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$5000ST SCT30N120H
MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 45 A, 90 mOhm
Marken: STMicroelectronics, Inc
Herstellerteil #: SCT30N120H
Datenblatt: SCT30N120H Datenblatt (PDF)
Paket/Gehäuse: H2PAK-2
Produktart: Single FETs, MOSFETs
RoHS-Status:
Lagerzustand: 2.040 Stück, Neues Original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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SCT30N120H Allgemeine Beschreibung
This silicon carbide Power MOSFET is produced exploiting the advanced, innovative properties of wide bandgap materials. This results in unsurpassed on-resistance per unit area and very good switching performance almost independent of temperature. The outstanding thermal properties of the SiC material allow designers to use an industry-standard outline with significantly improved thermal capability. These features render the device perfectly suitable for high-efficiency and high power density applications.
Funktionen
- Very tight variation of on-resistance vs temperature
- Very high operating temperature capability (TJ = 175 °C)
- Very fast and robust intrinsic body diode
- Low capacitance
Spezifikationen
| Parameter | Wert | Parameter | Wert |
|---|---|---|---|
| Pin Count | 3 | Package Category | Other |
| Released Date | Jun 24, 2021 |
Versand
| Versandart | Versandgebühr | Vorlaufzeit | |
|---|---|---|---|
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DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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| Zahlungsbedingungen | Handgebühr | |
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Schritt6 :Barcode-Versandetikett
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Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.
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