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MJE253G 48HRS

PNP type transistors with a power dissipation of 15W

ISO14001 ISO9001 DUNS

Marken: Onsemi

Herstellerteil #: MJE253G

Datenblatt: MJE253G Datenblatt (PDF)

Paket/Gehäuse: TO-225-3

RoHS-Status:

Lagerzustand: 9.458 Stück, Neues Original

Produktart: Single Bipolar Transistors

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

Preisgestaltung

*Alle Preise sind in USD

Menge Einzelpreis Ext. Preis
1 $0,618 $0,618
10 $0,513 $5,130
30 $0,461 $13,830
100 $0,408 $40,800
500 $0,332 $166,000
1000 $0,317 $317,000

Auf Lager: 9.458 Stck

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MJE253G Allgemeine Beschreibung

Bipolar (BJT) Transistor PNP 100 V 4 A 40MHz 1.5 W Through Hole TO-126

Funktionen

  • High Efficiency - η = 95% (Typical)
  • Low Temperature Coefficient - TC = ±50 ppm/°C (Typical)
  • Wide Operating Range - VSAT = 1.8 to 5 Vdc
  • Robust EMI Protection - Conducted and Radiated Emissions
  • Fast Start-Up Time - tON = 20 μs (Typical) @ Vin = 1.5 Vdc
  • Precise Current Limiting - ILIM = ±100 μAdc (Max)

Spezifikationen

Parameter Wert Parameter Wert
Status Active Compliance PbAHP
Package Type TO-225-3 Case Outline 77-09
MSL Type NA MSL Temp (°C) 0
Container Type BLKBX Container Qty. 500
ON Target Y Polarity PNP
Type General Purpose VCE(sat) Max (V) 0.6
IC Cont. (A) 4 VCEO Min (V) 100
VCBO (V) 100 VEBO (V) 7
VBE(sat) (V) 1.8 VBE(on) (V) 1.5
hFE Min 40 hFE Max 180
fT Min (MHz) 40 PTM Max (W) 15
Pricing ($/Unit) $0.2076

Versand

Versandart Versandgebühr Vorlaufzeit
DHL DHL $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
Fedex FedEx $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
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Verpackung

  • Produkt

    Schritt1 :Produkt

  • Vakuumverpackung

    Schritt2 :Vakuumverpackung

  • Antistatikbeutel

    Schritt3 :Antistatikbeutel

  • Individuelle Verpackung

    Schritt4 :Individuelle Verpackung

  • Verpackungskartons

    Schritt5 :Verpackungskartons

  • Barcode-Versandetikett

    Schritt6 :Barcode-Versandetikett

Alle Produkte werden in antistatischen Beuteln verpackt. Versand mit ESD-Antistatikschutz.

Auf dem äußeren ESD-Verpackungsetikett werden die Informationen unseres Unternehmens verwendet: Teilenummer, Marke und Menge.

Wir prüfen alle Waren vor dem Versand, stellen sicher, dass sich alle Produkte in gutem Zustand befinden und dass die Teile neu und original sind und mit dem Datenblatt übereinstimmen.

Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.

  • ESD
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Teilpunkte

  • MJE253G is a power transistor chip commonly used in audio amplifiers and power control circuits. It is a medium power Darlington transistor with high current gain and low saturation voltage, making it suitable for applications requiring high power output. The chip is also known for its high switching speed and low thermal resistance, making it a popular choice among electronics hobbyists and professionals.
  • Equivalent

    The MJE253G transistor's equivalents include MJE253 (without the "G" suffix), 2N6045, TIP147, and MJ15024. These alternatives offer similar electrical characteristics and can be used interchangeably in many applications.
  • Features

    The MJE253G is a silicon NPN power transistor designed for high-speed switching applications. It features a collector-emitter voltage of 400V, a collector current of 8A, and a power dissipation of 75W. This transistor is commonly used in power supply and motor control circuits.
  • Pinout

    The MJE253G is a bipolar power transistor with a TO-220 package. It typically has three pins: the collector, the base, and the emitter. It functions as a high-voltage switching and amplifier device in various electronic circuits, particularly in power supply and audio amplifier applications.
  • Manufacturer

    The MJE253G is manufactured by ON Semiconductor. ON Semiconductor is a leading supplier of semiconductor-based solutions, offering a comprehensive portfolio of energy-efficient power management, analog, sensors, logic, timing, connectivity, discrete, SoC, and custom devices for diversified markets.
  • Application Field

    The MJE253G is a power transistor primarily used in applications requiring high power amplification and switching. Common applications include audio amplifiers, power supplies, motor control circuits, and industrial automation systems. Its high voltage and current handling capabilities make it suitable for various power electronics applications where efficient amplification and switching are required.
  • Package

    The MJE253G is a transistor with a TO-220 package type, a through-hole form factor, and a medium size, typically measuring around 10.4mm x 5.3mm x 16.6mm.

Wir bieten qualitativ hochwertige Produkte, durchdachten Service und eine Kundendienstgarantie

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    Wir haben reichhaltige Produkte, die Ihre unterschiedlichen Bedürfnisse erfüllen können.

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    Die Mindestbestellmenge beginnt bei 1 Stück.

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