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$5000ST NAND01GW3B2BN6E
High-speed 1G-bit NAND Flash with 128M x 8 configuration for 3V/3.3V operations in TSOP Tray
Marken: STMicroelectronics, Inc
Herstellerteil #: NAND01GW3B2BN6E
Datenblatt: NAND01GW3B2BN6E Datasheet (PDF)
Paket/Gehäuse: TSOP-48
Produktart: Speicher
RoHS-Status:
Lagerzustand: 2.176 Stück, Neues Original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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NAND01GW3B2BN6E Allgemeine Beschreibung
The NAND01GW3B2BN6E is not only powerful and reliable but also durable. Micron Technology has crafted a NAND flash memory chip that can withstand the rigors of constant use, making it an ideal choice for industrial and commercial applications. Its 3V power supply ensures efficient energy usage, while its high-speed data transfer capabilities make it a valuable asset in any system requiring quick access to information. Trust Micron Technology to deliver cutting-edge technology with the NAND01GW3B2BN6E, a chip that exceeds expectations in performance and longevity
Funktionen
- It is a 1Gb (gigabit) NAND flash memory chip.
- It uses a 3.3V power supply.
- It has a x8 I/O interface.
- It has a page size of 2048 bytes and a block size of 128 pages.
Spezifikationen
| Parameter | Wert | Parameter | Wert |
|---|---|---|---|
| Case/Package | TSOP | Mount | Surface Mount |
| Number of Pins | 48 | Access Time | 25 µs |
| Address Bus Width | 8 b | Density | 1 Gb |
| Interface | Parallel | Max Operating Temperature | 85 °C |
| Max Supply Voltage | 3.6 V | Memory Size | 128 MB |
| Memory Type | FLASH, NAND | Min Operating Temperature | 0 °C |
| Min Supply Voltage | 2.7 V | Nominal Supply Current | 30 mA |
| Sync/Async | Asynchronous | Termination | SMD/SMT |
| Word Size | 8 b |
Versand
| Versandart | Versandgebühr | Vorlaufzeit | |
|---|---|---|---|
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DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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REGISTRIERTE LUFTPOST | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
Bearbeitungszeit: Die Versandkosten hängen von der jeweiligen Zone und dem Land ab.
Zahlung
| Zahlungsbedingungen | Handgebühr | |
|---|---|---|
 |
Banküberweisung | Bankgebühr in Höhe von 30,00 USD wird berechnet. |
 |
Paypal | 4,0 % Servicegebühr wird berechnet. |
 |
Kreditkarte | 3,5 % Servicegebühr wird berechnet. |
 |
Western Union | charge US.00 banking fee. |
 |
Geldgramm | Bankgebühr in Höhe von 0,00 USD wird berechnet. |
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Verpackung
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Schritt1 :Produkt
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Schritt2 :Vakuumverpackung
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Schritt3 :Antistatikbeutel
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Schritt4 :Individuelle Verpackung
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Schritt5 :Verpackungskartons
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Schritt6 :Barcode-Versandetikett
Alle Produkte werden in antistatischen Beuteln verpackt. Versand mit ESD-Antistatikschutz.
Auf dem äußeren ESD-Verpackungsetikett werden die Informationen unseres Unternehmens verwendet: Teilenummer, Marke und Menge.
Wir prüfen alle Waren vor dem Versand, stellen sicher, dass sich alle Produkte in gutem Zustand befinden und dass die Teile neu und original sind und mit dem Datenblatt übereinstimmen.
Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.
Teilpunkte
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The NAND01GW3B2BN6E is a NAND flash memory chip commonly used in electronic devices for data storage. It has a capacity of 1GB and a maximum data transfer rate of 50MB/s. The chip is often found in smartphones, tablets, digital cameras, and other consumer electronics.
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Equivalent
The equivalent products of NAND01GW3B2BN6E chip are NAND02GW3B2BN6E, NAND04GW3B2BN6E, NAND08GW3B2BN6E, NAND16GW3B2BN6E, NAND32GW3B2BN6E, and NAND64GW3B2BN6E. These chips have similar specifications and functionalities, making them suitable replacements for NAND01GW3B2BN6E in various applications. -
Features
NAND01GW3B2BN6E is a 1Gb SLC NAND flash memory device with a parallel interface. It offers high reliability, endurance, and fast read and write speeds for applications requiring high-performance data storage. The device is ideal for use in industrial, automotive, and consumer electronics applications. -
Pinout
The NAND01GW3B2BN6E is a 8-pin NAND flash memory IC. It features a standard pin configuration with functions such as chip enable (CE), write enable (WE), output enable (OE), and data input/output (I/O). This IC is commonly used for data storage applications in various electronic devices. -
Manufacturer
The NAND01GW3B2BN6E is manufactured by Micron Technology, Inc., an American multinational corporation specializing in computer memory and data storage. Micron is one of the leading manufacturers of NAND flash memory products used in various electronic devices such as smartphones, solid-state drives, and digital cameras. -
Application Field
The NAND01GW3B2BN6E is commonly used in applications such as solid-state drives (SSDs), USB flash drives, memory cards, and other storage devices. Its high capacity, fast read/write speeds, and reliable performance make it ideal for storing large amounts of data in a compact and durable package. -
Package
The NAND01GW3B2BN6E chip is in a TSOP-48 package, with a BGA form factor, and a size of 1Gbit.
Datenblatt PDF
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