IXTH80N65X2
Trans MOSFET N-CH 650V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-247
Marken: IXYS
Herstellerteil #: IXTH80N65X2
Datenblatt: IXTH80N65X2 Datenblatt (PDF)
Paket/Gehäuse: TO-247-3
Produktart: MOSFET
RoHS-Status:
Lagerzustand: 9458 Stück, Neues Original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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BOMIXTH80N65X2 Allgemeine Beschreibung
Developed using the charge compensation principle and proprietary process technology, these new devices exhibit the lowest on-state resistances, along with low gate charges and superior dv/dt performance. Their avalanche capability also enhances the device ruggedness.In addition, thanks to the fast soft-recovery body diode, the Ultra-Junction MOSFETs help reduce switching losses and electromagnetic interference (EMI).
Funktionen
- Ultra low on-resistance R
- DS(ON)
- and gate charge Q
- g
- Fast body diode
- dv/dt ruggedness
- Avalanche rated
- Low package inductance
- International standard packages
- Advantages:
- Higher efficiency
- High power density
- Easy to mount
- Space savings
Anwendung
- Industrial switched-mode and resonantmode power supplies
- Electric vehicle battery chargers
- AC and DC motor drives
- DC-DC converters
- Renewable-energy inverters
- Power Factor Correction (PFC) circuits
- Robotics and servo control
Spezifikationen
Parameter | Wert | Parameter | Wert |
---|---|---|---|
Manufacturer: | IXYS | Product Category: | MOSFET |
RoHS: | Details | Technology: | Si |
Mounting Style: | Through Hole | Package / Case: | TO-247-3 |
Transistor Polarity: | N-Channel | Number of Channels: | 1 Channel |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 650 V | Id - Continuous Drain Current: | 80 A |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 38 mOhms | Vgs - Gate-Source Voltage: | - 30 V, + 30 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.7 V | Qg - Gate Charge: | 137 nC |
Minimum Operating Temperature: | - 55 C | Maximum Operating Temperature: | + 150 C |
Pd - Power Dissipation: | 890 W | Channel Mode: | Enhancement |
Tradename: | HiPerFET | Packaging: | Tube |
Brand: | IXYS | Configuration: | Single |
Fall Time: | 7 ns | Product Type: | MOSFET |
Rise Time: | 11 ns | Factory Pack Quantity: | 30 |
Subcategory: | MOSFETs | Transistor Type: | 1 N-Channel |
Typical Turn-Off Delay Time: | 72 ns | Typical Turn-On Delay Time: | 36 ns |
Unit Weight: | 0.211644 oz |
Versand
Versandart | Versandgebühr | Vorlaufzeit | |
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Verpackung
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Schritt2 :Vakuumverpackung
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