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$5000vishay SI2312BDS-T1-E3
Single N-Channel Surface Mount Power Mosfet with 20V voltage rating and 0.031 Ohms resistance
Marken: vishay
Herstellerteil #: SI2312BDS-T1-E3
Datenblatt: SI2312BDS-T1-E3 Datenblatt (PDF)
Paket/Gehäuse: SOT-23
Produktart: Single FETs, MOSFETs
RoHS-Status:
Lagerzustand: 1.783 Stück, Neues Original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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SI2312BDS-T1-E3 Allgemeine Beschreibung
The SI2312BDS-T1-E3 MOSFET is a versatile N-channel transistor designed for high-performance power management applications. With a continuous drain current of 3.9A and a drain-source voltage of 20V, this MOSFET provides reliable and efficient operation in various circuit configurations. Its low on-resistance of 47mOhm and threshold voltage of 850mV make it ideal for high-frequency switching tasks, while the SOT-23 package with 3 pins allows for easy integration into compact designs. The maximum power dissipation of 750µW and pulse current of 15A ensure stable performance under challenging conditions, while the SMD marking "M2" enhances its ease of use. Whether used in consumer electronics, automotive systems, or industrial machinery, the SI2312BDS-T1-E3 MOSFET delivers consistent and reliable performance. Engineers and designers can rely on this MOSFET to optimize their circuitry for efficiency and effectiveness, making it a valuable component for a wide range of electronic applications
Spezifikationen
| Parameter | Wert | Parameter | Wert |
|---|---|---|---|
| Product Category | MOSFET | RoHS | Details |
| Technology | Si | Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | SOT-23-3 | Transistor Polarity | N-Channel |
| Number of Channels | 1 Channel | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 20 V |
| Id - Continuous Drain Current | 5 A | Rds On - Drain-Source Resistance | 31 mOhms |
| Vgs - Gate-Source Voltage | - 8 V, + 8 V | Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 450 mV |
| Qg - Gate Charge | 12 nC | Minimum Operating Temperature | - 55 C |
| Maximum Operating Temperature | + 150 C | Pd - Power Dissipation | 1.25 W |
| Channel Mode | Enhancement | Tradename | TrenchFET |
| Series | SI2 | Brand | Vishay Semiconductors |
| Configuration | Single | Fall Time | 10 ns |
| Forward Transconductance - Min | 30 S | Height | 1.45 mm |
| Length | 2.9 mm | Product Type | MOSFET |
| Rise Time | 30 ns | Factory Pack Quantity | 3000 |
| Subcategory | MOSFETs | Transistor Type | 1 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time | 35 ns | Typical Turn-On Delay Time | 9 ns |
| Width | 1.6 mm | Part # Aliases | SI2312BDS-T1-BE3 SI2312BDS-E3 |
| Unit Weight | 0.000282 oz |
Versand
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|---|---|---|---|
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Teilpunkte
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The SI2312BDS-T1-E3 is a chip commonly used in electronic devices for voltage regulation and power management. It is designed to provide efficient switching capabilities, allowing for better control and regulation of electrical power. The chip is compact in size, making it ideal for applications where space is limited.
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Features
The features of SI2312BDS-T1-E3 include a low on-resistance, high current handling capability, and low gate threshold voltage. It is a P-channel MOSFET transistor in a SOT-23 package with a voltage rating of -20V. -
Pinout
The SI2312BDS-T1-E3 is a MOSFET transistor with a 3-pin configuration. Pin count and function are as follows: Pin 1 = Gate (G), Pin 2 = Source (S), and Pin 3 = Drain (D). -
Manufacturer
The manufacturer of the SI2312BDS-T1-E3 is Vishay Siliconix. Vishay Siliconix is a semiconductor company that specializes in manufacturing and supplying power management devices, microcontrollers, discrete semiconductors, and passive electronic components. -
Application Field
The SI2312BDS-T1-E3 is a small signal N-channel MOSFET transistor. It is commonly used in applications such as power management, voltage regulation, and signal amplification in electronic devices such as mobile phones, laptops, and audio systems. -
Package
The SI2312BDS-T1-E3 chip has a SOT-23 package type, with three pins. Its dimensions are approximately 2.9mm x 1.3mm x 1.0mm.
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