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$5000MJH11022
With a 15-ampere current capacity and a maximum voltage rating of 250 volts, MJH11022 is a NPN Darlington bipolar power transistor
Marken: ON SEMICONDUCTOR
Herstellerteil #: MJH11022
Datenblatt: MJH11022 Datenblatt (PDF)
Paket/Gehäuse: SOT-93
Produktart: Single Bipolar Transistors
RoHS-Status:
Lagerzustand: 8.727 Stück, Neues Original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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MJH11022 Allgemeine Beschreibung
With a maximum power dissipation of 90W and a current gain (hFE) ranging from 15 to 60 at a collector current of 4A, the MJH11022 offers versatility in different operational scenarios. Additionally, its low collector-emitter saturation voltage of 1.5V at 4A further enhances its efficiency and effectiveness
Funktionen
- Advanced design ensures efficient heat dissipation
- Silicon NPN bipolar transistor for high power applications
- Reliability and precision temperature control guaranteed
- Efficient cooling for high power industrial sources
Spezifikationen
Parameter | Wert | Parameter | Wert |
---|---|---|---|
Source Content uid | MJH11022 | Pbfree Code | No |
Part Life Cycle Code | Obsolete | Ihs Manufacturer | ON SEMICONDUCTOR |
Part Package Code | SOT-93 (T0-218) 4 LEAD | Package Description | CASE 340D-02, 3 PIN |
Pin Count | 3 | Manufacturer Package Code | 340D-02 |
Reach Compliance Code | not_compliant | ECCN Code | EAR99 |
Samacsys Manufacturer | onsemi | Case Connection | COLLECTOR |
Collector Current-Max (IC) | 15 A | Collector-Emitter Voltage-Max | 250 V |
Configuration | DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR | DC Current Gain-Min (hFE) | 100 |
JEDEC-95 Code | TO-218 | JESD-30 Code | R-PSFM-T3 |
JESD-609 Code | e0 | Number of Elements | 1 |
Number of Terminals | 3 | Operating Temperature-Max | 150 °C |
Package Body Material | PLASTIC/EPOXY | Package Shape | RECTANGULAR |
Package Style | FLANGE MOUNT | Peak Reflow Temperature (Cel) | 240 |
Polarity/Channel Type | NPN | Power Dissipation-Max (Abs) | 150 W |
Qualification Status | Not Qualified | Surface Mount | NO |
Terminal Finish | Tin/Lead (Sn/Pb) | Terminal Form | THROUGH-HOLE |
Terminal Position | SINGLE | Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | 30 |
Transistor Application | SWITCHING | Transistor Element Material | SILICON |
Transition Frequency-Nom (fT) | 3 MHz |
Versand
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---|---|---|---|
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