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$5000MJE13009G
This NPN Bipolar Power Transistor has a maximum current rating of 12 amperes
Marken: Onsemi
Herstellerteil #: MJE13009G
Datenblatt: MJE13009G Datenblatt (PDF)
Paket/Gehäuse: TO-220-3
Produktart: Single Bipolar Transistors
RoHS-Status:
Lagerzustand: 9.458 Stück, Neues Original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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MJE13009G Allgemeine Beschreibung
The MJE13009G is a versatile transistor that excels in high-voltage, high-speed power switching applications. Its design is optimized for fast fall times, making it an ideal choice for circuits that require precise control and efficient operation. Whether used in Switching Regulators, Inverters, Motor Controls, Solenoid/Relay drivers, or Deflection circuits, this transistor delivers reliable performance and superior efficiency, helping engineers and designers meet the demands of their applications with confidence
Funktionen
- Operating Temperature -40°C to 125°C
- Current Sensing & Monitoring Capabilities
- Epoxy-Free Construction for Reliable Performance
- High-Speed Switching Applications up to 10 kHz
- Fault Protection Diodes for Overcurrent & Undervoltage
- Advanced Gate Driver Technology for Improved Efficiency
Spezifikationen
| Parameter | Wert | Parameter | Wert |
|---|---|---|---|
| Status | Consult Sales Office | Compliance | PbAHP |
| Package Type | TO-220-3 | Case Outline | 221A |
| MSL Type | NA | MSL Temp (°C) | 0 |
| Container Type | TUBE | Container Qty. | 50 |
| ON Target | N | Polarity | NPN |
| VCEO Min (V) | 400 | hFE Min | 6 |
| hFE Max | 30 | fT Min (MHz) | 4 |
| PTM Max (W) | 100 |
Versand
| Versandart | Versandgebühr | Vorlaufzeit | |
|---|---|---|---|
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DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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Zahlung
| Zahlungsbedingungen | Handgebühr | |
|---|---|---|
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Banküberweisung | Bankgebühr in Höhe von 30,00 USD wird berechnet. |
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Paypal | 4,0 % Servicegebühr wird berechnet. |
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Kreditkarte | 3,5 % Servicegebühr wird berechnet. |
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Verpackung
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Schritt6 :Barcode-Versandetikett
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Wir prüfen alle Waren vor dem Versand, stellen sicher, dass sich alle Produkte in gutem Zustand befinden und dass die Teile neu und original sind und mit dem Datenblatt übereinstimmen.
Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.
Teilpunkte
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The MJE13009G is a high voltage, high-speed switching transistors suitable for a wide range of applications including power supplies, motor control, and electronic ballasts. It offers high performance and reliability, making it a popular choice among electronic designers for demanding applications.
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Equivalent
The equivalent products of the MJE13009G chip are the MJE13005, MJE13007, and the MJE13009. These chips are all NPN silicon power transistors commonly used in high voltage and high-speed switching applications. -
Features
The MJE13009G is a NPN silicon power transistor designed for high-voltage, high-speed switching applications. It has a maximum collector-emitter voltage of 400V, a maximum collector current of 12A, and a maximum power dissipation of 200W. It has a TO-220AB package for easy mounting and heatsinking. -
Pinout
MJE13009G is a bipolar power transistor with a TO-220 package. It has three pins: the collector (C), base (B), and emitter (E). The pinout configuration is as follows: Pin 1 - Emitter, Pin 2 - Base, Pin 3 - Collector. It is commonly used for high-voltage, high-speed switching applications in power supply and amplifier circuits. -
Manufacturer
The manufacturer of MJE13009G is ON Semiconductor. ON Semiconductor is a leading supplier of semiconductor-based solutions, offering a comprehensive portfolio of energy efficient power management, analog, sensors, logic, timing, connectivity, discrete, SoC and custom devices. They serve a wide range of markets including automotive, communications, computing, consumer, industrial, medical, and military/aerospace. -
Application Field
The MJE13009G is a high voltage NPN silicon power transistor commonly used in power supply, motor control, and electronic ballast applications. It is suitable for high frequency operation and can handle high voltage and current levels, making it ideal for a variety of power electronics applications. -
Package
The MJE13009G is a TO-220AB package type, NPN silicon power transistor. It has a form of through-hole and a size of 10.92mm x 4.46mm x 9.96mm.
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