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$5000NGTB30N120L2WG
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 60A 534W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Marken: onsemi
Herstellerteil #: NGTB30N120L2WG
Datenblatt: NGTB30N120L2WG Datenblatt (PDF)
Paket/Gehäuse: TO-247
RoHS-Status:
Lagerzustand: 6.970 Stück, Neues Original
Produktart: Single IGBTs
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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*Alle Preise sind in USD
Menge | Einzelpreis | Ext. Preis |
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1 | $22,804 | $22,804 |
210 | $9,099 | $1910,790 |
510 | $8,795 | $4485,450 |
990 | $8,645 | $8558,550 |
Auf Lager: 6.970 Stck
NGTB30N120L2WG Allgemeine Beschreibung
This Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) features a robust andcost effective Field Stop II Trench construction, and provides superiorperformance in demanding switching applications, offering both lowon state voltage and minimal switching loss. The IGBT is well suitedfor motor driver applications. Incorporated into the device is a soft andfast co−packaged free wheeling diode with a low forward voltage
Funktionen
- Extremely Efficient Trench with Field Stop Technology
- TJmax = 175°C
- Soft Fast Reverse Recovery Diode
- Optimized for Low VCEsat
- 10 µs Short Circuit Capability
Anwendung
- Motor Drive Inverter
- Industrial Switching
- Welding
Spezifikationen
Parameter | Wert | Parameter | Wert |
---|---|---|---|
Manufacturer | onsemi | Product Category | IGBT Transistors |
RoHS | Details | Technology | Si |
Package / Case | TO-247 | Mounting Style | Through Hole |
Configuration | Single | Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 1.2 kV |
Collector-Emitter Saturation Voltage | 1.7 V | Maximum Gate Emitter Voltage | - 20 V, 20 V |
Continuous Collector Current at 25 C | 60 A | Pd - Power Dissipation | 534 W |
Minimum Operating Temperature | - 55 C | Maximum Operating Temperature | + 175 C |
Series | NGTB30N120L2 | Brand | onsemi |
Gate-Emitter Leakage Current | 200 nA | Product Type | IGBT Transistors |
Factory Pack Quantity | 30 | Subcategory | IGBTs |
Unit Weight | 0.229281 oz |
Versand
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