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$5000P2N2907AG
Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 600 mA 200MHz 625 mW Through Hole TO-92 (TO-226)
Marken: onsemi
Herstellerteil #: P2N2907AG
Datenblatt: P2N2907AG Datenblatt (PDF)
Paket/Gehäuse: TO-92
Produktart: Single Bipolar Transistors
RoHS-Status:
Lagerzustand: 8.810 Stück, Neues Original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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P2N2907AG Allgemeine Beschreibung
Product P2N2907AG is a versatile Bipolar (BJT) Transistor that is designed for various electronic applications. With a PNP polarity, this transistor has a maximum voltage rating of 60V and a continuous collector current of 600mA, making it suitable for low to medium power circuits. The transistor also boasts a high frequency capability of up to 200MHz, allowing for efficient signal amplification and switching
Funktionen
- Precise Temperature Control for Stable Operation
- Fast Startup Time for Quick Response
- Compact Design for Easy Mounting
Spezifikationen
| Parameter | Wert | Parameter | Wert |
|---|---|---|---|
| Manufacturer | onsemi | Product Category | Bipolar Transistors - BJT |
| RoHS | Details | Mounting Style | Through Hole |
| Package / Case | TO-92-3 | Transistor Polarity | PNP |
| Configuration | Single | Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 60 V |
| Collector- Base Voltage VCBO | 60 V | Emitter- Base Voltage VEBO | 5 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage | 1.6 V | Maximum DC Collector Current | 600 mA |
| Pd - Power Dissipation | 625 mW | Gain Bandwidth Product fT | 200 MHz |
| Minimum Operating Temperature | - 55 C | Maximum Operating Temperature | + 150 C |
| Brand | onsemi | Continuous Collector Current | - 600 mA |
| DC Collector/Base Gain hfe Min | 75 | Height | 5.33 mm |
| Length | 5.2 mm | Product Type | BJTs - Bipolar Transistors |
| Factory Pack Quantity | 5000 | Subcategory | Transistors |
| Technology | Si |
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|---|---|---|---|
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