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$5000SCTH35N65G2V-7AG
MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 A, 55 mOhm
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Marken: STMicroelectronics
Herstellerteil #: SCTH35N65G2V-7AG
Datenblatt: SCTH35N65G2V-7AG Datenblatt (PDF)
Paket/Gehäuse: H2PAK-7
Produktart: Single FETs, MOSFETs
RoHS-Status:
Lagerzustand: 9.458 Stück, Neues Original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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SCTH35N65G2V-7AG Allgemeine Beschreibung
ST has utilized its advanced and innovative 2nd generation SiC MOSFET technology to create the SCTH35N65G2V-7AG, a silicon carbide Power MOSFET device that offers remarkable performance. With its impressively low on-resistance per unit area and excellent switching capabilities, this device is designed to deliver optimal efficiency and reliability in diverse scenarios. Additionally, its minimal variation of switching loss with junction temperature further enhances its dependability
Funktionen
- Advanced package design for improved thermal performance
- Low ESR and high capacitance to voltage ratio
- Robust and reliable under harsh conditions
Spezifikationen
Parameter | Wert | Parameter | Wert |
---|---|---|---|
Manufacturer: | STMicroelectronics | Product Category: | MOSFET |
RoHS: | Details | Technology: | SiC |
Mounting Style: | SMD/SMT | Package / Case: | H2PAK-7 |
Transistor Polarity: | N-Channel | Number of Channels: | 1 Channel |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 650 V | Id - Continuous Drain Current: | 45 A |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 67 mOhms | Vgs - Gate-Source Voltage: | - 10 V, + 22 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 5 V | Qg - Gate Charge: | 73 nC |
Minimum Operating Temperature: | - 55 C | Maximum Operating Temperature: | + 175 C |
Pd - Power Dissipation: | 208 W | Channel Mode: | Enhancement |
Qualification: | AEC-Q101 | Packaging: | MouseReel |
Brand: | STMicroelectronics | Configuration: | Single |
Fall Time: | 14 ns | Product Type: | MOSFET |
Rise Time: | 9 ns | Factory Pack Quantity: | 1000 |
Subcategory: | MOSFETs | Transistor Type: | 1 N - Channel |
Typical Turn-Off Delay Time: | 35 ns | Typical Turn-On Delay Time: | 16 ns |
Unit Weight: | 0.051147 oz |
Versand
Versandart | Versandgebühr | Vorlaufzeit | |
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DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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Zahlung
Zahlungsbedingungen | Handgebühr | |
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Banküberweisung | Bankgebühr in Höhe von 30,00 USD wird berechnet. |
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Western Union | charge US.00 banking fee. |
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Geldgramm | Bankgebühr in Höhe von 0,00 USD wird berechnet. |
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Verpackung
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Schritt1 :Produkt
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Schritt2 :Vakuumverpackung
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Schritt3 :Antistatikbeutel
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Schritt4 :Individuelle Verpackung
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Schritt5 :Verpackungskartons
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Schritt6 :Barcode-Versandetikett
Alle Produkte werden in antistatischen Beuteln verpackt. Versand mit ESD-Antistatikschutz.
Auf dem äußeren ESD-Verpackungsetikett werden die Informationen unseres Unternehmens verwendet: Teilenummer, Marke und Menge.
Wir prüfen alle Waren vor dem Versand, stellen sicher, dass sich alle Produkte in gutem Zustand befinden und dass die Teile neu und original sind und mit dem Datenblatt übereinstimmen.
Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.
Teilpunkte
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SCTH35N65G2V-7AG is a power MOSFET chip designed for high efficiency and robust performance in various power applications. It features low on-resistance, high current capability, and a compact size. This chip is well-suited for use in power supplies, motor control, and other high-power applications where efficiency and reliability are crucial.
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Equivalent
The equivalent products of SCTH35N65G2V-7AG chip are SCTH35N65G2V-16A, SCTH35N65G2V-7.4A, SCTH10N80G2V-22A, and SCTH10N80G2V-22A. -
Features
1. VDS = 650 V 2. ID = 35 A 3. RDS(on) = 0.2 Ohms 4. High power efficiency 5. Suitable for various industrial and consumer applications 6. Low switching losses 7. RoHS compliant. -
Pinout
The SCTH35N65G2V-7AG is a 7-pin insulated gate bipolar transistor (IGBT) module. It is commonly used for high power applications, such as motor drives and inverters. The functions of the pins include gate, collector, and emitter connections for controlling power flow and switching capabilities. -
Manufacturer
SCTH35N65G2V-7AG is manufactured by STMicroelectronics. STMicroelectronics is a global semiconductor company that designs, manufactures, and markets a range of products used in various applications, including automotive, industrial, and consumer electronics. They are known for their high-performance semiconductor solutions and innovative technology offerings in the industry. -
Application Field
SCTH35N65G2V-7AG is typically used in high-performance power supplies, motor drives, and industrial applications due to its high voltage rating, low on-resistance, and fast switching speed. It is commonly found in electric vehicles, solar inverters, UPS systems, and welding equipment. -
Package
The SCTH35N65G2V-7AG chip is in a TO-247 package type with a tab attached and a form of a single-die. The chip size is 10.4 mm x 15.9 mm x 3.3 mm.
Wir bieten qualitativ hochwertige Produkte, durchdachten Service und eine Kundendienstgarantie
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Wir haben reichhaltige Produkte, die Ihre unterschiedlichen Bedürfnisse erfüllen können.
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Niedrigste internationale Versandgebühr beginnt ab 0,00 USD
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