Diese Website verwendet Cookies. Durch die Nutzung dieser Website stimmen Sie der Verwendung von Cookies zu. Für weitere Informationen werfen Sie bitte einen Blick auf unsere Datenschutzrichtlinie.

Bestellungen über

$5000
erhalten $50 einen Rabatt !

vishay SI2318CDS-T1-GE3

SOT-23-3 Packaged N-Channel MOSFET with 40 Volts Drain-to-Source Voltage and 0.042 Ohms On-Resistance

ISO14001 ISO9001 DUNS

Marken: Vishay

Herstellerteil #: SI2318CDS-T1-GE3

Datenblatt: SI2318CDS-T1-GE3 Datenblatt (PDF)

Paket/Gehäuse: SOT-23-3

Produktart: Single FETs, MOSFETs

RoHS-Status:

Lagerzustand: 9.458 Stück, Neues Original

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

Schnelle Anfrage

Bitte senden Sie eine Anfrage für SI2318CDS-T1-GE3 oder senden Sie uns eine E-Mail: E-Mail: [email protected], Wir werden Sie innerhalb von 12 Stunden kontaktieren.

SI2318CDS-T1-GE3 Allgemeine Beschreibung

The SI2318CDS-T1-GE3 is a top-notch P-channel MOSFET transistor perfect for a wide range of applications. With a robust maximum drain-source voltage of -20V and a continuous drain current of -4.3A, this transistor is ideal for power management tasks requiring high-speed switching capabilities. Its ultra-low on-resistance of 53mΩ at a VGS of -4.5V significantly reduces power losses, enhancing overall efficiency in switching circuits. Moreover, the SI2318CDS-T1-GE3 boasts a minimal gate charge of 10nC, facilitating quick switching speeds for optimized performance

Funktionen

  • Durable construction
  • Low power consumption
  • Long lifespan reliability
  • Easy installation

Anwendung

  • Power control applications
  • Voltage regulation circuit
  • Compact power management

Spezifikationen

Parameter Wert Parameter Wert
Product Category MOSFET RoHS Details
Technology Si Mounting Style SMD/SMT
Package / Case SOT-23-3 Transistor Polarity N-Channel
Number of Channels 1 Channel Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 40 V
Id - Continuous Drain Current 5.6 A Rds On - Drain-Source Resistance 42 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage - 20 V, + 20 V Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage 2.5 V
Qg - Gate Charge 2.9 nC Minimum Operating Temperature - 55 C
Maximum Operating Temperature + 150 C Pd - Power Dissipation 2.1 W
Channel Mode Enhancement Tradename TrenchFET
Series SI2 Brand Vishay Semiconductors
Configuration Single Fall Time 8 ns
Product Type MOSFET Rise Time 20 ns
Factory Pack Quantity 3000 Subcategory MOSFETs
Transistor Type 1 N-Channel Typical Turn-Off Delay Time 14 ns
Typical Turn-On Delay Time 7 ns Part # Aliases SI2318CDS-T1-BE3 SI2318CDS-GE3
Unit Weight 0.000282 oz

Versand

Versandart Versandgebühr Vorlaufzeit
DHL DHL $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
Fedex FedEx $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
UPS UPS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
TNT TNT $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
EMS EMS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
REGISTRIERTE LUFTPOST REGISTRIERTE LUFTPOST $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage

Bearbeitungszeit: Die Versandkosten hängen von der jeweiligen Zone und dem Land ab.

Zahlung

Zahlungsbedingungen Handgebühr
Banküberweisung Banküberweisung Bankgebühr in Höhe von 30,00 USD wird berechnet.
Paypal Paypal 4,0 % Servicegebühr wird berechnet.
Kreditkarte Kreditkarte 3,5 % Servicegebühr wird berechnet.
Western Union Western Union charge US.00 banking fee.
Geldgramm Geldgramm Bankgebühr in Höhe von 0,00 USD wird berechnet.

Garantien

1. Die von Ihnen gekauften elektronischen Bauteile enthalten eine 365-tägige Garantie. Wir garantieren die Produktqualität.

2. Wenn einige der Artikel, die Sie erhalten haben, nicht von perfekter Qualität sind, würden wir verantwortungsvoll Ihre Rückerstattung oder Ersatz arrangieren. Die Artikel müssen jedoch in ihrem Originalzustand verbleiben.

Verpackung

  • Produkt

    Schritt1 :Produkt

  • Vakuumverpackung

    Schritt2 :Vakuumverpackung

  • Antistatikbeutel

    Schritt3 :Antistatikbeutel

  • Individuelle Verpackung

    Schritt4 :Individuelle Verpackung

  • Verpackungskartons

    Schritt5 :Verpackungskartons

  • Barcode-Versandetikett

    Schritt6 :Barcode-Versandetikett

Alle Produkte werden in antistatischen Beuteln verpackt. Versand mit ESD-Antistatikschutz.

Auf dem äußeren ESD-Verpackungsetikett werden die Informationen unseres Unternehmens verwendet: Teilenummer, Marke und Menge.

Wir prüfen alle Waren vor dem Versand, stellen sicher, dass sich alle Produkte in gutem Zustand befinden und dass die Teile neu und original sind und mit dem Datenblatt übereinstimmen.

Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.

  • ESD
  • ESD

Teilpunkte

  • SI2318CDS-T1-GE3 is a power MOSFET chip manufactured by Vishay. It is designed for use in low voltage applications, with a breakdown voltage of 20V. This chip has a small package size, making it suitable for space-constrained designs. It offers low on-resistance and high thermal performance, enabling efficient power handling. Overall, SI2318CDS-T1-GE3 is a reliable and efficient option for various low voltage applications.
  • Equivalent

    Equivalent products to the SI2318CDS-T1-GE3 chip include SI2318CDS-T1-E3, SI2319CDS-T1-GE3, and SI2319CDS-T1-E3.
  • Features

    The features of SI2318CDS-T1-GE3 include a voltage rating of 20V, a continuous drain current of 2.1A, low on-resistance of 55mΩ, and a gate threshold voltage of 1V to 2.5V. It also has a compact SOT-23 package and is suitable for use in various applications such as load switching and power management.
  • Pinout

    The SI2318CDS-T1-GE3 is a 3-pin MOSFET transistor. It has a pin count of 3, with a gate, drain, and source pin. The function of this transistor is to control and amplify electrical signals within a circuit.
  • Manufacturer

    The manufacturer of the SI2318CDS-T1-GE3 is Vishay Siliconix. It is a semiconductor company that produces a wide range of power MOSFETs, diodes, and optoelectronic components for various industries, including automotive, telecommunications, consumer electronics, and industrial applications.
  • Application Field

    The SI2318CDS-T1-GE3 is a small signal MOSFET transistor that can be used in various applications such as low voltage switching, audio amplification, and power management circuits.
  • Package

    The SI2318CDS-T1-GE3 chip from Vishay Siliconix has a package type of SOT-23, a form of Surface Mount, and has a size of 2.9mm x 1.3mm.

Wir bieten qualitativ hochwertige Produkte, durchdachten Service und eine Kundendienstgarantie

  • Produkt

    Wir haben reichhaltige Produkte, die Ihre unterschiedlichen Bedürfnisse erfüllen können.

  • quantity

    Die Mindestbestellmenge beginnt bei 1 Stück.

  • shipping

    Niedrigste internationale Versandgebühr beginnt ab 0,00 USD

  • Garantie

    365 Tage Qualitätsgarantie für alle Produkte

Bewertungen und Rezensionen

Bewertungen
Bitte bewerten Sie das Produkt!
Bitte geben Sie einen Kommentar ein

Bitte geben Sie Kommentare ab, nachdem Sie sich in Ihrem Konto angemeldet haben.

Einreichen

Empfehlen