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$5000MJE5742G
Efficient and reliable, suitable for general-purpose use cases
Marken: Onsemi
Herstellerteil #: MJE5742G
Datenblatt: MJE5742G Datenblatt (PDF)
Paket/Gehäuse: TO-220-3
Produktart: Single Bipolar Transistors
RoHS-Status:
Lagerzustand: 9.458 Stück, Neues Original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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MJE5742G Allgemeine Beschreibung
Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 400 V 8 A 2 W Through Hole TO-220
Funktionen
- PbFree and RoHS Compliant
- Compact Design for Space Savings
- Safe and Reliable Operations Guaranteed
- Efficient Energy Consumption Achieved
- Fully Compatible with Various Systems
- User-Friendly Interface for Easy Control
Anwendung
- Signal Conditioning Circuits
- Battery Charging Systems
- HVAC Control Units
Spezifikationen
| Parameter | Wert | Parameter | Wert |
|---|---|---|---|
| Status | Active | Compliance | PbAHP |
| Package Type | TO-220-3 | Case Outline | 221A |
| MSL Type | NA | MSL Temp (°C) | 0 |
| Container Type | TUBE | Container Qty. | 50 |
| ON Target | N | Polarity | NPN |
| IC Continuous (A) | 8 | V(BR)CEO Min (V) | 400 |
| VCE(sat) Max (V) | 2 | hFE Min (k) | 0.2 |
| Pricing ($/Unit) | $0.746 |
Versand
| Versandart | Versandgebühr | Vorlaufzeit | |
|---|---|---|---|
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Zahlung
| Zahlungsbedingungen | Handgebühr | |
|---|---|---|
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Banküberweisung | Bankgebühr in Höhe von 30,00 USD wird berechnet. |
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Paypal | 4,0 % Servicegebühr wird berechnet. |
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Kreditkarte | 3,5 % Servicegebühr wird berechnet. |
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Western Union | charge US.00 banking fee. |
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Geldgramm | Bankgebühr in Höhe von 0,00 USD wird berechnet. |
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Verpackung
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Schritt5 :Verpackungskartons
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Schritt6 :Barcode-Versandetikett
Alle Produkte werden in antistatischen Beuteln verpackt. Versand mit ESD-Antistatikschutz.
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Wir prüfen alle Waren vor dem Versand, stellen sicher, dass sich alle Produkte in gutem Zustand befinden und dass die Teile neu und original sind und mit dem Datenblatt übereinstimmen.
Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.
Teilpunkte
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The MJE5742G is a high power NPN transistor designed for general-purpose amplifier and switching applications. With a maximum collector current rating of 12A and a voltage rating of 150V, this transistor is suitable for a variety of power control and amplification tasks. Its TO-220 packaging allows for easy mounting and heat dissipation, making it a versatile component for many electronic projects.
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Equivalent
The MJE5742G is a PNP bipolar junction transistor (BJT) designed for high-voltage applications. Equivalent products include the MJE5742, MJE5742G-D, and MJE5742G-TA. Always verify specifications and compatibility before substitution. -
Features
The MJE5742G is a high-voltage NPN transistor with features including a collector-emitter voltage of 400V, collector current of 8A, and a power dissipation of 75W. It's commonly used in power switching applications due to its robustness and high voltage capability. -
Pinout
The MJE5742G is a Darlington transistor with a TO-220 package. It has three pins: Base, Collector, and Emitter. The base pin controls the flow of current between the collector and emitter, making it suitable for high-voltage and high-current applications like power amplification and switching. -
Manufacturer
The MJE5742G is manufactured by ON Semiconductor, a leading supplier of semiconductor-based solutions. ON Semiconductor produces a wide range of products including power management, analog, logic, timing, discrete, and custom devices for automotive, communications, computing, consumer, industrial, medical, and military/aerospace applications. -
Application Field
The MJE5742G is a high-voltage, high-speed power transistor typically used in applications such as audio amplifiers, switching regulators, and power management circuits. Its characteristics make it suitable for demanding tasks requiring high power handling and fast switching capabilities in various electronic devices and systems. -
Package
The MJE5742G is a power transistor packaged in a TO-220 form. It typically comes in a through-hole package, with dimensions around 10.54mm x 4.57mm x 9.5mm. This type of package is commonly used for medium to high power applications due to its robustness and ease of mounting.
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