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MJD127T4G 48HRS

Compact TODPAK) package ensures efficient space utilizatio

ISO14001 ISO9001 DUNS

Marken: Onsemi

Herstellerteil #: MJD127T4G

Datenblatt: MJD127T4G Datenblatt (PDF)

Paket/Gehäuse: DPAK-3

RoHS-Status:

Lagerzustand: 9.458 Stück, Neues Original

Produktart: Single Bipolar Transistors

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

Preisgestaltung

*Alle Preise sind in USD

Menge Einzelpreis Ext. Preis
1 $0,569 $0,569
10 $0,464 $4,640
30 $0,411 $12,330
100 $0,359 $35,900
500 $0,328 $164,000
1000 $0,312 $312,000

Auf Lager: 9.458 Stck

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MJD127T4G Allgemeine Beschreibung

The MJD127T4G is a PNP transistor with a surface mount mounting and 3 pins. It has a maximum operating temperature of 150°C and a collector emitter voltage of 100V. With a continuous collector current of 8A, this transistor is RoHS compliant, ensuring it meets environmental standards. The product falls within a certain range and has also been qualified for use in various applications

Funktionen

  • AEC-Q101 Qualified for Automotive and Other Applications
  • High Current Gain hFE = 2,000 (Typ) @ IC = 3 Adc
  • PbFree Packages Available for RoHS Compliance and Lead-Free Soldering
  • Monolithic Construction Simplifies PCB Design and Reduces Component Count
  • Tape and Reel Packaging Available for High Volume Production and Automation
  • EIA-481 Qualified for High Reliability and Performance

Spezifikationen

Parameter Wert Parameter Wert
Status Active Compliance PbAHP
Package Type DPAK-3 Case Outline 369C
MSL Type 1 MSL Temp (°C) 260
Container Type REEL Container Qty. 2500
ON Target N Polarity PNP
IC Continuous (A) 8 V(BR)CEO Min (V) 100
VCE(sat) Max (V) 2 hFE Min (k) 1
hFE Max (k) 12 fT Min (MHz) 4
Pricing ($/Unit) $0.2703Sample

Versand

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DHL DHL $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
Fedex FedEx $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
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Western Union Western Union charge US.00 banking fee.
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Verpackung

  • Produkt

    Schritt1 :Produkt

  • Vakuumverpackung

    Schritt2 :Vakuumverpackung

  • Antistatikbeutel

    Schritt3 :Antistatikbeutel

  • Individuelle Verpackung

    Schritt4 :Individuelle Verpackung

  • Verpackungskartons

    Schritt5 :Verpackungskartons

  • Barcode-Versandetikett

    Schritt6 :Barcode-Versandetikett

Alle Produkte werden in antistatischen Beuteln verpackt. Versand mit ESD-Antistatikschutz.

Auf dem äußeren ESD-Verpackungsetikett werden die Informationen unseres Unternehmens verwendet: Teilenummer, Marke und Menge.

Wir prüfen alle Waren vor dem Versand, stellen sicher, dass sich alle Produkte in gutem Zustand befinden und dass die Teile neu und original sind und mit dem Datenblatt übereinstimmen.

Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.

  • ESD
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Teilpunkte

  • The MJD127T4G is a voltage-controlled bipolar junction transistor (V-C-BJT) designed for low power applications. It features high current capability, low saturation voltage, and fast switching speeds. This chip is commonly used in various electronic devices, such as power supplies, industrial controls, and automotive applications, where efficient power amplification and switching functions are required.
  • Equivalent

    Equivalent products of the MJD127T4G chip include the MJD127G, the MJD127T4 and the MJD127TR. These chips are all NPN Darlington transistors with similar specifications and can be used as alternatives to the MJD127T4G.
  • Features

    The MJD127T4G is a high voltage NPN transistor with a current rating of 1.5A. It has a voltage rating of 100V and a power dissipation of 625mW. This transistor features a high hFE gain, fast switching speed, and low collector-emitter saturation voltage, making it suitable for various applications such as power amplification and switching.
  • Pinout

    The MJD127T4G is a NPN Darlington transistor with a SOT-223 package. It has a pin count of 4. The pins are labeled as follows: Pin 1 (Base 2), Pin 2 (Collector), Pin 3 (Emitter 2), and Pin 4 (Emitter 1). The transistor is commonly used for amplification and switching applications in electronic circuits.
  • Manufacturer

    The manufacturer of the MJD127T4G is ON Semiconductor. It is a global semiconductor company that designs, manufactures, and markets a wide range of semiconductor-based products for various industries, including automotive, communications, industrial, medical, and consumer electronics.
  • Application Field

    The MJD127T4G is a high voltage Bipolar Junction Transistor (BJT) used in common emitter switching applications. Its main application areas include motor control circuits, power management, and general-purpose switching. It is designed to handle high currents and high voltages, making it suitable for various electronic devices and power systems.
  • Package

    The MJD127T4G chip is a Darlington NPN transistor available in a SOT-223 package with three pins. The package dimensions are approximately 6.70mm x 6.30mm x 2.30mm.

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