | $2,021 | $2,021 |
| 10 | $1,744 | $17,440 |
| 30 | $1,573 | $47,190 |
| 100 | $1,397 | $139,700 |
| 500 | $1,317 | $658,500 |
| 1000 | $1,282 | $1282,000 |
Auf Lager: 9.122 Stck
IDW30E65D1 Allgemeine Beschreibung
The IDW30E65D1 is a high-performance power silicon diode that offers rapid 1 switching capabilities, making it ideal for various applications requiring efficient power control. With a voltage rating of 650 V and a current rating of 30 A, this emitter-controlled diode is housed in a TO-247 package, ensuring easy installation and thermal management. Its robust design and superior performance make it particularly suitable for Power Factor Correction (PFC) topologies, commonly used in household appliances like air conditioners and washing machines
Funktionen
FREE WHEELING DIODE, PD-CASESpezifikationen
| Parameter | Wert | Parameter | Wert |
|---|---|---|---|
| Package | Bulk | Product Status | Active |
| Technology | Standard | Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 650 V |
| Current - Average Rectified (Io) | 60A | Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7 V @ 30 A |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Reverse Recovery Time (trr) | 115 ns |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 40 µA @ 650 V | Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | TO-247-3 | Supplier Device Package | PG-TO247-3-1 |
| Operating Temperature - Junction | -40°C ~ 175°C |
Versand
| Versandart | Versandgebühr | Vorlaufzeit | |
|---|---|---|---|
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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Verpackung
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Schritt6 :Barcode-Versandetikett
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Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.
Teilpunkte
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The IDW30E65D1 is a high-performance 650V half-bridge gate driver IC designed for motor control and power conversion applications. It features advanced protection and diagnostic functions, drive current capability, and low power consumption. This chip is ideal for use in high-power industrial applications requiring reliable and efficient switching control.
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Equivalent
The equivalent products of IDW30E65D1 chip are Infineon IGD30E65F1, Toshiba TK30E60, and STMicroelectronics STL30N6F7. -
Features
The IDW30E65D1 is a fast-switching 650V Discrete IGBT optimized for induction heating applications. It features high efficiency and low switching losses, high current capability, and built-in gate resistor for easy drive optimization. Additionally, it has a positive temperature coefficient for safe operation. -
Pinout
The IDW30E65D1 is a power module with a pin count of 7. It functions as a dual N-channel 650V insulated gate bipolar transistor (IGBT) with a diode. The module includes gate driver ICs and protection features for high power applications. -
Manufacturer
IDW30E65D1 is manufactured by Infineon Technologies, which is a leading semiconductor manufacturer based in Germany. Infineon specializes in creating products for a wide range of industries including automotive, industrial, and telecommunications, among others. They are known for their high-quality power semiconductor solutions and innovative technologies. -
Application Field
IDW30E65D1 is commonly used in power supplies, motor controls, solar inverters, and induction heating due to its high efficiency and low switching losses. It is also used in renewable energy systems, welding equipment, and UPS systems for reliable and efficient power conversion. -
Package
The IDW30E65D1 chip comes in a TO-247 package, with a diode form. It has a size of 10.4mm x 25.5mm x 4.6mm.
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