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ST NAND512R3A2DZA6E

FLASH - NAND Memory IC 512Mbit Parallel 50 ns 63-VFBGA (9x11)

ISO14001 ISO9001 DUNS

Marken: STMicroelectronics, Inc

Herstellerteil #: NAND512R3A2DZA6E

Datenblatt: NAND512R3A2DZA6E Datasheet (PDF)

Paket/Gehäuse: BGA-63

Produktart: Speicher

RoHS-Status:

Lagerzustand: 3.065 Stück, Neues Original

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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NAND512R3A2DZA6E Allgemeine Beschreibung

FLASH - NAND Memory IC 512Mbit Parallel 50 ns 63-VFBGA (9x11)

nand512r3a2dza6e

Funktionen

  • It has a storage capacity of 512 megabytes (MB).
  • It uses a NAND flash memory architecture, which allows for fast read and write speeds.
  • It uses a 3.3 volt power supply.
  • It has a small form factor and is surface-mountable.
  • It has a maximum operating temperature range of -40°C to 85°C.

Anwendung

  • S34ML04G200TFI000 from Cypress Semiconductor
  • MT29F512G08CKCABH6-IT from Micron Technology
  • K9GBG08U0M-PCB0 from Samsung Electronics

Spezifikationen

Parameter Wert Parameter Wert
Rohs Code Yes Part Life Cycle Code Obsolete
Ihs Manufacturer MICRON TECHNOLOGY INC Part Package Code BGA
Package Description 9 X 11 MM, 1.05 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, VFBGA-63 Pin Count 63
Reach Compliance Code ECCN Code EAR99
HTS Code 8542.32.00.51 Samacsys Manufacturer Micron
Access Time-Max 15000 ns Command User Interface YES
Data Polling NO JESD-30 Code R-PBGA-B63
JESD-609 Code e1 Length 11 mm
Memory Density 536870912 bit Memory IC Type FLASH
Memory Width 8 Number of Functions 1
Number of Sectors/Size 4K Number of Terminals 63
Number of Words 67108864 words Number of Words Code 64000000
Operating Mode ASYNCHRONOUS Operating Temperature-Max 85 °C
Operating Temperature-Min -40 °C Organization 64MX8
Package Body Material PLASTIC/EPOXY Package Code TFBGA
Package Equivalence Code BGA63,10X12,32 Package Shape RECTANGULAR
Package Style GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH Page Size 512 words
Parallel/Serial PARALLEL Peak Reflow Temperature (Cel) 260
Programming Voltage 1.8 V Qualification Status Not Qualified
Ready/Busy YES Seated Height-Max 1.05 mm
Sector Size 16K Standby Current-Max 0.00005 A
Supply Current-Max 0.02 mA Supply Voltage-Max (Vsup) 1.95 V
Supply Voltage-Min (Vsup) 1.7 V Supply Voltage-Nom (Vsup) 1.8 V
Surface Mount YES Technology CMOS
Temperature Grade INDUSTRIAL Terminal Finish Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
Terminal Form BALL Terminal Pitch 0.8 mm
Terminal Position BOTTOM Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) 30
Toggle Bit NO Type SLC NAND TYPE
Width 9 mm

Versand

Versandart Versandgebühr Vorlaufzeit
DHL DHL $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
Fedex FedEx $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
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Western Union Western Union charge US.00 banking fee.
Geldgramm Geldgramm Bankgebühr in Höhe von 0,00 USD wird berechnet.

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Verpackung

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  • Vakuumverpackung

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  • Antistatikbeutel

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  • Individuelle Verpackung

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  • Verpackungskartons

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  • Barcode-Versandetikett

    Schritt6 :Barcode-Versandetikett

Alle Produkte werden in antistatischen Beuteln verpackt. Versand mit ESD-Antistatikschutz.

Auf dem äußeren ESD-Verpackungsetikett werden die Informationen unseres Unternehmens verwendet: Teilenummer, Marke und Menge.

Wir prüfen alle Waren vor dem Versand, stellen sicher, dass sich alle Produkte in gutem Zustand befinden und dass die Teile neu und original sind und mit dem Datenblatt übereinstimmen.

Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.

  • ESD
  • ESD

Teilpunkte

  • The NAND512R3A2DZA6E chip is a 512Mb NAND flash memory device that is commonly used in products such as smartphones, tablets, and other electronic devices. It offers high storage capacity with fast read and write speeds, making it ideal for applications that require large amounts of data storage.
  • Equivalent

    The equivalent products of NAND512R3A2DZA6E chip are MT29F512G08CMCABH5-6IT, K9F5608U0D-J, IS42S16320F-7TLI, and W25N05JVA6.
  • Features

    NAND512R3A2DZA6E is a NAND flash memory chip with 512Gb capacity, 3.3V voltage, x8 I/O interface, and A6E package. It features high density storage, fast read/write speeds, and high reliability for a variety of storage applications.
  • Pinout

    The NAND512R3A2DZA6E is a 48-pin NAND flash memory device with a capacity of 512Mb. It is typically used for data storage in electronic devices. The pin functions include data input/output, address input, control signals, and power supply connections.
  • Manufacturer

    The manufacturer of the NAND512R3A2DZA6E is Micron Technology, Inc. Micron is a multinational corporation specializing in computer memory and data storage technology. They produce a wide range of products including dynamic random-access memory (DRAM), flash memory, and solid-state drives (SSDs) for various applications in the computer and electronics industry.
  • Application Field

    The NAND512R3A2DZA6E is commonly used in applications such as solid state drives (SSDs), digital cameras, portable media players, and gaming consoles for data storage and memory expansion. Its high capacity of 512 gigabytes and fast data transfer speeds make it suitable for a wide range of consumer electronics devices.
  • Package

    The NAND512R3A2DZA6E chip is available in a BGA package type with a form factor of 14x18 mm. It has a capacity of 512 Mb (64 MB) with an organization of 4 banks x 16 M x 8 pages x 2048 bytes.

Datenblatt PDF

Vorläufige Spezifikation NAND512R3A2DZA6E PDF Herunterladen

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