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ST NAND512W3A2BN6E
High-capacity storage for your devices, offering B of reliable data retentio
Marken: STMicroelectronics, Inc
Herstellerteil #: NAND512W3A2BN6E
Datenblatt: NAND512W3A2BN6E Datasheet (PDF)
Paket/Gehäuse: TSOP-1-48
RoHS-Status:
Lagerzustand: 3.817 Stück, Neues Original
Produktart: Speicher
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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*Alle Preise sind in USD
| Menge | Einzelpreis | Ext. Preis |
|---|---|---|
| 1 | $20,633 | $20,633 |
| 200 | $8,233 | $1646,600 |
| 576 | $7,958 | $4583,808 |
| 1152 | $7,822 | $9010,944 |
Auf Lager: 3.817 Stck
NAND512W3A2BN6E Allgemeine Beschreibung
FLASH - NAND Memory IC 512Mbit Parallel 50 ns 48-TSOP
Funktionen
- It has a capacity of 512 megabytes.
- It uses a NAND interface for data transfer.
- It operates with a supply voltage of 2.7V to 3.6V.
- It has a page size of 2KB and a block size of 128 pages.
- It has a maximum data transfer rate of 52 megabytes per second.
Anwendung
- Consumer Electronics: Used in devices such as smartphones, tablets, digital cameras, USB drives, and portable media players for data storage and firmware updates.
- Embedded Systems: Employed in embedded systems for program storage, configuration data, and firmware updates in applications such as industrial automation, automotive, and medical devices.
- Solid-State Drives (SSDs): Utilized as storage components in SSDs, providing high-speed data access and reliable storage for computers and servers.
- Networking Equipment: Found in network routers, switches, and servers for firmware storage and data caching.
- Industrial Control: Used in industrial control systems and automation equipment for program storage and data logging.
- Automotive Electronics: Employed in automotive applications for storing firmware, calibration data, and other non-volatile information.
- Smart Grid Systems: Utilized in energy metering and monitoring systems for data storage and firmware updates.
Spezifikationen
| Parameter | Wert | Parameter | Wert |
|---|---|---|---|
| Product Name | NAND512W3A2BN6E | Manufacturer | Micron Technology |
| Memory Type | NAND Flash | Memory Size | 512 Mbit |
| Organization | 64M x 8 | Interface | Parallel |
| Supply Voltage | 2.7V to 3.6V | Access Time | 200 ns |
| Operating Temperature Range | -40°C to +85°C | Package / Case | TSOP-48 |
| Packaging | Tube |
Versand
| Versandart | Versandgebühr | Vorlaufzeit | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
 |
FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
 |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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REGISTRIERTE LUFTPOST | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
Bearbeitungszeit: Die Versandkosten hängen von der jeweiligen Zone und dem Land ab.
Zahlung
| Zahlungsbedingungen | Handgebühr | |
|---|---|---|
 |
Banküberweisung | Bankgebühr in Höhe von 30,00 USD wird berechnet. |
 |
Paypal | 4,0 % Servicegebühr wird berechnet. |
 |
Kreditkarte | 3,5 % Servicegebühr wird berechnet. |
 |
Western Union | charge US.00 banking fee. |
 |
Geldgramm | Bankgebühr in Höhe von 0,00 USD wird berechnet. |
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Verpackung
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Schritt1 :Produkt
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Schritt2 :Vakuumverpackung
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Schritt3 :Antistatikbeutel
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Schritt5 :Verpackungskartons
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Schritt6 :Barcode-Versandetikett
Alle Produkte werden in antistatischen Beuteln verpackt. Versand mit ESD-Antistatikschutz.
Auf dem äußeren ESD-Verpackungsetikett werden die Informationen unseres Unternehmens verwendet: Teilenummer, Marke und Menge.
Wir prüfen alle Waren vor dem Versand, stellen sicher, dass sich alle Produkte in gutem Zustand befinden und dass die Teile neu und original sind und mit dem Datenblatt übereinstimmen.
Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.
Äquivalente Teile
Für den NAND512W3A2BN6E Komponente, Sie könnten diese Ersatz- und Alternativteile in Betracht ziehen:
Artikelnummer
Marken
Paket
Beschreibung
Artikelnummer : K9K8G08U0A
Marken : Samsung
Paket :
Beschreibung : This is a 512 megabit (64 megabyte) NAND Flash memory device with similar specifications to the NAND512W3A2BN6E. It utilizes SLC NAND technology and is available in various package types.
Artikelnummer : TC58NVG2S0HRAIG
Marken : Toshiba
Paket :
Beschreibung : This is another 512 megabit NAND Flash memory device with comparable features. It is based on SLC NAND technology and is offered in different package options.
Artikelnummer : MX30LF512G18AC
Marken : Macronix
Paket :
Beschreibung : This is a 512 megabit NAND Flash memory device that offers similar storage capacity and SLC NAND technology. It is available in various package types to suit different application requirements.
Teilpunkte
-
The NAND512W3A2BN6E chip is a NAND flash memory chip with a capacity of 512 gigabits. It is commonly used in a variety of electronic devices for data storage, such as smartphones, tablets, and solid-state drives. The chip offers high speed and reliability, making it a popular choice for memory storage applications.
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Equivalent
The equivalent products of NAND512W3A2BN6E chip are Micron MT29F4G08ABADAH4, Winbond W25N05JW, and Cypress S29GL512S10TFI013. These chips have similar specifications like NAND flash memory, 512Mb capacity, an asynchronous interface, and a 48-ball grid array package. -
Features
NAND512W3A2BN6E is a 512Gb 3-bit TLC NAND flash memory with a synchronous interface. It offers low power consumption, high storage capacity, and fast data transfer rates. It is designed for use in solid-state drives, tablets, smartphones, and other storage devices requiring high-performance flash memory. -
Pinout
The NAND512W3A2BN6E is a 32Gb, 3.3V NAND flash memory chip with a 48-pin TSOP package. Its functions include storing data for electronic devices, such as smartphones, tablets, and computers. -
Manufacturer
The manufacturer of the NAND512W3A2BN6E is Samsung. Samsung is a South Korean multinational conglomerate company that specializes in various industries including electronics, telecommunications, and semiconductors. They are one of the world's largest manufacturers of consumer electronics and semiconductor products. -
Application Field
The NAND512W3A2BN6E is commonly used in embedded systems, consumer electronics, automotive applications, and industrial equipment for data storage and code execution. Its low power consumption, high reliability, and fast access times make it ideal for a wide range of applications that require non-volatile memory storage. -
Package
The NAND512W3A2BN6E chip is in a BGA (Ball Grid Array) package type, with a form factor of 14 x 18 mm, and a size of 512 megabits (64 megabytes).
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