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Infineon IHW20N120R3
Insulated Gate Bipolar Transistor with 40A I(C) and 1200V V(BR)CES in N-Channel TO-247 package
Marken: Infineon
Herstellerteil #: IHW20N120R3
Datenblatt: IHW20N120R3 Datenblatt (PDF)
Paket/Gehäuse: TO-247-3
RoHS-Status:
Lagerzustand: 7.240 Stück, Neues Original
Produktart: Single IGBTs
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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| Menge | Einzelpreis | Ext. Preis |
|---|---|---|
| 1 | $2,347 | $2,347 |
| 10 | $2,079 | $20,790 |
| 30 | $1,912 | $57,360 |
| 100 | $1,740 | $174,000 |
| 500 | $1,663 | $831,500 |
| 1000 | $1,629 | $1629,000 |
Auf Lager: 7.240 Stck
IHW20N120R3 Allgemeine Beschreibung
Beyond its raw power and efficiency, the IHW20N120R3 stands sentinel with an array of protective features, including safeguards against short circuits and over-temperature scenarios. These fortifications fortify its reliability, ensuring uninterrupted operation even in the harshest of industrial landscapes. In essence, the IHW20N120R3 embodies not just technological innovation, but a steadfast commitment to excellence in every facet of its design and function
Funktionen
- Powerful monolithic body diode with low forward voltage
- designed for soft commutation only
- TRENCHSTOP™ technology applications offers:
- - very tight parameter distribution
- - high ruggedness, temperature stable behavior
- - low VCEsat
- - easy parallel switching capability due to positive
- temperature coefficient in VCEsat
- Low EMI
- Qualified according to JESD-022 for target applications
- Pb-free lead plating; RoHS compliant
- Complete product spectrum and PSpice Models:
- http://www.infineon.com/igbt/
Anwendung
POWER CONTROLSpezifikationen
| Parameter | Wert | Parameter | Wert |
|---|---|---|---|
| Manufacturer | Infineon | Product Category | IGBT Transistors |
| RoHS | Details | Technology | Si |
| Package / Case | TO-247-3 | Mounting Style | Through Hole |
| Configuration | Single | Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 1.2 kV |
| Collector-Emitter Saturation Voltage | 1.48 V | Maximum Gate Emitter Voltage | - 20 V, 20 V |
| Continuous Collector Current at 25 C | 40 A | Pd - Power Dissipation | 310 W |
| Minimum Operating Temperature | - 40 C | Maximum Operating Temperature | + 175 C |
| Series | RC | Brand | Infineon Technologies |
| Continuous Collector Current | 40 A | Gate-Emitter Leakage Current | 100 nA |
| Product Type | IGBT Transistors | Factory Pack Quantity | 240 |
| Subcategory | IGBTs | Tradename | TRENCHSTOP |
| Part # Aliases | SP000437702 IHW2N12R3XK IHW20N120R3FKSA1 |
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