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NAND512W3A2SNXE
512M-bit capacity and 64M x 8 parallel interface ensure efficient performance
![ISO14001](/img/about/iso14001.png)
![ISO9001](/img/about/iso9001.png)
![DUNS](/img/about/duns.png)
Marken: Micron Technology Inc.
Herstellerteil #: NAND512W3A2SNXE
Datenblatt: NAND512W3A2SNXE Datenblatt (PDF)
Paket/Gehäuse: 48-TFSOP
RoHS-Status:
Lagerzustand: 7.444 Stück, Neues Original
Produktart: Speicher
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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*Alle Preise sind in USD
Menge | Einzelpreis | Ext. Preis |
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1 | $10,326 | $10,326 |
200 | $4,120 | $824,000 |
576 | $3,983 | $2294,208 |
1152 | $3,915 | $4510,080 |
Auf Lager: 7.444 Stck
NAND512W3A2SNXE Allgemeine Beschreibung
Micron's NAND512W3A2SNXE chip operates at a voltage of 3.3V and features a synchronous interface with a maximum data transfer rate of 400 megabytes per second, offering exceptional performance for data-intensive tasks. Its advanced error correction and wear-leveling algorithms ensure data integrity and longevity, making it a reliable choice for mission-critical applications
Funktionen
- High density NAND Flash memories
- – 512 Mbit memory array
- – Cost effective solutions for mass storage applications
- NAND interface
- – x 8 or x 16 bus width
- – Multiplexed Address/ Data
- Supply voltage: 1.8 V, 3.0 V
- Page size
- – x 8 device: (512 + 16 spare) bytes
- – x 16 device: (256 + 8 spare) words
- Block size
- – x 8 device: (16 K + 512 spare) bytes
- – x 16 device: (8 K + 256 spare) words
- Page Read/Program
- – Random access: 12 µs (3 V)/15 µs (1.8 V) (max)
- – Sequential access: 30 ns (3 V)/50 ns (1.8 V) (min)
- – Page Program time: 200 µs (typ)
- Copy Back Program mode
- Fast Block Erase: 2 ms (typ)
- Status Register
- Electronic signature
- Chip Enable ‘don’t care’
- Serial Number option
- Hardware Data Protection
- – Program/Erase locked during Power transitions
- Data integrity
- – 100,000 Program/Erase cycles (with ECC)
- – 10 years Data Retention
- ECOPACK® packages
- Development tools
- – Error Correction Code models
- – Bad Blocks Management and Wear Leveling algorithms
- – Hardware simulation models
Spezifikationen
Parameter | Wert | Parameter | Wert |
---|---|---|---|
Package | Tray | Product Status | Obsolete |
Programmabe | Not Verified | Memory Type | Non-Volatile |
Memory Format | FLASH | Technology | FLASH - NAND |
Memory Size | 512Mbit | Memory Organization | 64M x 8 |
Memory Interface | Parallel | Write Cycle Time - Word, Page | 50ns |
Access Time | 50 ns | Voltage - Supply | 2.7V ~ 3.6V |
Operating Temperature | -40°C ~ 85°C (TA) | Mounting Type | Surface Mount |
Package / Case | 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) | Supplier Device Package | 48-TSOP I |
Base Product Number | NAND512 |
Versand
Versandart | Versandgebühr | Vorlaufzeit | |
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DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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REGISTRIERTE LUFTPOST | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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Zahlung
Zahlungsbedingungen | Handgebühr | |
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Banküberweisung | Bankgebühr in Höhe von 30,00 USD wird berechnet. |
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Paypal | 4,0 % Servicegebühr wird berechnet. |
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Kreditkarte | 3,5 % Servicegebühr wird berechnet. |
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Western Union | charge US.00 banking fee. |
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Geldgramm | Bankgebühr in Höhe von 0,00 USD wird berechnet. |
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