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$5000K4B1G0846G-BCH9
High-capacity DDR DRAM module with fast access tim
Marken: SAMSUNG
Herstellerteil #: K4B1G0846G-BCH9
Datenblatt: K4B1G0846G-BCH9 Datenblatt (PDF)
Paket/Gehäuse: FBGA
Produktart: Memory chips
RoHS-Status:
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Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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K4B1G0846G-BCH9 Allgemeine Beschreibung
1Gb G-die DDR3 SDRAM 78FBGA with Lead-Free & Halogen-Free (RoHS compliant)The 1Gb DDR3 SDRAM G-die is organized as a 32Mbit x 4 I/Os x 8banks, 16Mbit x 8 I/Os x 8banks device. This synchronous device achieves high speed double-data-rate transfer rates of up to 1866Mb/sec/pin (DDR3- 1866) for general applications.The chip is designed to comply with the following key DDR3 SDRAM features such as posted CAS, Programmable CWL, Internal (Self) Calibration, On Die Termination using ODT pin and Asynchronous Reset .Key Features• JEDEC standard 1.5V ± 0.075V Power Supply• VDDQ = 1.5V ± 0.075V• 400 MHz fCK for 800Mb/sec/pin, 533MHz fCK for 1066Mb/sec/pin, 667MHz fCK for 1333Mb/sec/pin, 800MHz fCK for 1600Mb/sec/pin 900MHz fCK for 1866Mb/sec/pin• 8 Banks• Programmable CAS Latency(posted CAS): 5,6,7,8,9,10,11,13• Programmable Additive Latency: 0, CL-2 or CL-1 clock• Programmable CAS Write Latency (CWL) = 5 (DDR3-800), 6 (DDR3-1066), 7 (DDR3-1333), 8 (DDR3-1600) and 9 (DDR3-1866)• 8-bit pre-fetch• Burst Length: 8 (Interleave without any limit, sequential with starting address “000” only), 4 with tCCD = 4 which does not allow seamless read or write [either On the fly using A12 or MRS]• Bi-directional Differential Data-Strobe• Internal(self) calibration : Internal self calibration through ZQ pin (RZQ : 240 ohm ± 1%)• On Die Termination using ODT pin• Average Refresh Period 7.8us at lower than TCASE 85°C, 3.9us at 85°C Funktionen
Anwendung
Spezifikationen
Parameter
Wert
Parameter
Wert
Manufacturer
Samsung
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