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ST NAND02GW3B2DN6E
8-Pin TSOP Tray 3V 2G-Bit 256M x 8 25us
Marken: Micron Technology
Herstellerteil #: NAND02GW3B2DN6E
Datenblatt: NAND02GW3B2DN6E Datasheet (PDF)
Paket/Gehäuse: TSOP
RoHS-Status:
Lagerzustand: 2.451 Stück, Neues Original
Produktart: Speicher
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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*Alle Preise sind in USD
| Menge | Einzelpreis | Ext. Preis |
|---|---|---|
| 1 | $13,515 | $13,515 |
| 200 | $5,394 | $1078,800 |
| 576 | $5,213 | $3002,688 |
| 1152 | $5,124 | $5902,848 |
Auf Lager: 2.451 Stck
NAND02GW3B2DN6E Allgemeine Beschreibung
FLASH - NAND Memory IC 2Gbit Parallel 25 ns 48-TSOP
Funktionen
- Data Transfer Rate up to 166MB/s
- Packed Page Architecture for Efficient Data Access
- Low Power Consumption for Extended Battery Life
Anwendung
- Fast cars
- Modern systems
- Advanced robots
Spezifikationen
| Parameter | Wert | Parameter | Wert |
|---|---|---|---|
| Product Category | NAND Flash | Brand | Micron |
| Product Type | NAND Flash |
Versand
| Versandart | Versandgebühr | Vorlaufzeit | |
|---|---|---|---|
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DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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REGISTRIERTE LUFTPOST | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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Zahlung
| Zahlungsbedingungen | Handgebühr | |
|---|---|---|
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Banküberweisung | Bankgebühr in Höhe von 30,00 USD wird berechnet. |
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Paypal | 4,0 % Servicegebühr wird berechnet. |
 |
Kreditkarte | 3,5 % Servicegebühr wird berechnet. |
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Western Union | charge US.00 banking fee. |
 |
Geldgramm | Bankgebühr in Höhe von 0,00 USD wird berechnet. |
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Verpackung
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![Produkt]( "Produkt")
Schritt1 :Produkt
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![Vakuumverpackung]( "Vakuumverpackung")
Schritt2 :Vakuumverpackung
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![Antistatikbeutel]( "Antistatikbeutel")
Schritt3 :Antistatikbeutel
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![Individuelle Verpackung]( "Individuelle Verpackung")
Schritt4 :Individuelle Verpackung
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![Verpackungskartons]( "Verpackungskartons")
Schritt5 :Verpackungskartons
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![Barcode-Versandetikett]( "Barcode-Versandetikett")
Schritt6 :Barcode-Versandetikett
Alle Produkte werden in antistatischen Beuteln verpackt. Versand mit ESD-Antistatikschutz.
Auf dem äußeren ESD-Verpackungsetikett werden die Informationen unseres Unternehmens verwendet: Teilenummer, Marke und Menge.
Wir prüfen alle Waren vor dem Versand, stellen sicher, dass sich alle Produkte in gutem Zustand befinden und dass die Teile neu und original sind und mit dem Datenblatt übereinstimmen.
Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.
Äquivalente Teile
Für den NAND02GW3B2DN6E Komponente, Sie könnten diese Ersatz- und Alternativteile in Betracht ziehen:
Artikelnummer
Marken
Paket
Beschreibung
Artikelnummer : MT29F2G08ABAEAWP
Marken :
Paket :
Beschreibung :
Artikelnummer : MT29F2G08ABBEAWP
Marken :
Paket :
Beschreibung :
Artikelnummer : MT29F2G08ABCEAWP
Marken :
Paket :
Beschreibung :
Artikelnummer : MT29F2G08ABDEAWP
Marken :
Paket :
Beschreibung :
Artikelnummer : MT29F2G08ABEEAWP
Marken :
Paket :
Beschreibung :
Artikelnummer : MT29F2G08ABFEAWP
Marken :
Paket :
Beschreibung :
Teilpunkte
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The NAND02GW3B2DN6E chip is a NAND flash memory IC that offers a storage capacity of 2Gb. It is commonly used in various electronic devices such as smartphones, tablets, and SSDs for storing data. This chip provides high-speed data transfers, reliable performance, and low power consumption, making it a popular choice for many applications.
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Equivalent
Some equivalent products of the NAND02GW3B2DN6E chip are the TC58NVG0S3EBAI6, MT29F2G16ABAEAWP-IT:B, and IS37SML01G2-XLE0. These chips are similar in terms of their specifications and functions, making them suitable alternatives for various applications requiring NAND flash memory storage. -
Features
NAND02GW3B2DN6E is a 2 Gbit NAND Flash memory that offers fast read and program times, high reliability, and low power consumption. It operates on a supply voltage range of 1.7V to 1.95V and offers a variety of interfaces for easy integration into various applications. -
Pinout
The NAND02GW3B2DN6E is a 8-Gbit die NAND Flash memory with a string protection function. It has a total of 48 pins, with functions including power input, control, data input/output, and ground connections. -
Manufacturer
The NAND02GW3B2DN6E is manufactured by Micron Technology, Inc. Micron is an American multinational corporation specializing in computer memory and data storage technology. They design and produce a wide range of memory products, including DRAM, NAND, and NOR flash memory. Micron is one of the largest memory manufacturers in the world. -
Application Field
The NAND02GW3B2DN6E is commonly used in applications such as data storage, mobile devices, automotive electronics, industrial equipment, and consumer electronics. Its high density and reliability make it well-suited for products that require high-capacity memory storage in a compact form factor. -
Package
The NAND02GW3B2DN6E chip is available in a TSOP-48 package, with a BGA form factor. It has a size of 2Gbit (256M x 8) NAND Flash memory.
Datenblatt PDF
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