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IRLD120PBF
MOSFET 100V N-CH HEXFET HEXDI
Marken: Vishay Siliconix
Herstellerteil #: IRLD120PBF
Datenblatt: IRLD120PBF Datenblatt (PDF)
Paket/Gehäuse: DIP-4
RoHS-Status:
Lagerzustand: 8.115 Stück, Neues Original
Produktart: Single FETs, MOSFETs
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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| Menge | Einzelpreis | Ext. Preis |
|---|---|---|
| 1 | $0,816 | $0,816 |
| 10 | $0,677 | $6,770 |
| 30 | $0,608 | $18,240 |
| 100 | $0,539 | $53,900 |
| 500 | $0,498 | $249,000 |
| 1000 | $0,476 | $476,000 |
Auf Lager: 8.115 Stck
IRLD120PBF Allgemeine Beschreibung
Power Field-Effect Transistor, 1.3A I(D), 100V, 0.27ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, ROHS COMPLIANT, HVMDIP-4
Funktionen
- High-temperature operation
- Pulse-duration modulation
- Fast turn-on capability
- Silicon-controlled rectifier performance
Anwendung
SWITCHINGSpezifikationen
| Parameter | Wert | Parameter | Wert |
|---|---|---|---|
| Product Status | Active | FET Type | N-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) | Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.3A (Ta) | Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 5V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 270mOhm @ 780mA, 5V | Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12 nC @ 5 V | Vgs (Max) | ±10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 490 pF @ 25 V | FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | 1.3W (Ta) | Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Mounting Type | Through Hole | Supplier Device Package | 4-HVMDIP |
| Package / Case | 4-DIP (0.300", 7.62mm) |
Versand
| Versandart | Versandgebühr | Vorlaufzeit | |
|---|---|---|---|
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DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.
Teilpunkte
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The IRLD120PBF is a power MOSFET transistor with a low on-resistance and high current handling capability. It is designed for use in applications requiring high power and efficiency, such as motor control, power supplies, and inverters. This chip is ideal for high voltage and high current applications due to its low conduction losses and fast switching speed.
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Equivalent
Equivalent products to IRLD120PBF chip include IRFD120PBF, IRLD024PBF, and IRS20955S. These chips are also power MOSFETs suitable for various electronic applications requiring high power handling and efficiency. -
Features
The IRLD120PBF is a power MOSFET transistor with a drain-source voltage of 100V, a continuous drain current of 2.8A, and low on-resistance of 200mΩ. It is designed for use in low-voltage applications, with fast switching speeds and high reliability. -
Pinout
IRLD120PBF is a Power MOSFET with a pin count of 3. Its functions include high-speed switching, low power dissipation, and low-voltage control signal compatibility. -
Manufacturer
The manufacturer of IRLD120PBF is Infineon Technologies AG. Infineon Technologies AG is a German multinational semiconductor manufacturer. The company specializes in the development and production of semiconductors and system solutions for automotive, industrial, and security applications. -
Application Field
IRLD120PBF is commonly used in applications such as power supplies, motor controls, lighting systems, and DC-DC converters. It is suitable for high voltage and current handling properties, making it ideal for various power management applications that require a robust and reliable MOSFET transistor. -
Package
The IRLD120PBF chip is a Power MOSFET transistor with a TO-252 package type, also known as D-PAK. It has a small form factor and measures 6.57mm x 6.1mm x 1.5mm in size.
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