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$5000ST SCT10N120H
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 13A 3-Pin(2+Tab) H2PAK T/R
Marken: STMicroelectronics, Inc
Herstellerteil #: SCT10N120H
Datenblatt: SCT10N120H Datenblatt (PDF)
Paket/Gehäuse: H2PAK-2
Produktart: Single FETs, MOSFETs
RoHS-Status:
Lagerzustand: 2.552 Stück, Neues Original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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SCT10N120H Allgemeine Beschreibung
N-Channel 1200 V 12A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount H2Pak-2
Spezifikationen
| Parameter | Wert | Parameter | Wert |
|---|---|---|---|
| Manufacturer: | STMicroelectronics | Product Category: | MOSFET |
| RoHS: | Details | Technology: | SiC |
| Mounting Style: | SMD/SMT | Package / Case: | H2PAK-2 |
| Transistor Polarity: | N-Channel | Number of Channels: | 1 Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 1.2 kV | Id - Continuous Drain Current: | 12 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 690 mOhms | Vgs - Gate-Source Voltage: | - 10 V, + 25 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.8 V | Qg - Gate Charge: | 22 nC |
| Minimum Operating Temperature: | - 55 C | Maximum Operating Temperature: | + 200 C |
| Pd - Power Dissipation: | 150 W | Channel Mode: | Enhancement |
| Series: | SCT10N120H | Packaging: | MouseReel |
| Brand: | STMicroelectronics | Configuration: | Single |
| Fall Time: | 17 ns | Product Type: | MOSFET |
| Rise Time: | 12 ns | Factory Pack Quantity: | 1000 |
| Subcategory: | MOSFETs | Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 14 ns | Typical Turn-On Delay Time: | 7 ns |
| Unit Weight: | 0.048678 oz |
Versand
| Versandart | Versandgebühr | Vorlaufzeit | |
|---|---|---|---|
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| Zahlungsbedingungen | Handgebühr | |
|---|---|---|
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Geldgramm | Bankgebühr in Höhe von 0,00 USD wird berechnet. |
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Wir prüfen alle Waren vor dem Versand, stellen sicher, dass sich alle Produkte in gutem Zustand befinden und dass die Teile neu und original sind und mit dem Datenblatt übereinstimmen.
Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.
Teilpunkte
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The SCT10N120H chip is a high-voltage power transistor designed for use in various applications such as power supplies, motor control, and lighting. It features a voltage rating of 1200V and can handle currents up to 10A. The chip offers low on-resistance and high switching speed, making it suitable for efficient power conversion.
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Features
The key features of the SCT10N120H are it is a high-voltage power MOSFET (1200V), has a low on-resistance (0.37Ω), and a high switching speed. It is designed for efficient power switching applications and can handle high currents with low power dissipation. -
Pinout
The SCT10N120H is a 4-pin device. It is a N-channel silicon carbide power MOSFET, which is used for high-current switching applications. -
Manufacturer
The manufacturer of the SCT10N120H is STMicroelectronics. STMicroelectronics is a multinational semiconductor company that designs, develops, and manufactures a wide range of semiconductor products, including microcontrollers, sensors, power management devices, and more. They serve various industries, such as automotive, industrial, consumer electronics, and telecommunications. -
Application Field
The SCT10N120H is a power MOSFET transistor primarily used in high voltage applications, such as industrial motor drives, welding equipment, and power supplies. It is designed to handle high currents and voltages, making it suitable for various power electronics applications that require efficient switching and low power loss.
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