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$5000ST NAND01GW3B2BN6F
The NAND01GW3B2BN6F is a flash memory component that features 128 megabits organized in an 8-bit configuration and comes in a PDSO48 package."
Marken: Micron Technology
Herstellerteil #: NAND01GW3B2BN6F
Datenblatt: NAND01GW3B2BN6F Datasheet (PDF)
Paket/Gehäuse: TSOP
Produktart: Speicher
RoHS-Status:
Lagerzustand: 2.123 Stück, Neues Original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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NAND01GW3B2BN6F Allgemeine Beschreibung
In a world where data storage is paramount, the NAND01GW3B2BN6F stands out as a reliable and efficient solution for preserving valuable information. Its contribution to the functionality of smartphones, tablets, SSDs, and USB flash drives underscores its significance in enabling seamless data management. As technology continues to advance, products like this NAND flash memory chip pave the way for greater innovation and enhanced performance in electronic devices
Funktionen
- Ultra-high-speed performance
- with high capacity up to 128GB
- Low power consumption and low latency
- Suitable for industrial control, automotive and other applications
Anwendung
- Implementing effective algorithms
- Maximizing NAND performance
- Utilizing simulation for testing
Spezifikationen
| Parameter | Wert | Parameter | Wert |
|---|---|---|---|
| Product Category | NAND Flash | Package / Case | TSOP |
| Memory Size | 1 Gbit | Interface Type | Parallel |
| Organization | 128 M x 8 | Timing Type | Asynchronous |
| Data Bus Width | 8 bit, 16 bit | Supply Voltage - Min | 2.7 V |
| Supply Voltage - Max | 3.6 V | Supply Current - Max | 20 mA |
| Minimum Operating Temperature | - 40 C | Maximum Operating Temperature | + 85 C |
| Active Read Current - Max | 20 mA | Architecture | Sectored |
| Brand | Micron | Memory Type | NAND |
| Product | NAND Flash | Product Type | NAND Flash |
| Speed | 25 ns | Standard | Not Supported |
| Subcategory | Memory & Data Storage |
Versand
| Versandart | Versandgebühr | Vorlaufzeit | |
|---|---|---|---|
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DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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REGISTRIERTE LUFTPOST | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
Bearbeitungszeit: Die Versandkosten hängen von der jeweiligen Zone und dem Land ab.
Zahlung
| Zahlungsbedingungen | Handgebühr | |
|---|---|---|
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Banküberweisung | Bankgebühr in Höhe von 30,00 USD wird berechnet. |
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Paypal | 4,0 % Servicegebühr wird berechnet. |
 |
Kreditkarte | 3,5 % Servicegebühr wird berechnet. |
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Western Union | charge US.00 banking fee. |
 |
Geldgramm | Bankgebühr in Höhe von 0,00 USD wird berechnet. |
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Verpackung
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![Produkt]( "Produkt")
Schritt1 :Produkt
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![Vakuumverpackung]( "Vakuumverpackung")
Schritt2 :Vakuumverpackung
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Schritt3 :Antistatikbeutel
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![Individuelle Verpackung]( "Individuelle Verpackung")
Schritt4 :Individuelle Verpackung
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![Verpackungskartons]( "Verpackungskartons")
Schritt5 :Verpackungskartons
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![Barcode-Versandetikett]( "Barcode-Versandetikett")
Schritt6 :Barcode-Versandetikett
Alle Produkte werden in antistatischen Beuteln verpackt. Versand mit ESD-Antistatikschutz.
Auf dem äußeren ESD-Verpackungsetikett werden die Informationen unseres Unternehmens verwendet: Teilenummer, Marke und Menge.
Wir prüfen alle Waren vor dem Versand, stellen sicher, dass sich alle Produkte in gutem Zustand befinden und dass die Teile neu und original sind und mit dem Datenblatt übereinstimmen.
Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.
Teilpunkte
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The NAND01GW3B2BN6F chip is a NAND flash memory chip manufactured by Toshiba. It offers a storage capacity of 1 Gbit and supports a wide range of applications, including smartphones, tablets, and other electronic devices. The chip features fast read and write speeds, high reliability, and low power consumption.
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Equivalent
Equivalent products of NAND01GW3B2BN6F chip are NAND01GW3B2BN6F, NAND02GW3B2AN6F, and NAND04GW3B2AN6F. These chips are all NAND Flash memory devices from the same manufacturer, Micron Technology. -
Features
NAND01GW3B2BN6F is a 1Gbit (128MB) SLC NAND flash memory from Micron with a voltage range of 1.7-1.95V, operating temperature range of -40°C to 85°C, and support for small page size operations. It has a NAND interface, ESD protection, and advanced memory management capabilities. -
Pinout
The NAND01GW3B2BN6F is a 8-pin NAND Flash memory chip with a capacity of 1 Gbit (128MB). Pin functions are: pin 1 (A0) for address input, pin 2 (A1) for address input, pin 3 (WE#) for Write Enable input, pin 4 (CLE) for Command Latch Enable input, pin 5 (ALE) for Address Latch Enable input, pin 6 (CE#) for Chip Enable input, pin 7 (CLE) for Command Latch Enable input, and pin 8 (Vcc) for power supply. -
Manufacturer
The manufacturer of the NAND01GW3B2BN6F is Micron Technology, Inc. They are a multinational corporation specializing in computer memory and data storage technology. Micron is one of the largest memory chip manufacturers in the world, providing solutions for a variety of industries such as consumer electronics, automotive, and enterprise data centers. -
Application Field
The NAND01GW3B2BN6F is commonly used in applications that require high-density storage solutions, such as SSDs, digital cameras, gaming consoles, and mobile devices. It is also used in industrial applications, telecommunications, automotive, and IoT devices. Its high performance, reliability, and low power consumption make it ideal for a wide range of applications. -
Package
The NAND01GW3B2BN6F chip is in a BGA package type, with a form factor of FBGA-63, and a size of 9.5mm x 12.5mm.
Datenblatt PDF
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