NTZD3155CT1G
MOSFET 20V 540mA/-430mA Complementary w/ESD
Marken: onsemi
Herstellerteil #: NTZD3155CT1G
Datenblatt: NTZD3155CT1G Datenblatt (PDF)
Paket/Gehäuse: SOT-563,SOT-666
RoHS-Status:
Lagerzustand: 6517 Stück, Neues Original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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*Alle Preise sind in USD
Menge | Einzelpreis | Ext. Preis |
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5 | $0,091 | $0,455 |
50 | $0,081 | $4,050 |
150 | $0,075 | $11,250 |
500 | $0,071 | $35,500 |
2500 | $0,061 | $152,500 |
4000 | $0,059 | $236,000 |
In Stock:6517 PCS
NTZD3155CT1G Allgemeine Beschreibung
Small Signal MOSFET
Complementary 20 V, 540 mA / −430 mA,
with ESD protection, SOT−563 package.
Funktionen
- Leading Trench Technology for Low RDS(on) Performance
- High Efficiency System Performance
- Low Threshold Voltage
- ESD Protected Gate
- Small Footprint 1.6 x 1.6 mm
- RoHS Compliant
Anwendung
- DC-DC Conversion Circuits
- Load/Power Switching with Level Shift
- Single or Dual Cell Li-Ion Battery Operated Systems
- High Speed Circuits
Spezifikationen
Parameter | Wert | Parameter | Wert |
---|---|---|---|
Product Status | Active | Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Configuration | N and P-Channel | FET Feature | Logic Level Gate |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V | Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 540mA, 430mA |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 550mOhm @ 540mA, 4.5V | Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 2.5nC @ 4.5V | Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 150pF @ 16V |
Power - Max | 250mW | Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Mounting Type | Surface Mount | Package / Case | SOT-563, SOT-666 |
Supplier Device Package | SOT-563 |
Versand
Versandart | Versandgebühr | Vorlaufzeit | |
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DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage | |
FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage | |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage | |
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Zahlung
Zahlungsbedingungen | Handgebühr | |
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Verpackung
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Schritt1 :Produkt
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Schritt2 :Vakuumverpackung
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Schritt3 :Antistatikbeutel
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Schritt4 :Individuelle Verpackung
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Schritt5 :Verpackungskartons
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Schritt6 :Barcode-Versandetikett
Alle Produkte werden in antistatischen Beuteln verpackt. Versand mit ESD-Antistatikschutz.
Auf dem äußeren ESD-Verpackungsetikett werden die Informationen unseres Unternehmens verwendet: Teilenummer, Marke und Menge.
Wir prüfen alle Waren vor dem Versand, stellen sicher, dass sich alle Produkte in gutem Zustand befinden und dass die Teile neu und original sind und mit dem Datenblatt übereinstimmen.
Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.
Teilpunkte
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The NTZD3155CT1G chip is a high-performance, low capacitance TVS (transient voltage suppressor) diode designed to protect sensitive electronics from voltage spikes and electrostatic discharge. It offers excellent clamping characteristics and low leakage current, making it ideal for applications such as smartphones, tablets, and portable electronics.
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Equivalent
Some equivalent products of the NTZD3155CT1G chip are NDS355N, BSS139, and DMG1012. -
Features
The NTZD3155CT1G is a dual, N-channel MOSFET that features a low RDS(ON) (0.014 ohms), low gate charge, fast switching speed, and a small SOT-563 surface mount package. It is suitable for use in DC-DC converters, power management, and load switches in portable devices, enabling efficient and reliable power control. -
Pinout
The NTZD3155CT1G is a 6-pin MOSFET (metal-oxide-semiconductor field-effect transistor) device. It is used for switching applications and can be controlled using a gate voltage. -
Manufacturer
The manufacturer of the NTZD3155CT1G is ON Semiconductor. It is a global supplier of semiconductors, offering a wide range of solutions for various industries, including automotive, electronics, and industrial applications. ON Semiconductor designs, manufactures, and distributes semiconductor components, empowering innovations in power management, sensors, connectivity, and more. -
Application Field
The NTZD3155CT1G is a dual N-Channel MOSFET commonly used in power management applications such as load, battery, and power switches, as well as in DC-DC converters and motor drivers. It is suitable for low voltage and high current applications. -
Package
The NTZD3155CT1G chip has a SOT-23 package type, form factor, and size.
Wir bieten qualitativ hochwertige Produkte, durchdachten Service und eine Kundendienstgarantie
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Wir haben reichhaltige Produkte, die Ihre unterschiedlichen Bedürfnisse erfüllen können.
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Die Mindestbestellmenge beginnt bei 1 Stück.
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Niedrigste internationale Versandgebühr beginnt ab 0,00 USD
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