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$5000SCTH90N65G2V-7
N-Channel 650 V 90A (Tc) 330W (Tc) Surface Mount H2PAK-7
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Marken: STMicroelectronics
Herstellerteil #: SCTH90N65G2V-7
Datenblatt: SCTH90N65G2V-7 Datenblatt (PDF)
Paket/Gehäuse: H2PAK-7
Produktart: Single FETs, MOSFETs
RoHS-Status:
Lagerzustand: 9.458 Stück, Neues Original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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SCTH90N65G2V-7 Allgemeine Beschreibung
The SCTH90N65G2V-7 is a cutting-edge silicon carbide Power MOSFET that leverages ST’s 2nd generation SiC MOSFET technology to deliver superior performance. With its remarkably low on-resistance per unit area and exceptional switching capabilities, this device is ideal for power electronics applications where efficiency and reliability are paramount. What sets this MOSFET apart is its ability to maintain consistent switching performance regardless of junction temperature, offering engineers a high degree of flexibility in thermal management without sacrificing performance
Funktionen
- Fast and reliable turn-off and turn-on transitions
- Very low electromagnetic interference (EMI)
- Robust and reliable operation in harsh environments
Spezifikationen
Parameter | Wert | Parameter | Wert |
---|---|---|---|
Manufacturer: | STMicroelectronics | Product Category: | MOSFET |
RoHS: | Details | Technology: | SiC |
Mounting Style: | SMD/SMT | Package / Case: | H2PAK-7 |
Transistor Polarity: | N-Channel | Number of Channels: | 1 Channel |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 650 V | Id - Continuous Drain Current: | 90 A |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 26 mOhms | Vgs - Gate-Source Voltage: | - 10 V, + 22 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.9 V | Qg - Gate Charge: | 157 nC |
Minimum Operating Temperature: | - 55 C | Maximum Operating Temperature: | + 175 C |
Pd - Power Dissipation: | 330 W | Channel Mode: | Enhancement |
Series: | SCTH90N | Packaging: | MouseReel |
Brand: | STMicroelectronics | Configuration: | Single |
Fall Time: | 16 ns | Product Type: | MOSFET |
Rise Time: | 38 ns | Factory Pack Quantity: | 1000 |
Subcategory: | MOSFETs | Transistor Type: | 1 N-Channel |
Typical Turn-Off Delay Time: | 58 ns | Typical Turn-On Delay Time: | 26 ns |
Unit Weight: | 0.051147 oz |
Versand
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