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$5000MT40A1G8WE-075E:B
Enhance your device's memory capacity with Micron's reliability
Marken: MICRON TECHNOLOGY INC
Herstellerteil #: MT40A1G8WE-075E:B
Datenblatt: MT40A1G8WE-075E:B Datenblatt (PDF)
Paket/Gehäuse: FBGA-78
Produktart: Speicher
RoHS-Status:
Lagerzustand: 6.554 Stück, Neues Original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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MT40A1G8WE-075E:B Allgemeine Beschreibung
Elevate your computing performance with the MT40A1G8WE-075E:B, a high-performance DDR4 SDRAM module specifically engineered for power users. With a generous 8Gb capacity and an impressive 2400 Mbps data transfer rate, this module delivers both speed and energy efficiency. Its 1.2V supply voltage ensures optimal power consumption, while the 0°C to 85°C operating temperature range makes it adaptable to various environments
Spezifikationen
| Parameter | Wert | Parameter | Wert |
|---|---|---|---|
| Part Life Cycle Code | Obsolete | Ihs Manufacturer | MICRON TECHNOLOGY INC |
| Package Description | FBGA-78 | Reach Compliance Code | |
| ECCN Code | EAR99 | HTS Code | 8542.32.00.36 |
| Samacsys Manufacturer | Micron | Access Mode | MULTI BANK PAGE BURST |
| Additional Feature | AUTO/SELF REFRESH | Clock Frequency-Max (fCLK) | 1333.33 MHz |
| I/O Type | COMMON | Interleaved Burst Length | 8 |
| JESD-30 Code | R-PBGA-B78 | Length | 12 mm |
| Memory Density | 8589934592 bit | Memory IC Type | DDR4 DRAM |
| Memory Width | 8 | Number of Functions | 1 |
| Number of Ports | 1 | Number of Terminals | 78 |
| Number of Words | 1073741824 words | Number of Words Code | 1000000000 |
| Operating Mode | SYNCHRONOUS | Operating Temperature-Max | 95 °C |
| Operating Temperature-Min | Organization | 1GX8 | |
| Package Body Material | PLASTIC/EPOXY | Package Code | TFBGA |
| Package Equivalence Code | BGA78,6X13,32 | Package Shape | RECTANGULAR |
| Package Style | GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH | Refresh Cycles | 8192 |
| Seated Height-Max | 1.2 mm | Self Refresh | YES |
| Sequential Burst Length | 8 | Standby Current-Max | 0.046 A |
| Supply Current-Max | 0.063 mA | Supply Voltage-Max (Vsup) | 1.26 V |
| Supply Voltage-Min (Vsup) | 1.14 V | Supply Voltage-Nom (Vsup) | 1.2 V |
| Surface Mount | YES | Technology | CMOS |
| Temperature Grade | OTHER | Terminal Form | BALL |
| Terminal Pitch | 0.8 mm | Terminal Position | BOTTOM |
| Width | 8 mm |
Versand
| Versandart | Versandgebühr | Vorlaufzeit | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
 |
FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
 |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
 |
REGISTRIERTE LUFTPOST | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
Bearbeitungszeit: Die Versandkosten hängen von der jeweiligen Zone und dem Land ab.
Zahlung
| Zahlungsbedingungen | Handgebühr | |
|---|---|---|
 |
Banküberweisung | Bankgebühr in Höhe von 30,00 USD wird berechnet. |
 |
Paypal | 4,0 % Servicegebühr wird berechnet. |
 |
Kreditkarte | 3,5 % Servicegebühr wird berechnet. |
 |
Western Union | charge US.00 banking fee. |
 |
Geldgramm | Bankgebühr in Höhe von 0,00 USD wird berechnet. |
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Verpackung
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Schritt1 :Produkt
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Schritt2 :Vakuumverpackung
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Schritt3 :Antistatikbeutel
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Schritt4 :Individuelle Verpackung
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Schritt5 :Verpackungskartons
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Schritt6 :Barcode-Versandetikett
Alle Produkte werden in antistatischen Beuteln verpackt. Versand mit ESD-Antistatikschutz.
Auf dem äußeren ESD-Verpackungsetikett werden die Informationen unseres Unternehmens verwendet: Teilenummer, Marke und Menge.
Wir prüfen alle Waren vor dem Versand, stellen sicher, dass sich alle Produkte in gutem Zustand befinden und dass die Teile neu und original sind und mit dem Datenblatt übereinstimmen.
Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.
Teilpunkte
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The MT40A1G8WE-075E:B chip is a 1GB DDR3 SDRAM memory module manufactured by Micron Technology. It features a 78-ball FBGA package and operates at a speed of 1066MHz. This chip is commonly used in a variety of electronic devices and offers reliable performance for memory-intensive applications.
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Equivalent
The equivalent products of MT40A1G8WE-075E:B chip are Micron MTA16ATF1G64AZ-2G3 and Samsung M378A1G43DB0-CPB chips. These are both 8GB DDR4 SDRAM chips with similar specifications and compatibility as the MT40A1G8WE-075E:B chip. -
Features
1. Model: MT40A1G8WE-075E:B 2. Density: 8Gb 3. Organization: x8 4. Voltage: 1.2V 5. Speed: 2400 Mbps 6. Interface: DDR4 SDRAM 7. Temperature: -40°C to 95°C 8. Package: FBGA 9. RoHS compliant 10. Low power consumption -
Pinout
The MT40A1G8WE-075E:B is a DDR4 SDRAM chip with a pin count of 260. It is a 8Gbit low power double data rate synchronous dynamic random-access memory organized as 1Gbit x 8, with a data transfer rate of 2133MT/s. -
Manufacturer
The manufacturer of MT40A1G8WE-075E:B is Micron Technology, Inc. Micron Technology is an American company that specializes in producing memory and storage solutions for both consumer and enterprise applications. They are one of the leading companies in the semiconductor industry, known for their innovation and reliability in producing high-quality products. -
Application Field
The MT40A1G8WE-075E:B is commonly used in consumer electronics such as smartphones, tablets, and laptops. It is also found in networking equipment, industrial applications, and automotive systems. Its high performance and reliability make it suitable for a wide range of applications requiring high-speed and low-power memory. -
Package
The MT40A1G8WE-075E:B chip is packaged in a 96-ball BGA (Ball Grid Array) form with a size of 8mm x 10mm.
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