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SCT2H12NZGC11 48HRS

17V operating voltage meets diverse project needs

ISO14001 ISO9001 DUNS

Marken: Rohm Semiconductor

Herstellerteil #: SCT2H12NZGC11

Datenblatt: SCT2H12NZGC11 Datenblatt (PDF)

Paket/Gehäuse: TO-3PFM-3

RoHS-Status:

Lagerzustand: 6.921 Stück, Neues Original

Produktart: Single FETs, MOSFETs

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

Preisgestaltung

*Alle Preise sind in USD

Menge Einzelpreis Ext. Preis
1 $3,725 $3,725
10 $3,555 $35,550
30 $3,454 $103,620
100 $3,352 $335,200
500 $3,305 $1652,500
1000 $3,284 $3284,000

Auf Lager: 6.921 Stck

- +

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SCT2H12NZGC11 Allgemeine Beschreibung

The SCT2H12NZGC11 is a high-performance 1700V 3.7A N-channel SiC power MOSFET designed by ROHM Semiconductor. This Silicon Carbide MOSFET offers superior efficiency and reliability, making it ideal for various power electronics applications. To facilitate the evaluation and testing of the SCT2H12NZGC11, ROHM offers the BD7682FJ-LB-EVK-402 Evaluation Board. This evaluation board features the BD7682FJ-LB AC/DC Converter IC and is designed to accept an input voltage range of AC 400-690V, producing a stable 24V DC output. The board comes with comprehensive documentation, including an Application Note, Presentation Document, and Quick Start Guide to help users get started quickly and efficiently. Additionally, the Evaluation Board User Guide provides detailed instructions on how to properly set up and operate the evaluation board for accurate testing and performance assessment. For those interested in additional evaluation options, ROHM also offers the BD7682FJ-EVK-301 Evaluation Board, which supports input voltages of AC 210-480V and DC 300-900V, generating a 12V DC output. To learn more about these evaluation boards or to inquire about purchasing options, please reach out to our team for assistance

Funktionen

  • Precision voltage regulation for stable operation
  • High-power dissipation for demanding loads
  • Limited current surge during turn-off

Spezifikationen

Parameter Wert Parameter Wert
Product Category MOSFET RoHS Details
REACH Details Technology SiC
Mounting Style Through Hole Package / Case TO-3PFM-3
Transistor Polarity N-Channel Number of Channels 1 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 1.7 kV Id - Continuous Drain Current 3.7 A
Rds On - Drain-Source Resistance 1.15 Ohms Vgs - Gate-Source Voltage - 6 V, + 22 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage 1.6 V Qg - Gate Charge 14 nC
Minimum Operating Temperature - 55 C Maximum Operating Temperature + 175 C
Pd - Power Dissipation 35 W Channel Mode Enhancement
Series SCT2x Brand ROHM Semiconductor
Configuration Single Fall Time 74 ns
Forward Transconductance - Min 0.4 s Product Power MOSFETs
Product Type MOSFET Rise Time 21 ns
Factory Pack Quantity 450 Subcategory MOSFETs
Transistor Type 1 N-Channel Type N-Channel SiC Power MOSFET
Typical Turn-Off Delay Time 35 ns Typical Turn-On Delay Time 16 ns
Part # Aliases SCT2H12NZ

Versand

Versandart Versandgebühr Vorlaufzeit
DHL DHL $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
Fedex FedEx $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
UPS UPS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
TNT TNT $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
EMS EMS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
REGISTRIERTE LUFTPOST REGISTRIERTE LUFTPOST $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage

Bearbeitungszeit: Die Versandkosten hängen von der jeweiligen Zone und dem Land ab.

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Zahlungsbedingungen Handgebühr
Banküberweisung Banküberweisung Bankgebühr in Höhe von 30,00 USD wird berechnet.
Paypal Paypal 4,0 % Servicegebühr wird berechnet.
Kreditkarte Kreditkarte 3,5 % Servicegebühr wird berechnet.
Western Union Western Union charge US.00 banking fee.
Geldgramm Geldgramm Bankgebühr in Höhe von 0,00 USD wird berechnet.

Garantien

1. Die von Ihnen gekauften elektronischen Bauteile enthalten eine 365-tägige Garantie. Wir garantieren die Produktqualität.

2. Wenn einige der Artikel, die Sie erhalten haben, nicht von perfekter Qualität sind, würden wir verantwortungsvoll Ihre Rückerstattung oder Ersatz arrangieren. Die Artikel müssen jedoch in ihrem Originalzustand verbleiben.

Verpackung

  • Produkt

    Schritt1 :Produkt

  • Vakuumverpackung

    Schritt2 :Vakuumverpackung

  • Antistatikbeutel

    Schritt3 :Antistatikbeutel

  • Individuelle Verpackung

    Schritt4 :Individuelle Verpackung

  • Verpackungskartons

    Schritt5 :Verpackungskartons

  • Barcode-Versandetikett

    Schritt6 :Barcode-Versandetikett

Alle Produkte werden in antistatischen Beuteln verpackt. Versand mit ESD-Antistatikschutz.

Auf dem äußeren ESD-Verpackungsetikett werden die Informationen unseres Unternehmens verwendet: Teilenummer, Marke und Menge.

Wir prüfen alle Waren vor dem Versand, stellen sicher, dass sich alle Produkte in gutem Zustand befinden und dass die Teile neu und original sind und mit dem Datenblatt übereinstimmen.

Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.

  • ESD
  • ESD

Teilpunkte

  • The SCT2H12NZGC11 is a high-performance power management integrated circuit (PMIC) designed for use in automotive applications. It features multiple voltage regulators, supervision functions, and diagnostic capabilities to ensure reliable operation in harsh environments. This chip is manufactured by Infineon Technologies, a leading provider of semiconductor solutions for automotive and industrial applications.
  • Equivalent

    The equivalent products of SCT2H12NZGC11 chip are X9SCT2H52NZGC11, SCT2H52NZGC11, and SCT2H102NZGC11. These chips have similar specifications and functionalities, providing customers with a range of options for their specific needs.
  • Features

    SCT2H12NZGC11 is a high voltage silicon carbide Schottky diode designed for use in high-power applications. It has a forward voltage of 1.7V, a maximum continuous forward current of 20A, and a reverse recovery time of 20ns. The diode operates at temperatures up to 175°C and is RoHS compliant.
  • Pinout

    The SCT2H12NZGC11 has a pin count of 11. It is a high-speed switching diode with a forward current of 2A and a reverse voltage of 20V. It is commonly used in applications such as RF and switching circuits.
  • Manufacturer

    SCT2H12NZGC11 is manufactured by Infineon Technologies AG, a German multinational semiconductor manufacturer. Infineon specializes in producing power semiconductors, sensor systems, and microcontrollers for automotive, industrial, and renewable energy applications.
  • Application Field

    SCT2H12NZGC11 is commonly used in industrial automation, robotics, and automotive applications. Its compact size, high precision, and reliability make it suitable for applications requiring accurate position sensing, such as servo motors, encoders, and linear actuators.
  • Package

    The SCT2H12NZGC11 chip is a high-power, high-gain RF transistor in a ceramic package. It has a form factor of a flange-mount and measures 8.1 x 6.1 x 2.3 mm in size.

Wir bieten qualitativ hochwertige Produkte, durchdachten Service und eine Kundendienstgarantie

  • Produkt

    Wir haben reichhaltige Produkte, die Ihre unterschiedlichen Bedürfnisse erfüllen können.

  • quantity

    Die Mindestbestellmenge beginnt bei 1 Stück.

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    Niedrigste internationale Versandgebühr beginnt ab 0,00 USD

  • Garantie

    365 Tage Qualitätsgarantie für alle Produkte

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