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ST SCTWA70N120G2V-4
N-Channel 1200 V 91A (Tc) 547W Through Hole TO-247-4
Marken: STMicroelectronics, Inc
Herstellerteil #: SCTWA70N120G2V-4
Datenblatt: SCTWA70N120G2V-4 Datasheet (PDF)
Paket/Gehäuse: HiP247-4
RoHS-Status:
Lagerzustand: 3.789 Stück, Neues Original
Produktart: Single FETs, MOSFETs
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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| Menge | Einzelpreis | Ext. Preis |
|---|---|---|
| 1 | $20,475 | $20,475 |
| 30 | $19,622 | $588,660 |
Auf Lager: 3.789 Stck
SCTWA70N120G2V-4 Allgemeine Beschreibung
This silicon carbide Power MOSFET device has been developed using ST’s advanced and innovative 2ndgeneration SiC MOSFET technology. The device features remarkably low on-resistance per unit area and very good switching performance. The variation of switching loss is almost independent of junction temperature.
Funktionen
- Very fast and robust intrinsic body diode
- Extremely low gate charge and input capacitance
- Very high operating junction temperature capability (TJ = 200 °C)
- Source sensing pin for increased efficiency
Spezifikationen
| Parameter | Wert | Parameter | Wert |
|---|---|---|---|
| feature-packaging | Tube | feature-rad-hard | |
| feature-pin-count | 4 | feature-supplier-package | HIP-247 |
| feature-standard-package-name1 | feature-cecc-qualified | ||
| feature-esd-protection | feature-escc-qualified | ||
| feature-military | No | feature-aec-qualified | No |
| feature-aec-qualified-number | feature-auto-motive | No | |
| feature-p-pap | No | feature-eccn-code | EAR99 |
| feature-svhc | Yes |
Versand
| Versandart | Versandgebühr | Vorlaufzeit | |
|---|---|---|---|
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Paypal | 4,0 % Servicegebühr wird berechnet. |
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Verpackung
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Schritt6 :Barcode-Versandetikett
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Auf dem äußeren ESD-Verpackungsetikett werden die Informationen unseres Unternehmens verwendet: Teilenummer, Marke und Menge.
Wir prüfen alle Waren vor dem Versand, stellen sicher, dass sich alle Produkte in gutem Zustand befinden und dass die Teile neu und original sind und mit dem Datenblatt übereinstimmen.
Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.
Teilpunkte
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The SCTWA70N120G2V-4 chip is a power mosfet that is designed for high-speed switching applications. it offers low on-state resistance and excellent switching performance, making it suitable for use in a wide range of power electronics applications. the chip features advanced technology and a compact package, making it a reliable and efficient choice for various electronic systems.
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Features
The main features of the SCTWA70N120G2V-4 are: 1. silicon carbide power mosfet. 2. high blocking voltage of 1200v. 3. low on-resistance for efficient power handling. 4. suitable for high-frequency and high-temperature applications. 5. enhanced gate oxide for improved ruggedness. 6. low gate charge for fast switching and reduced power losses. -
Pinout
The SCTWA70N120G2V-4 is a power mosfet with a to-247 package. it has 3 pins: gate, drain, and source. the gate pin controls the flow of current between the drain and source, making it suitable for power switching applications. -
Manufacturer
The manufacturer of the SCTWA70N120G2V-4 is infineon technologies ag. infineon is a german semiconductor manufacturer that specializes in producing integrated circuits and system solutions for various industries, including automotive, industrial, and power electronics. -
Application Field
The SCTWA70N120G2V-4 is a silicon carbide power mosfet that can be used in various applications, including high-power converters, motor drives, solar inverters, and electric vehicles. it offers low on-resistance and high switching capability, making it suitable for high-performance and efficiency requirements in these fields. -
Package
The SCTWA70N120G2V-4 chip is available in a to-247 package type with a 3-pin form and a size of approximately 21.34mm x 15.49mm.
Datenblatt PDF
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Overall satisfied with the purchase, but some of the components were not exactly what we were expecting.