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Infineon IPD180N10N3G

N-Channel 100 V 43A (Tc) 71W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3

ISO14001 ISO9001 DUNS

Marken: Infineon Technologies Corporation

Herstellerteil #: IPD180N10N3G

Datenblatt: IPD180N10N3G Datasheet (PDF)

Paket/Gehäuse: TO-252

Produktart: Transistoren

RoHS-Status:

Lagerzustand: 2086 Stück, Neues Original

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

BOM

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IPD180N10N3G Allgemeine Beschreibung

N-Channel 100 V 43A (Tc) 71W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3

ipd180n10n3g

Funktionen

  • Drain-source voltage (Vdss): 100V
  • Continuous drain current (Id): 180A
  • Maximum on-state resistance (Rds(on)): 3.3mΩ
  • Gate charge (Qg): 270nC
  • Fast switching and low switching losses
  • High current handling capability
  • RoHS compliant

Spezifikationen

Parameter Wert Parameter Wert
IDpuls max 172.0 A Ptot max 71.0 W
VDS max 100.0 V Package DPAK (TO-252)
Polarity N RDS (on) max 18.0 mΩ
ID max 43.0 A VGS(th) max 3.5 V
VGS(th) min 2.0 V Operating Temperature max 175.0 °C
Operating Temperature min -55.0 °C

Versand

Versandart Versandgebühr Vorlaufzeit
DHL DHL $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
Fedex FedEx $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
UPS UPS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
TNT TNT $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
EMS EMS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
REGISTRIERTE LUFTPOST REGISTRIERTE LUFTPOST $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage

Bearbeitungszeit: Die Versandkosten hängen von der jeweiligen Zone und dem Land ab.

Zahlung

Zahlungsbedingungen Handgebühr
Banküberweisung Banküberweisung Bankgebühr in Höhe von 30,00 USD wird berechnet.
Paypal Paypal 4,0 % Servicegebühr wird berechnet.
Kreditkarte Kreditkarte 3,5 % Servicegebühr wird berechnet.
Western Union Western Union charge US.00 banking fee.
Geldgramm Geldgramm Bankgebühr in Höhe von 0,00 USD wird berechnet.

Garantien

1. Die von Ihnen gekauften elektronischen Bauteile enthalten eine 365-tägige Garantie. Wir garantieren die Produktqualität.

2. Wenn einige der Artikel, die Sie erhalten haben, nicht von perfekter Qualität sind, würden wir verantwortungsvoll Ihre Rückerstattung oder Ersatz arrangieren. Die Artikel müssen jedoch in ihrem Originalzustand verbleiben.

Verpackung

  • Produkt

    Schritt1 :Produkt

  • Vakuumverpackung

    Schritt2 :Vakuumverpackung

  • Antistatikbeutel

    Schritt3 :Antistatikbeutel

  • Individuelle Verpackung

    Schritt4 :Individuelle Verpackung

  • Verpackungskartons

    Schritt5 :Verpackungskartons

  • Barcode-Versandetikett

    Schritt6 :Barcode-Versandetikett

Alle Produkte werden in antistatischen Beuteln verpackt. Versand mit ESD-Antistatikschutz.

Auf dem äußeren ESD-Verpackungsetikett werden die Informationen unseres Unternehmens verwendet: Teilenummer, Marke und Menge.

Wir prüfen alle Waren vor dem Versand, stellen sicher, dass sich alle Produkte in gutem Zustand befinden und dass die Teile neu und original sind und mit dem Datenblatt übereinstimmen.

Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.

  • ESD
  • ESD

Teilpunkte

  • The IPD180N10N3G is a power MOSFET chip designed for applications in power management and motor control systems. It features a low on-resistance and a high current capacity, making it suitable for high-performance devices. The chip incorporates advanced technology to enhance efficiency and reduce power losses, making it an ideal choice for various industrial applications.
  • Equivalent

    The equivalent products of the IPD180N10N3G chip are IPD180N10N3GXTSA1 and IPD180N10N3GXTMA1.
  • Features

    The IPD180N10N3G is a power MOSFET transistor with a voltage rating of 100 volts and a current rating of 180 amperes. It is designed for high efficiency and reliability in a wide range of applications.
  • Pinout

    The IPD180N10N3G is a MOSFET power transistor. It has a pin count of 3 and the pins are used for the following functions: 1. Gate pin (G): Controls the flow of current through the transistor. 2. Drain pin (D): Connects to the positive voltage supply. 3. Source pin (S): Connects to the ground or negative voltage supply.
  • Manufacturer

    The manufacturer of the IPD180N10N3G is Infineon Technologies. It is a German semiconductor company that designs and produces a wide range of semiconductor devices, including power semiconductors, microcontrollers, and sensors.
  • Application Field

    The IPD180N10N3G is a power MOSFET transistor commonly used in various applications, such as motor control, switch mode power supplies, and high-frequency DC-DC converters. It offers low on-resistance and high efficiency, making it suitable for a wide range of power electronics applications.
  • Package

    The package type of the IPD180N10N3G chip is Power-Flat 8x8. The form of the chip is surface mount, and it has dimensions of 5.28mm x 5.28mm x 0.95mm.

Datenblatt PDF

Vorläufige Spezifikation IPD180N10N3G PDF Herunterladen

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