Diese Website verwendet Cookies. Durch die Nutzung dieser Website stimmen Sie der Verwendung von Cookies zu. Für weitere Informationen werfen Sie bitte einen Blick auf unsere Datenschutzrichtlinie.

Bestellungen über

$5000
erhalten $50 einen Rabatt !

IRFP22N50APBF 48HRS

N-Channel 500 V 22A (Tc) 277W (Tc) Through Hole TO-247AC

ISO14001 ISO9001 DUNS

Marken: VISHAY INTERTECHNOLOGY INC

Herstellerteil #: IRFP22N50APBF

Datenblatt: IRFP22N50APBF Datenblatt (PDF)

Paket/Gehäuse: TO-247AC

RoHS-Status:

Lagerzustand: 9.491 Stück, Neues Original

Produktart: Single FETs, MOSFETs

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

Preisgestaltung

*Alle Preise sind in USD

Menge Einzelpreis Ext. Preis
1 $3,122 $3,122
10 $2,700 $27,000
25 $2,449 $61,225
100 $2,195 $219,500
500 $2,078 $1039,000
1000 $2,026 $2026,000

Auf Lager: 9.491 Stck

- +

Schnelles Angebot

Bitte senden Sie eine Anfrage für IRFP22N50APBF oder senden Sie uns eine E-Mail: E-Mail: [email protected], Wir werden Sie innerhalb von 12 Stunden kontaktieren.

IRFP22N50APBF Allgemeine Beschreibung

Whether used in power supplies, motor control, or other high-voltage applications, the IRFP22N50APBF delivers exceptional performance and efficiency. Its combination of high current and voltage ratings, low on-resistance, and robust construction make it a versatile and reliable choice for demanding electronic designs

Funktionen

  • Faster switching and higher efficiency
  • Improved surge and spike immunity
  • Enhanced thermal stability and reliability
  • Simplified design and reduced components
  • Increased power density and lower EMI
  • Better temperature coefficient and linearity

Anwendung

  • Industrial
  • Power Management

Spezifikationen

Parameter Wert Parameter Wert
Pbfree Code Yes Rohs Code Yes
Part Life Cycle Code Active Ihs Manufacturer VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
Part Package Code TO-247AC Pin Count 3
Reach Compliance Code compliant ECCN Code EAR99
Factory Lead Time 15 Weeks, 3 Days Samacsys Manufacturer Vishay
Avalanche Energy Rating (Eas) 1180 mJ Case Connection DRAIN
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE DS Breakdown Voltage-Min 500 V
Drain Current-Max (Abs) (ID) 22 A Drain Current-Max (ID) 22 A
Drain-source On Resistance-Max 0.23 Ω FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Feedback Cap-Max (Crss) 27 pF JEDEC-95 Code TO-247AC
JESD-30 Code R-PSFM-T3 JESD-609 Code e3
Number of Elements 1 Number of Terminals 3
Operating Mode ENHANCEMENT MODE Operating Temperature-Max 150 °C
Operating Temperature-Min -55 °C Package Body Material PLASTIC/EPOXY
Package Shape RECTANGULAR Package Style FLANGE MOUNT
Peak Reflow Temperature (Cel) 260 Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Power Dissipation-Max (Abs) 277 W Pulsed Drain Current-Max (IDM) 88 A
Qualification Status Not Qualified Surface Mount NO
Terminal Finish MATTE TIN Terminal Form THROUGH-HOLE
Terminal Position SINGLE Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) 30
Transistor Application SWITCHING

Versand

Versandart Versandgebühr Vorlaufzeit
DHL DHL $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
Fedex FedEx $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
UPS UPS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
TNT TNT $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
EMS EMS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
REGISTRIERTE LUFTPOST REGISTRIERTE LUFTPOST $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage

Bearbeitungszeit: Die Versandkosten hängen von der jeweiligen Zone und dem Land ab.

Zahlung

Zahlungsbedingungen Handgebühr
Banküberweisung Banküberweisung Bankgebühr in Höhe von 30,00 USD wird berechnet.
Paypal Paypal 4,0 % Servicegebühr wird berechnet.
Kreditkarte Kreditkarte 3,5 % Servicegebühr wird berechnet.
Western Union Western Union charge US.00 banking fee.
Geldgramm Geldgramm Bankgebühr in Höhe von 0,00 USD wird berechnet.

Garantien

1. Die von Ihnen gekauften elektronischen Bauteile enthalten eine 365-tägige Garantie. Wir garantieren die Produktqualität.

2. Wenn einige der Artikel, die Sie erhalten haben, nicht von perfekter Qualität sind, würden wir verantwortungsvoll Ihre Rückerstattung oder Ersatz arrangieren. Die Artikel müssen jedoch in ihrem Originalzustand verbleiben.

Verpackung

  • Produkt

    Schritt1 :Produkt

  • Vakuumverpackung

    Schritt2 :Vakuumverpackung

  • Antistatikbeutel

    Schritt3 :Antistatikbeutel

  • Individuelle Verpackung

    Schritt4 :Individuelle Verpackung

  • Verpackungskartons

    Schritt5 :Verpackungskartons

  • Barcode-Versandetikett

    Schritt6 :Barcode-Versandetikett

Alle Produkte werden in antistatischen Beuteln verpackt. Versand mit ESD-Antistatikschutz.

Auf dem äußeren ESD-Verpackungsetikett werden die Informationen unseres Unternehmens verwendet: Teilenummer, Marke und Menge.

Wir prüfen alle Waren vor dem Versand, stellen sicher, dass sich alle Produkte in gutem Zustand befinden und dass die Teile neu und original sind und mit dem Datenblatt übereinstimmen.

Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.

  • ESD
  • ESD

Teilpunkte

  • The IRFP22N50APBF is a power MOSFET transistor with a maximum drain-source voltage of 500V and a continuous drain current of 22A. It is commonly used in high-power applications such as motor control, inverters, and power supplies due to its high voltage and current handling capabilities.
  • Equivalent

    The equivalent products of IRFP22N50APBF chip are IRFP22N50A, IRFP22N50APBF, AP99AG50(N)-HF, IRFP50(W), IPP50N06S4-**.
  • Features

    The IRFP22N50APBF is a power MOSFET featuring a voltage rating of 500V, a current rating of 22A, and a low on-state resistance. It has a TO-247 package and is suitable for high power applications such as inverters, motor drives, and power supplies.
  • Pinout

    The IRFP22N50APBF is a power MOSFET with a TO-247AD package. It has 3 pins, which are Gate, Drain, and Source. The gate pin is used to control the flow of current between the drain and source pins.
  • Manufacturer

    IRFP22N50APBF is manufactured by Infineon Technologies, a German semiconductor manufacturer. Infineon Technologies specializes in producing power semiconductors, sensors, and other electronic components for various industries including automotive, industrial, and consumer electronics. They are one of the leading companies in the field of power electronics and are known for their high-quality and innovative technology solutions.
  • Application Field

    IRFP22N50APBF is commonly used in high power switching applications such as power supplies, motor controls, welding equipment, and UPS systems. It is also used in industrial applications like high frequency inverters and high power amplifiers due to its high voltage and current rating capabilities.
  • Package

    The IRFP22N50APBF chip is a MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) in a TO-247AC package. It has a form of Through-Hole and measures 10.54mm x 15.77mm x 4.09mm.

Wir bieten qualitativ hochwertige Produkte, durchdachten Service und eine Kundendienstgarantie

  • Produkt

    Wir haben reichhaltige Produkte, die Ihre unterschiedlichen Bedürfnisse erfüllen können.

  • quantity

    Die Mindestbestellmenge beginnt bei 1 Stück.

  • shipping

    Niedrigste internationale Versandgebühr beginnt ab 0,00 USD

  • Garantie

    365 Tage Qualitätsgarantie für alle Produkte

Bewertungen und Rezensionen

Bewertungen
Bitte bewerten Sie das Produkt!
Bitte geben Sie einen Kommentar ein

Bitte geben Sie Kommentare ab, nachdem Sie sich in Ihrem Konto angemeldet haben.

Einreichen

Empfehlen

  • AO4292E

    AO4292E

    Alpha & Omega Semiconductor Inc.

    High-quality 100V 8A SOIC-8 MOSFET with 23mΩ resi...

  • VQ1004P

    VQ1004P

    Vishay

    VQ1004P by Siliconix

  • STS4DPF30L

    STS4DPF30L

    Stmicroelectronics

    Dual P-channel MOSFET Transistor STS4DPF30L featur...

  • STS9D8NH3LL

    STS9D8NH3LL

    STMicroelectronics

    Dual N-channel 30V MOSFET, with 0.012 Ohm resistan...

  • RFP30P05

    RFP30P05

    Onsemi

    MOSFET Power P-Channel TO-220AB

  • NE3210S01-T1B

    NE3210S01-T1B

    Cel

    High-Frequency NE3210S01-T1B Transistor: Incorpora...