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NTJD1155LT1G
P-Channel MOSFET with Level Shift, capable of handling 8V and +/-1.3A
Marken: Onsemi
Herstellerteil #: NTJD1155LT1G
Datenblatt: NTJD1155LT1G Datenblatt (PDF)
Paket/Gehäuse: SC-88-6 , SC-70-6 , SOT-363-6
RoHS-Status:
Lagerzustand: 7514 Stück, Neues Original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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*Alle Preise sind in USD
| Menge | Einzelpreis | Ext. Preis |
|---|---|---|
| 1 | $0,311 | $0,311 |
| 10 | $0,238 | $2,380 |
| 30 | $0,207 | $6,210 |
| 100 | $0,167 | $16,700 |
| 500 | $0,150 | $75,000 |
| 1000 | $0,139 | $139,000 |
In Stock:7514 PCS
NTJD1155LT1G Allgemeine Beschreibung
P Channel Mosfet, -8V, Sc-88, Full Reel; Channel Type:Complementary N And P Channel; Drain Source Voltage Vds N Channel:8V; Drain Source Voltage Vds P Channel:8V; Continuous Drain Current Id N Channel:1.3A; No. Of Pins:6Pins Rohs Compliant: Yes |Onsemi NTJD1155LT1G
Funktionen
- Extremely Low RDS(on) P-Channel Load Switch MOSFET
- Level Shift MOSFET is ESD Protected
- Low Profile, Small Footprint Package
- VIN Range 1.8 to 8.0 V
- ON/OFF Range 1.5 to 8.0 V
Anwendung
- Integrated High Side Load Switch with built in Level Shift
- Portable Equipment
Spezifikationen
| Parameter | Wert | Parameter | Wert |
|---|---|---|---|
| Status | Active | Compliance | PbAHP |
| Package Type | SC-88-6 / SC-70-6 / SOT-363-6 | Case Outline | 419B-02 |
| MSL Type | 1 | MSL Temp (°C) | 260 |
| Container Type | REEL | Container Qty. | 3000 |
| ON Target | Y | Channel Polarity | P-Channel |
| Configuration | Level Shift | V(BR)DSS Min (V) | -8 |
| VGS Max (V) | 8 | VGS(th) Max (V) | 1 |
| ID Max (A) | 1.3 | PD Max (W) | 0.4 |
| RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ) | 170 | RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ) | 130 |
| Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC) | 1.3 |
Versand
| Versandart | Versandgebühr | Vorlaufzeit | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
 |
FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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REGISTRIERTE LUFTPOST | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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Zahlung
| Zahlungsbedingungen | Handgebühr | |
|---|---|---|
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Banküberweisung | Bankgebühr in Höhe von 30,00 USD wird berechnet. |
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Paypal | 4,0 % Servicegebühr wird berechnet. |
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Kreditkarte | 3,5 % Servicegebühr wird berechnet. |
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Geldgramm | Bankgebühr in Höhe von 0,00 USD wird berechnet. |
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Verpackung
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Schritt1 :Produkt
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![Vakuumverpackung]( "Vakuumverpackung")
Schritt2 :Vakuumverpackung
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Schritt3 :Antistatikbeutel
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Schritt4 :Individuelle Verpackung
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Schritt5 :Verpackungskartons
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Schritt6 :Barcode-Versandetikett
Alle Produkte werden in antistatischen Beuteln verpackt. Versand mit ESD-Antistatikschutz.
Auf dem äußeren ESD-Verpackungsetikett werden die Informationen unseres Unternehmens verwendet: Teilenummer, Marke und Menge.
Wir prüfen alle Waren vor dem Versand, stellen sicher, dass sich alle Produkte in gutem Zustand befinden und dass die Teile neu und original sind und mit dem Datenblatt übereinstimmen.
Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.
Teilpunkte
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The NTJD1155LT1G is a MOSFET transistor chip used for power management in electronic devices. It has a compact design and low on-resistance, making it ideal for applications where high efficiency and space-saving are essential. This chip is commonly used in smartphones, laptops, and other portable devices to regulate and control power flow.
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Equivalent
Some equivalent products of the NTJD1155LT1G chip are NTJD1155LT1, NTJD1155LT1G, NTTFS4927N, NTTFS4C13N, NTTFS4936N, and NTTFS4C04N. These are all MOSFET transistors with similar specifications and performance characteristics. -
Features
1. N-Channel MOSFET designed for high-speed switching applications 2. Low on-resistance of 30 mOhms 3. Low threshold voltage of 1V 4. Can handle continuous drain current of 4.2A 5. Compact DFN package with small footprint for space-constrained applications. -
Pinout
The NTJD1155LT1G is a dual N-channel MOSFET transistor with a pin count of 6. It is commonly used for power management and switching applications in various electronic devices. The function of this component is to regulate and control the flow of electrical current between two terminals. -
Manufacturer
The manufacturer of NTJD1155LT1G is ON Semiconductor. It is a semiconductor company that designs and manufactures a wide range of products including power management, analog, and digital integrated circuits for various industries such as automotive, industrial, and consumer electronics.ON Semiconductor is headquartered in Phoenix, Arizona, and has a global presence with manufacturing facilities in multiple countries. -
Application Field
NTJD1155LT1G is commonly used in power management applications such as voltage regulation, battery charging, and LED driver circuits. It is also utilized in consumer electronics, industrial automation, and automotive systems for efficient power control and energy management. -
Package
The NTJD1155LT1G chip is a surface mount package type in a DPAK form. It has a size of 6.7mm x 6.8mm x 2.3mm.
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