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MMUN2232LT1G
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 246 mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Marken: onsemi
Herstellerteil #: MMUN2232LT1G
Datenblatt: MMUN2232LT1G Datenblatt (PDF)
Paket/Gehäuse: SOT-23-3
RoHS-Status:
Lagerzustand: 9.458 Stück, Neues Original
Produktart: Single, Pre-Biased Bipolar Transistors
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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| Menge | Einzelpreis | Ext. Preis |
|---|---|---|
| 20 | $0,029 | $0,580 |
| 200 | $0,023 | $4,600 |
| 600 | $0,021 | $12,600 |
| 3000 | $0,019 | $57,000 |
| 9000 | $0,017 | $153,000 |
| 21000 | $0,016 | $336,000 |
Auf Lager: 9.458 Stck
MMUN2232LT1G Allgemeine Beschreibung
The integration of the bias network within the transistor itself sets the MMUN2232LT1G apart as a cutting-edge solution for electronic applications. By eliminating the need for external resistors, this series offers a more streamlined and reliable alternative for circuit design. The inherent simplicity of the Bias Resistor Transistor enables engineers to achieve faster time-to-market and greater design precision in their projects
Funktionen
- Simplifies PCB Design
- Reduces Component Count
- Improves Power Management
Spezifikationen
| Parameter | Wert | Parameter | Wert |
|---|---|---|---|
| Manufacturer: | onsemi | Product Category: | Bipolar Transistors - Pre-Biased |
| RoHS: | Details | Configuration: | Single |
| Transistor Polarity: | NPN | Typical Input Resistor: | 4.7 kOhms |
| Typical Resistor Ratio: | 1 | Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SOT-23-3 | DC Collector/Base Gain hfe Min: | 15 |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 50 V | Continuous Collector Current: | 100 mA |
| Peak DC Collector Current: | 100 mA | Pd - Power Dissipation: | 400 mW |
| Minimum Operating Temperature: | - 55 C | Maximum Operating Temperature: | + 150 C |
| Series: | MMUN2232L | Packaging: | MouseReel |
| Brand: | onsemi | Height: | 0.94 mm |
| Length: | 2.9 mm | Product Type: | BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased |
| Factory Pack Quantity: | 3000 | Subcategory: | Transistors |
| Width: | 1.3 mm |
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Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.
Teilpunkte
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The MMUN2232LT1G is a high-performance dual NPN transistor chip designed for general-purpose amplification and switching applications. It has a maximum collector current of 100 mA and a maximum power dissipation of 225 mW. This chip is commonly used in various electronic devices such as audio amplifiers, logic gates, and motor drivers.
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Equivalent
Some equivalent products of the MMUN2232LT1G chip are the BC807-40LT1G, BC808-40LT1G, and BC858CLT1G chips. These chips are all NPN Transistors with similar specifications and compatible pin configurations. -
Features
1. Ultra-low capacitance of 1.5pF for high-speed data transmission 2. ESD protection up to 8kV 3. Low clamping voltage of 6.3V for reliable protection 4. Low leakage current of 0.1μA for energy efficiency 5. Small SOD-882 package for compact designs. -
Pinout
MMUN2232LT1G is a dual NPN/PNP digital transistor with a pin count of 6. It is designed for low VCE(sat) applications. Pin functions include Base 1, Emitter 1, Collector 1, Base 2, Emitter 2, and Collector 2. -
Manufacturer
MMUN2232LT1G is manufactured by ON Semiconductor. ON Semiconductor is a semiconductor supplier that offers a comprehensive portfolio of energy-efficient power management, analog, sensors, logic, timing, connectivity, discrete, SoC, and custom devices. The company serves a wide range of industries including automotive, communications, computing, consumer, industrial, medical, and aerospace. -
Application Field
MMUN2232LT1G is commonly used in low current applications such as voltage regulators, low noise amplifiers, and RF circuits. It is also suitable for battery-powered devices, sensors, and communication systems. -
Package
The MMUN2232LT1G chip is a SOT-23-3 package type, in a surface mount form, with dimensions measuring 2.9mm x 1.3mm x 1.1mm.
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