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$5000ST NAND512R3A2DZA6E
FLASH - NAND Memory IC 512Mbit Parallel 50 ns 63-VFBGA (9x11)
Marken: STMicroelectronics, Inc
Herstellerteil #: NAND512R3A2DZA6E
Datenblatt: NAND512R3A2DZA6E Datasheet (PDF)
Paket/Gehäuse: BGA-63
Produktart: Speicher
RoHS-Status:
Lagerzustand: 3.065 Stück, Neues Original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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NAND512R3A2DZA6E Allgemeine Beschreibung
FLASH - NAND Memory IC 512Mbit Parallel 50 ns 63-VFBGA (9x11)
Funktionen
- It has a storage capacity of 512 megabytes (MB).
- It uses a NAND flash memory architecture, which allows for fast read and write speeds.
- It uses a 3.3 volt power supply.
- It has a small form factor and is surface-mountable.
- It has a maximum operating temperature range of -40°C to 85°C.
Anwendung
- S34ML04G200TFI000 from Cypress Semiconductor
- MT29F512G08CKCABH6-IT from Micron Technology
- K9GBG08U0M-PCB0 from Samsung Electronics
Spezifikationen
Parameter | Wert | Parameter | Wert |
---|---|---|---|
Rohs Code | Yes | Part Life Cycle Code | Obsolete |
Ihs Manufacturer | MICRON TECHNOLOGY INC | Part Package Code | BGA |
Package Description | 9 X 11 MM, 1.05 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, VFBGA-63 | Pin Count | 63 |
Reach Compliance Code | ECCN Code | EAR99 | |
HTS Code | 8542.32.00.51 | Samacsys Manufacturer | Micron |
Access Time-Max | 15000 ns | Command User Interface | YES |
Data Polling | NO | JESD-30 Code | R-PBGA-B63 |
JESD-609 Code | e1 | Length | 11 mm |
Memory Density | 536870912 bit | Memory IC Type | FLASH |
Memory Width | 8 | Number of Functions | 1 |
Number of Sectors/Size | 4K | Number of Terminals | 63 |
Number of Words | 67108864 words | Number of Words Code | 64000000 |
Operating Mode | ASYNCHRONOUS | Operating Temperature-Max | 85 °C |
Operating Temperature-Min | -40 °C | Organization | 64MX8 |
Package Body Material | PLASTIC/EPOXY | Package Code | TFBGA |
Package Equivalence Code | BGA63,10X12,32 | Package Shape | RECTANGULAR |
Package Style | GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH | Page Size | 512 words |
Parallel/Serial | PARALLEL | Peak Reflow Temperature (Cel) | 260 |
Programming Voltage | 1.8 V | Qualification Status | Not Qualified |
Ready/Busy | YES | Seated Height-Max | 1.05 mm |
Sector Size | 16K | Standby Current-Max | 0.00005 A |
Supply Current-Max | 0.02 mA | Supply Voltage-Max (Vsup) | 1.95 V |
Supply Voltage-Min (Vsup) | 1.7 V | Supply Voltage-Nom (Vsup) | 1.8 V |
Surface Mount | YES | Technology | CMOS |
Temperature Grade | INDUSTRIAL | Terminal Finish | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) |
Terminal Form | BALL | Terminal Pitch | 0.8 mm |
Terminal Position | BOTTOM | Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | 30 |
Toggle Bit | NO | Type | SLC NAND TYPE |
Width | 9 mm |
Versand
Versandart | Versandgebühr | Vorlaufzeit | |
---|---|---|---|
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage | |
FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage | |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage | |
TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage | |
EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage | |
REGISTRIERTE LUFTPOST | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
Bearbeitungszeit: Die Versandkosten hängen von der jeweiligen Zone und dem Land ab.
Zahlung
Zahlungsbedingungen | Handgebühr | |
---|---|---|
Banküberweisung | Bankgebühr in Höhe von 30,00 USD wird berechnet. | |
Paypal | 4,0 % Servicegebühr wird berechnet. | |
Kreditkarte | 3,5 % Servicegebühr wird berechnet. | |
Western Union | charge US.00 banking fee. | |
Geldgramm | Bankgebühr in Höhe von 0,00 USD wird berechnet. |
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Verpackung
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Schritt1 :Produkt
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Schritt2 :Vakuumverpackung
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Schritt3 :Antistatikbeutel
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Schritt4 :Individuelle Verpackung
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Schritt5 :Verpackungskartons
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Schritt6 :Barcode-Versandetikett
Alle Produkte werden in antistatischen Beuteln verpackt. Versand mit ESD-Antistatikschutz.
Auf dem äußeren ESD-Verpackungsetikett werden die Informationen unseres Unternehmens verwendet: Teilenummer, Marke und Menge.
Wir prüfen alle Waren vor dem Versand, stellen sicher, dass sich alle Produkte in gutem Zustand befinden und dass die Teile neu und original sind und mit dem Datenblatt übereinstimmen.
Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.
Teilpunkte
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The NAND512R3A2DZA6E chip is a 512Mb NAND flash memory device that is commonly used in products such as smartphones, tablets, and other electronic devices. It offers high storage capacity with fast read and write speeds, making it ideal for applications that require large amounts of data storage.
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Equivalent
The equivalent products of NAND512R3A2DZA6E chip are MT29F512G08CMCABH5-6IT, K9F5608U0D-J, IS42S16320F-7TLI, and W25N05JVA6. -
Features
NAND512R3A2DZA6E is a NAND flash memory chip with 512Gb capacity, 3.3V voltage, x8 I/O interface, and A6E package. It features high density storage, fast read/write speeds, and high reliability for a variety of storage applications. -
Pinout
The NAND512R3A2DZA6E is a 48-pin NAND flash memory device with a capacity of 512Mb. It is typically used for data storage in electronic devices. The pin functions include data input/output, address input, control signals, and power supply connections. -
Manufacturer
The manufacturer of the NAND512R3A2DZA6E is Micron Technology, Inc. Micron is a multinational corporation specializing in computer memory and data storage technology. They produce a wide range of products including dynamic random-access memory (DRAM), flash memory, and solid-state drives (SSDs) for various applications in the computer and electronics industry. -
Application Field
The NAND512R3A2DZA6E is commonly used in applications such as solid state drives (SSDs), digital cameras, portable media players, and gaming consoles for data storage and memory expansion. Its high capacity of 512 gigabytes and fast data transfer speeds make it suitable for a wide range of consumer electronics devices. -
Package
The NAND512R3A2DZA6E chip is available in a BGA package type with a form factor of 14x18 mm. It has a capacity of 512 Mb (64 MB) with an organization of 4 banks x 16 M x 8 pages x 2048 bytes.
Datenblatt PDF
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