Bilder dienen nur zur Referenz. Siehe Produktspezifikationen.
Bestellungen über
$5000
vishay SI2307BDS-T1-E3
SI2307BDS-T1-E3 is a ROHS-compliant MOSFET suitable for a variety of electronic applications
Marken: Vishay
Herstellerteil #: SI2307BDS-T1-E3
Datenblatt: SI2307BDS-T1-E3 Datenblatt (PDF)
Paket/Gehäuse: SOT-23-3
RoHS-Status:
Lagerzustand: 3.662 Stück, Neues Original
Produktart: Single FETs, MOSFETs
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
0
1
*Alle Preise sind in USD
| Menge | Einzelpreis | Ext. Preis |
|---|---|---|
| 1 | $0,361 | $0,361 |
| 10 | $0,287 | $2,870 |
| 30 | $0,256 | $7,680 |
| 100 | $0,218 | $21,800 |
| 500 | $0,199 | $99,500 |
| 1000 | $0,190 | $190,000 |
Auf Lager: 3.662 Stck
SI2307BDS-T1-E3 Allgemeine Beschreibung
Vishay SI2307BDS-T1-E3 is a high-quality component that meets industry standards for performance and reliability. This P Channel Mosfet is available in a full reel for convenient handling and storage. While it is not RoHS compliant, it offers exceptional functionality for applications where RoHS compliance is not a strict requirement
Funktionen
- Advanced Packaging Innovation
- High-Performance Electronics
- Rapid Prototyping Capability
- Reliable Manufacturing Process
Anwendung
- Solar power systems
- Telecommunications devices
- Home automation technology
Spezifikationen
| Parameter | Wert | Parameter | Wert |
|---|---|---|---|
| Product Category | MOSFET | RoHS | Details |
| Technology | Si | Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | SOT-23-3 | Transistor Polarity | P-Channel |
| Number of Channels | 1 Channel | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 30 V |
| Id - Continuous Drain Current | 2.5 A | Rds On - Drain-Source Resistance | 78 mOhms |
| Vgs - Gate-Source Voltage | - 20 V, + 20 V | Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 3 V |
| Qg - Gate Charge | 9 nC | Minimum Operating Temperature | - 55 C |
| Maximum Operating Temperature | + 150 C | Pd - Power Dissipation | 750 mW |
| Channel Mode | Enhancement | Tradename | TrenchFET |
| Series | SI2 | Brand | Vishay Semiconductors |
| Configuration | Single | Fall Time | 14 ns |
| Height | 1.45 mm | Length | 2.9 mm |
| Product Type | MOSFET | Rise Time | 12 ns |
| Factory Pack Quantity | 3000 | Subcategory | MOSFETs |
| Transistor Type | 1 P-Channel | Typical Turn-Off Delay Time | 25 ns |
| Typical Turn-On Delay Time | 9 ns | Width | 1.6 mm |
| Part # Aliases | SI2307BDS-T1-BE3 SI2307BDS-E3 |
Versand
| Versandart | Versandgebühr | Vorlaufzeit | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
 |
FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
 |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
 |
TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
 |
EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
 |
REGISTRIERTE LUFTPOST | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
Bearbeitungszeit: Die Versandkosten hängen von der jeweiligen Zone und dem Land ab.
Zahlung
| Zahlungsbedingungen | Handgebühr | |
|---|---|---|
 |
Banküberweisung | Bankgebühr in Höhe von 30,00 USD wird berechnet. |
 |
Paypal | 4,0 % Servicegebühr wird berechnet. |
 |
Kreditkarte | 3,5 % Servicegebühr wird berechnet. |
 |
Western Union | charge US.00 banking fee. |
 |
Geldgramm | Bankgebühr in Höhe von 0,00 USD wird berechnet. |
Garantien
1. Die von Ihnen gekauften elektronischen Bauteile enthalten eine 365-tägige Garantie. Wir garantieren die Produktqualität.
2. Wenn einige der Artikel, die Sie erhalten haben, nicht von perfekter Qualität sind, würden wir verantwortungsvoll Ihre Rückerstattung oder Ersatz arrangieren. Die Artikel müssen jedoch in ihrem Originalzustand verbleiben.
Verpackung
-
![Produkt]( "Produkt")
Schritt1 :Produkt
-
![Vakuumverpackung]( "Vakuumverpackung")
Schritt2 :Vakuumverpackung
-
![Antistatikbeutel]( "Antistatikbeutel")
Schritt3 :Antistatikbeutel
-
![Individuelle Verpackung]( "Individuelle Verpackung")
Schritt4 :Individuelle Verpackung
-
![Verpackungskartons]( "Verpackungskartons")
Schritt5 :Verpackungskartons
-
![Barcode-Versandetikett]( "Barcode-Versandetikett")
Schritt6 :Barcode-Versandetikett
Alle Produkte werden in antistatischen Beuteln verpackt. Versand mit ESD-Antistatikschutz.
Auf dem äußeren ESD-Verpackungsetikett werden die Informationen unseres Unternehmens verwendet: Teilenummer, Marke und Menge.
Wir prüfen alle Waren vor dem Versand, stellen sicher, dass sich alle Produkte in gutem Zustand befinden und dass die Teile neu und original sind und mit dem Datenblatt übereinstimmen.
Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.
Teilpunkte
-
SI2307BDS-T1-E3 is a P-channel MOSFET designed for low voltage applications. It features a low on-resistance of 1.9 ohms and a maximum drain-source voltage of -20V. The chip is suitable for battery protection circuits, load switching, and power management systems.
-
Equivalent
The equivalent products of SI2307BDS-T1-E3 chip are SI2307EDS-T1-E3, SI2307CDS-T1-E3, SI2307BDS-T1-E3, SI2307ADS-T1-E3, and SI2307DST1GE3. These chips are all N-channel MOSFET transistors with similar specifications and performance characteristics. -
Features
The SI2307BDS-T1-E3 is a dual N-channel MOSFET with a voltage rating of 20V and a continuous drain current of 2.3A. It features a low on-resistance, fast switching speed, and low gate threshold voltage. This MOSFET is suitable for applications such as power management, load switching, and DC-DC conversion. -
Pinout
The SI2307BDS-T1-E3 is a dual N-channel MOSFET transistor with a pin count of 6. Pin 1 is the gate of the first channel, pin 2 is the source of the first channel, pin 3 is the drain of the first channel, pin 4 is the drain of the second channel, pin 5 is the source of the second channel, and pin 6 is the gate of the second channel. -
Manufacturer
Vishay is the manufacturer of the SI2307BDS-T1-E3. Vishay is a global company that specializes in manufacturing a wide range of electronic components, including semiconductors, resistors, capacitors, and inductors. They provide components for a variety of industries, such as automotive, consumer electronics, and telecommunications. -
Application Field
The SI2307BDS-T1-E3 is a P-channel MOSFET transistor commonly used in power management applications such as battery charging, voltage regulation, and motor control. It can also be used in load switch circuits, LED lighting, and DC-DC converters due to its low on-resistance and high current capability. -
Package
The SI2307BDS-T1-E3 chip is in a Surface Mount package type with a Dual N-Channel configuration. It comes in a form factor of 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) and has a size of 5mm x 4.7mm.
Wir bieten qualitativ hochwertige Produkte, durchdachten Service und eine Kundendienstgarantie
-
![Produkt]( "Produkt")
Wir haben reichhaltige Produkte, die Ihre unterschiedlichen Bedürfnisse erfüllen können.
-
![quantity]( "quantity")
Die Mindestbestellmenge beginnt bei 1 Stück.
-
![shipping]( "shipping")
Niedrigste internationale Versandgebühr beginnt ab 0,00 USD
-
![Garantie]( "Garantie")
365 Tage Qualitätsgarantie für alle Produkte
