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vishay SI2302CDS-T1-E3

MOSFET with N-Channel configuration and a Drain-to-Source voltage rating of 20 volts

ISO14001 ISO9001 DUNS

Marken: Vishay

Herstellerteil #: SI2302CDS-T1-E3

Datenblatt: SI2302CDS-T1-E3 Datenblatt (PDF)

Paket/Gehäuse: SOT-23-3

Produktart: Single FETs, MOSFETs

RoHS-Status:

Lagerzustand: 9.458 Stück, Neues Original

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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SI2302CDS-T1-E3 Allgemeine Beschreibung

This MOSFET transistor is ideal for use in low-power applications where space is limited but high performance is essential. Its silicon composition ensures durability and stability under varying operating conditions, making it a versatile choice for circuit designers

Funktionen

  • High speed switching
  • Safe operating area
  • Wide input range

Spezifikationen

Parameter Wert Parameter Wert
Product Category MOSFET RoHS Details
Technology Si Mounting Style SMD/SMT
Package / Case SOT-23-3 Transistor Polarity N-Channel
Number of Channels 1 Channel Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 20 V
Id - Continuous Drain Current 2.6 A Rds On - Drain-Source Resistance 57 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage - 8 V, + 8 V Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage 850 mV
Qg - Gate Charge 3.5 nC Minimum Operating Temperature - 55 C
Maximum Operating Temperature + 150 C Pd - Power Dissipation 710 mW
Channel Mode Enhancement Tradename TrenchFET
Series SI2 Brand Vishay Semiconductors
Configuration Single Fall Time 7 ns
Forward Transconductance - Min 13 S Height 1.45 mm
Length 2.9 mm Product Type MOSFET
Rise Time 7 ns Factory Pack Quantity 3000
Subcategory MOSFETs Transistor Type 1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time 30 ns Typical Turn-On Delay Time 8 ns
Width 1.6 mm Part # Aliases SI2302CDS-T1-BE3 SI2302CDS-E3
Unit Weight 0.000282 oz

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    Schritt6 :Barcode-Versandetikett

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Wir prüfen alle Waren vor dem Versand, stellen sicher, dass sich alle Produkte in gutem Zustand befinden und dass die Teile neu und original sind und mit dem Datenblatt übereinstimmen.

Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.

  • ESD
  • ESD

Teilpunkte

  • The SI2302CDS-T1-E3 is a P-channel MOSFET transistor designed for low voltage, low power switching applications. It has a maximum drain-source voltage of -20V and a continuous drain current of -2.6A. The chip is housed in a Small Outline package (SOT-23) for easy mounting on PCBs.
  • Equivalent

    The equivalent products of the SI2302CDS-T1-E3 chip are SI2302DS-T1-E3, SI2302CDS-T1-GE3, and SI2302CDS-T1-RE3. These chips are N-channel MOSFET transistors with similar specifications and performance characteristics, suitable for a variety of low power applications.
  • Features

    The SI2302CDS-T1-E3 is a P-channel enhancement mode field-effect transistor with a drain to source voltage of -20V and a continuous drain current of -2.3A. It has low input capacitance and high-gain bandwidth product, making it ideal for low-power applications such as portable electronics and power management circuits.
  • Pinout

    The SI2302CDS-T1-E3 is a dual N-channel MOSFET with a pin count of 6. It is used for switching and amplification purposes in electronic circuits. This MOSFET can handle high power levels and is commonly used in power management applications.
  • Manufacturer

    The manufacturer of SI2302CDS-T1-E3 is Vishay Intertechnology, Inc. It is a global company that designs, manufactures, and distributes electronic components and solutions for a wide range of industries, including automotive, industrial, consumer electronics, and telecommunications. Vishay Intertechnology is a leading supplier of discrete semiconductors and passive electronic components.
  • Application Field

    SI2302CDS-T1-E3 is a P-channel MOSFET commonly used in power management circuits, battery protection, and portable electronics applications. It can also be used in load switches, backlighting controls, and DC-DC converters due to its low on-state resistance and high current handling capability.
  • Package

    The SI2302CDS-T1-E3 chip comes in a SOT-23 package with a form factor of Surface Mount. Its size is 2.9mm x 1.3mm x 1.3mm (L x W x H).

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