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MJE253G
PNP type transistors with a power dissipation of 15W
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![ISO9001](/img/about/iso9001.png)
![DUNS](/img/about/duns.png)
Marken: Onsemi
Herstellerteil #: MJE253G
Datenblatt: MJE253G Datenblatt (PDF)
Paket/Gehäuse: TO-225-3
RoHS-Status:
Lagerzustand: 9.458 Stück, Neues Original
Produktart: Single Bipolar Transistors
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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*Alle Preise sind in USD
Menge | Einzelpreis | Ext. Preis |
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1 | $0,618 | $0,618 |
10 | $0,513 | $5,130 |
30 | $0,461 | $13,830 |
100 | $0,408 | $40,800 |
500 | $0,332 | $166,000 |
1000 | $0,317 | $317,000 |
Auf Lager: 9.458 Stck
MJE253G Allgemeine Beschreibung
Bipolar (BJT) Transistor PNP 100 V 4 A 40MHz 1.5 W Through Hole TO-126
![](/files/uploads/product/b/c0383b87-cbef-4a1d-be4a-23998712d485.webp)
Funktionen
- High Efficiency - η = 95% (Typical)
- Low Temperature Coefficient - TC = ±50 ppm/°C (Typical)
- Wide Operating Range - VSAT = 1.8 to 5 Vdc
- Robust EMI Protection - Conducted and Radiated Emissions
- Fast Start-Up Time - tON = 20 μs (Typical) @ Vin = 1.5 Vdc
- Precise Current Limiting - ILIM = ±100 μAdc (Max)
Spezifikationen
Parameter | Wert | Parameter | Wert |
---|---|---|---|
Status | Active | Compliance | PbAHP |
Package Type | TO-225-3 | Case Outline | 77-09 |
MSL Type | NA | MSL Temp (°C) | 0 |
Container Type | BLKBX | Container Qty. | 500 |
ON Target | Y | Polarity | PNP |
Type | General Purpose | VCE(sat) Max (V) | 0.6 |
IC Cont. (A) | 4 | VCEO Min (V) | 100 |
VCBO (V) | 100 | VEBO (V) | 7 |
VBE(sat) (V) | 1.8 | VBE(on) (V) | 1.5 |
hFE Min | 40 | hFE Max | 180 |
fT Min (MHz) | 40 | PTM Max (W) | 15 |
Pricing ($/Unit) | $0.2076 |
Versand
Versandart | Versandgebühr | Vorlaufzeit | |
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DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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REGISTRIERTE LUFTPOST | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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Zahlung
Zahlungsbedingungen | Handgebühr | |
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Banküberweisung | Bankgebühr in Höhe von 30,00 USD wird berechnet. |
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Paypal | 4,0 % Servicegebühr wird berechnet. |
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Kreditkarte | 3,5 % Servicegebühr wird berechnet. |
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Western Union | charge US.00 banking fee. |
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Geldgramm | Bankgebühr in Höhe von 0,00 USD wird berechnet. |
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Verpackung
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Schritt1 :Produkt
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Schritt2 :Vakuumverpackung
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Schritt3 :Antistatikbeutel
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Schritt4 :Individuelle Verpackung
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Schritt5 :Verpackungskartons
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Schritt6 :Barcode-Versandetikett
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Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.
Teilpunkte
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MJE253G is a power transistor chip commonly used in audio amplifiers and power control circuits. It is a medium power Darlington transistor with high current gain and low saturation voltage, making it suitable for applications requiring high power output. The chip is also known for its high switching speed and low thermal resistance, making it a popular choice among electronics hobbyists and professionals.
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Equivalent
The MJE253G transistor's equivalents include MJE253 (without the "G" suffix), 2N6045, TIP147, and MJ15024. These alternatives offer similar electrical characteristics and can be used interchangeably in many applications. -
Features
The MJE253G is a silicon NPN power transistor designed for high-speed switching applications. It features a collector-emitter voltage of 400V, a collector current of 8A, and a power dissipation of 75W. This transistor is commonly used in power supply and motor control circuits. -
Pinout
The MJE253G is a bipolar power transistor with a TO-220 package. It typically has three pins: the collector, the base, and the emitter. It functions as a high-voltage switching and amplifier device in various electronic circuits, particularly in power supply and audio amplifier applications. -
Manufacturer
The MJE253G is manufactured by ON Semiconductor. ON Semiconductor is a leading supplier of semiconductor-based solutions, offering a comprehensive portfolio of energy-efficient power management, analog, sensors, logic, timing, connectivity, discrete, SoC, and custom devices for diversified markets. -
Application Field
The MJE253G is a power transistor primarily used in applications requiring high power amplification and switching. Common applications include audio amplifiers, power supplies, motor control circuits, and industrial automation systems. Its high voltage and current handling capabilities make it suitable for various power electronics applications where efficient amplification and switching are required. -
Package
The MJE253G is a transistor with a TO-220 package type, a through-hole form factor, and a medium size, typically measuring around 10.4mm x 5.3mm x 16.6mm.
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