IRLR2905ZTRPBF
Trans MOSFET N-CH Si 55V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Marken: Infineon Technologies
Herstellerteil #: IRLR2905ZTRPBF
Datenblatt: IRLR2905ZTRPBF Datenblatt (PDF)
Paket/Gehäuse: TO-252-3,DPAK(2Leads+Tab),SC-63
RoHS-Status:
Lagerzustand: 8708 Stück, Neues Original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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*Alle Preise sind in USD
Menge | Einzelpreis | Ext. Preis |
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1 | $0,552 | $0,552 |
10 | $0,447 | $4,470 |
30 | $0,393 | $11,790 |
100 | $0,276 | $27,600 |
In Stock:8708 PCS
IRLR2905ZTRPBF Allgemeine Beschreibung
Power Field-Effect Transistor, 42A I(D), 55V, 0.0135ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, LEAD FREE, PLASTIC, DPAK-3
Funktionen
Logic Level
Advanced Process Technology
Ultra Low On-Resistance
175C Operating Temperature
Fast Switching
Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax
Spezifikationen
Parameter | Wert | Parameter | Wert |
---|---|---|---|
Series | HEXFET® | Product Status | Active |
FET Type | N-Channel | Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 55 V | Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 42A (Tc) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 13.5mOhm @ 36A, 10V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA | Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 35 nC @ 5 V |
Vgs (Max) | ±16V | Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1570 pF @ 25 V |
Power Dissipation (Max) | 110W (Tc) | Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Mounting Type | Surface Mount | Supplier Device Package | TO-252AA (DPAK) |
Package / Case | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 |
Versand
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