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$5000K4T1G164QE-HCF8
The K4T1G164QE-HCF8 is a CMOS DDR DRAM in a PBGA84 package, making it suitable for advanced electronic devices."
Marken: SAMSUNG
Herstellerteil #: K4T1G164QE-HCF8
Datenblatt: K4T1G164QE-HCF8 Datenblatt (PDF)
Paket/Gehäuse: FBGA84
Produktart: Memory chips
RoHS-Status:
Lagerzustand: 6.658 Stück, Neues Original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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K4T1G164QE-HCF8 Allgemeine Beschreibung
The 1Gb DDR2 SDRAM is organized asa 32Mbit x 4 I/Os x 8banks, 16Mbit x 8 I/Os x 8banks or 8Mbit x 16 I/Os x 8 banks device. This synchronous device achieves high speed double-data-rate transfer rates of up to 800Mb/sec/pin (DDR2-800) for general applications.Key Features• JEDEC standard VDD= 1.8V ± 0.1V Power Supply•VDDQ= 1.8V ± 0.1V• 333MHz fCKfor 667Mb/sec/pin, 400MHz fCKfor 800Mb/sec/pin• 8 Banks• Posted CAS• Programmable CASLatency: 3, 4, 5, 6• Programmable Additive Latenc y: 0, 1, 2, 3, 4, 5• Write Latency(WL) = Read Latency(RL) -1• Burst Length: 4 , 8(Interleave/nibble sequential)• Programmable Sequential / Interleave Burst Mode• Bi-directional Differential Data-Strobe (Single-ended data-strobe is an optional feature)• Off-Chip Driver(OCD) Impedance Adjustment• On Die Termination• Special Function Support - 50ohm ODT - High Temperature Self-Refresh rate enable• Average Refresh Period 7.8us at lower than TCASE 85°C, 3.9us at 85°C Funktionen
Anwendung
Spezifikationen
Parameter
Wert
Parameter
Wert
Manufacturer
SAMSUNG
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Schritt2 :Vakuumverpackung
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Schritt5 :Verpackungskartons
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