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vishay SI2319DS-T1-E3

Operating temperature range of -55 to +150 degrees Celsius

ISO14001 ISO9001 DUNS

Marken: Vishay

Herstellerteil #: SI2319DS-T1-E3

Datenblatt: SI2319DS-T1-E3 Datenblatt (PDF)

Paket/Gehäuse: SOT-23-3

Produktart: Single FETs, MOSFETs

RoHS-Status:

Lagerzustand: 9.458 Stück, Neues Original

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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SI2319DS-T1-E3 Allgemeine Beschreibung

The Vishay SI2319DS-T1-E3 P Channel Mosfet is a reliable semiconductor device with excellent electrical characteristics. Its P Channel configuration makes it suitable for specific circuit requirements where this type of transistor is necessary. The 40V drain source voltage (Vds) rating provides a safety margin for voltage spikes and transients in the system. With a continuous drain current (Id) rating of 3A, this MOSFET can handle moderate power levels without compromise. The surface mount transistor mounting style simplifies the manufacturing process and improves overall system reliability. The Rds(On) test voltage of 4.5V ensures low on-resistance for efficient power management. The gate source threshold voltage max of 3V guarantees stable and predictable switching behavior. While not RoHS compliant, the Vishay SI2319DS-T1-E3 remains a go-to choice for electronic designers looking for performance and reliability

Funktionen

Features:
  • Halogen-Free Option Available
  • Low-Side Switching
  • Low On-Resistance: 5 Ω
  • Low Threshold: 0.9 V (Typ.)
  • Fast Switching Speed: 35 ns (Typ.)
  • TrenchFET® Power MOSFETs: 1.5 V Rated
  • ESD Protected: 2000 VApplications:
  • Drivers: Relays, Solenoids, Lamps, Hammers, Displays, Memories
  • Battery Operated Systems
  • Power Supply Converter Circuits
  • Load/Power Switching Cell Phones, Pagers

    • Spezifikationen

    Parameter Wert Parameter Wert
    Product Category MOSFET RoHS Details
    Technology Si Mounting Style SMD/SMT
    Package / Case SOT-23-3 Transistor Polarity P-Channel
    Number of Channels 1 Channel Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 40 V
    Id - Continuous Drain Current 3 A Rds On - Drain-Source Resistance 82 mOhms
    Vgs - Gate-Source Voltage - 20 V, + 20 V Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage 1 V
    Qg - Gate Charge 17 nC Minimum Operating Temperature - 55 C
    Maximum Operating Temperature + 150 C Pd - Power Dissipation 1.25 W
    Channel Mode Enhancement Tradename TrenchFET
    Series SI2 Brand Vishay Semiconductors
    Configuration Single Fall Time 25 ns
    Forward Transconductance - Min 7 S Height 1.45 mm
    Length 2.9 mm Product Type MOSFET
    Rise Time 15 ns Factory Pack Quantity 3000
    Subcategory MOSFETs Transistor Type 1 P-Channel
    Typical Turn-Off Delay Time 25 ns Typical Turn-On Delay Time 7 ns
    Width 1.6 mm Part # Aliases SI2319DS-T1-BE3 SI2319DS-E3
    Unit Weight 0.000282 oz

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    • ESD
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    Teilpunkte

    • The SI2319DS-T1-E3 is a dual N-channel MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) chip that is commonly used in high frequency switching applications. This chip has a low gate capacitance and low on-resistance, making it ideal for use in DC-DC converters, voltage regulators, and switching power supplies. It features a compact surface mount package and can operate at high temperatures, making it suitable for use in a wide range of industrial and automotive applications.

    • Equivalent

      Equivalent products to SI2319DS-T1-E3 chip include SI2319DS-T1-GE3, SI2319DS-T1-RE3, and SI2319DS-T1-WE3. These are variations with different packaging or specifications but serve similar functions.

    • Features

      The SI2319DS-T1-E3 is a P-channel enhancement mode MOSFET with a voltage rating of -30V, a drain current of -2.5A, and a low threshold voltage. It features high power efficiency and is suitable for a variety of applications including power management and load switching in portable electronics.

    • Pinout

      The SI2319DS-T1-E3 is a dual N-channel MOSFET. It has a pin count of 6, with three pins per channel (Gate, Drain, Source). It functions as a switch or amplifier in electronic circuits, commonly used in power management applications.

    • Manufacturer

      The SI2319DS-T1-E3 is manufactured by Vishay Intertechnology, an American company specializing in electronic components and systems for a wide range of industries including automotive, industrial, consumer, and telecommunications. They produce a variety of semiconductor devices, passive components, and integrated circuits.

    • Application Field

      The SI2319DS-T1-E3 is a P-channel MOSFET transistor commonly used in power management applications such as battery protection circuits, load switches, and DC-DC converters. Its small size, low on-resistance, and high efficiency make it suitable for portable electronics, automotive systems, and industrial equipment.

    • Package

      The SI2319DS-T1-E3 chip is a dual P-channel MOSFET transistor. It comes in a surface-mount DFN (Dual Flat No-leads) package, with a size of 2x2 mm.

    BS250KL-TR1-E3

    2N7002E

    SIHG20N50C-E3

    IRLR110PBF

    IRFS9N60APBF

    IRFU120

    IRFPS37N50A

    IRFP9240PBF

    UC3843N

    ISO1212DBQ

    30CPQ150

    FCH20A15

    TPS259472ARPWR

    SN7402N

    NSR0320MW2T1G

    BTS441RGATMA1

    SUCS1R51205C

    DD100KB160

    AD7663ASTZ

    DMP6023LFG-7

    DAC7714U

    SML-310MTT86

    MSL0402RGBU1

    67F090

    MJD127G

    CLA80E1200HF

    L4938ED

    HIP4082IB

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