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vishay SI2312CDS-T1-GE3
Single N-Channel 20 V 31.8 mO 8.8 nC Surface Mount Mosfet - SOT-23
Marken: VISHAY
Herstellerteil #: SI2312CDS-T1-GE3
Datenblatt: SI2312CDS-T1-GE3 Datenblatt (PDF)
Paket/Gehäuse: SOT-23
RoHS-Status:
Lagerzustand: 6.000 Stück, Neues Original
Produktart: Single FETs, MOSFETs
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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| Menge | Einzelpreis | Ext. Preis |
|---|---|---|
| 5 | $0,184 | $0,920 |
| 50 | $0,163 | $8,150 |
| 150 | $0,153 | $22,950 |
| 500 | $0,142 | $71,000 |
| 3000 | $0,117 | $351,000 |
| 6000 | $0,113 | $678,000 |
Auf Lager: 6.000 Stck
SI2312CDS-T1-GE3 Allgemeine Beschreibung
Operating within a wide temperature range of -55°C to +150°C, the SI2312CDS-T1-GE3 MOSFET offers reliability in harsh environmental conditions. Its compact SOT-23 package with 3 pins makes it easy to integrate into circuit designs. With a maximum gate-source voltage of 8V, this N-channel MOSFET ensures stable and reliable operation in various applications
Funktionen
Spezifikationen
| Parameter | Wert | Parameter | Wert |
|---|---|---|---|
| Product Category | MOSFET | RoHS | Details |
| Technology | Si | Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | SOT-23-3 | Transistor Polarity | N-Channel |
| Number of Channels | 1 Channel | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 20 V |
| Id - Continuous Drain Current | 6 A | Rds On - Drain-Source Resistance | 31.8 mOhms |
| Vgs - Gate-Source Voltage | - 8 V, + 8 V | Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 1 V |
| Qg - Gate Charge | 8.8 nC | Minimum Operating Temperature | - 55 C |
| Maximum Operating Temperature | + 150 C | Pd - Power Dissipation | 2.1 W |
| Channel Mode | Enhancement | Tradename | TrenchFET |
| Series | SI2 | Brand | Vishay Semiconductors |
| Configuration | Single | Fall Time | 8 ns |
| Height | 1.45 mm | Length | 2.9 mm |
| Product Type | MOSFET | Rise Time | 17 ns |
| Factory Pack Quantity | 3000 | Subcategory | MOSFETs |
| Transistor Type | 1 N-Channel | Typical Turn-Off Delay Time | 31 ns |
| Typical Turn-On Delay Time | 8 ns | Width | 1.6 mm |
| Part # Aliases | SI2312CDS-T1-BE3 SI2312CDS-GE3 SI7621DN-T1-GE3 |
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Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.
Teilpunkte
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The SI2312CDS-T1-GE3 chip is a component used in electronic devices for switching applications. It is a P-Channel MOSFET transistor designed for low voltage applications. This chip offers low on-resistance and fast switching speeds, making it suitable for power management tasks. It is commonly used in various consumer electronics, such as smartphones, tablets, and portable devices, to control the flow of electrical currents.
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Equivalent
The equivalent products of SI2312CDS-T1-GE3 chip include SI2312CDS-T1-GE4, SI2312CDS-T1-GE3R, and SI2312CDS-T1-GE3R2. -
Features
The SI2312CDS-T1-GE3 is a dual N-channel MOSFET transistor. It has a low on-resistance, high power and current handling capability, and is suitable for use in various applications such as power management, battery protection, and DC-DC converters. -
Pinout
SI2312CDS-T1-GE3 is a dual N-channel MOSFET. It has a pin count of 6. The pin configuration is as follows: Pin 1, Gate 1; Pin 2, Source 1; Pin 3, Drain 1; Pin 4, Source 2; Pin 5, Drain 2; Pin 6, Gate 2. The dual MOSFET is commonly used for power control applications. -
Manufacturer
The manufacturer of SI2312CDS-T1-GE3 is Vishay Siliconix. It is a company that specializes in developing and manufacturing a wide range of semiconductor devices and electronic components. -
Application Field
The SI2312CDS-T1-GE3 is a MOSFET transistor commonly used in various applications including power management, motor control, switch-mode power supplies, and electronic circuits requiring low voltage and high power efficiency. It is designed for use in a wide range of industries such as automotive, telecommunications, consumer electronics, and industrial automation. -
Package
The SI2312CDS-T1-GE3 chip is packaged in SOT-23 form factor. Its package size is compact and measures approximately 3mm x 1.4mm x 1.1mm.
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