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$5000SCT2080KE
1200V 40A Silicon Carbide MOSFET N-Channel TO247
Marken: rohm semiconductor
Herstellerteil #: SCT2080KE
Datenblatt: SCT2080KE Datenblatt (PDF)
Paket/Gehäuse: TO-247
Produktart: Single FETs, MOSFETs
RoHS-Status:
Lagerzustand: 6.083 Stück, Neues Original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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SCT2080KE Allgemeine Beschreibung
The SCT2080KE Power Field-Effect Transistor is a top choice for engineers looking for a reliable and high-performance component for their electronic designs. By utilizing Silicon Carbide technology, this MOSFET offers superior performance compared to traditional silicon-based transistors. Its 1-Element design simplifies circuit integration, while the N-Channel configuration allows for easy control of current flow. The Metal-oxide Semiconductor construction ensures stable and consistent operation over a wide range of temperatures and operating conditions. With a rugged TO-247 package and RoHS compliance, the SCT2080KE is built to last and comply with modern environmental standards
Funktionen
- 1) Low on-resistance
- 2) Fast switching speed
- 3) Fast reverse recovery
- 4) Easy to parallel
- 5) Simple to drive
- 6) Pb-free lead plating ; RoHS compliant
Anwendung
SWITCHINGSpezifikationen
| Parameter | Wert | Parameter | Wert |
|---|---|---|---|
| Product Category | MOSFET | Technology | SiC |
| Mounting Style | Through Hole | Package / Case | TO-247 |
| Transistor Polarity | N-Channel | Number of Channels | 1 Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 1.2 kV | Id - Continuous Drain Current | 40 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 80 mOhms | Vgs - Gate-Source Voltage | - 6 V, + 22 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 1.6 V | Qg - Gate Charge | 106 nC |
| Minimum Operating Temperature | - 55 C | Maximum Operating Temperature | + 175 C |
| Pd - Power Dissipation | 262 W | Channel Mode | Enhancement |
| Series | BM14270MUV-LB | Brand | ROHM Semiconductor |
| Configuration | Single | Fall Time | 22 ns |
| Forward Transconductance - Min | 3.7 S | Product Type | MOSFET |
| Rise Time | 36 ns | Subcategory | MOSFETs |
| Transistor Type | 1 N-Channel | Typical Turn-Off Delay Time | 76 ns |
| Typical Turn-On Delay Time | 35 ns | Part # Aliases | SCT2080KEC |
| Unit Weight | 0.211644 oz |
Versand
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|---|---|---|---|
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