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$5000SI2325DS-T1-E3
MOSFET with Drain-Source Voltage of 150-V
Marken: Vishay Siliconix
Herstellerteil #: SI2325DS-T1-E3
Datenblatt: SI2325DS-T1-E3 Datenblatt (PDF)
Paket/Gehäuse: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
Produktart: Single FETs, MOSFETs
RoHS-Status:
Lagerzustand: 9.943 Stück, Neues Original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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SI2325DS-T1-E3 Allgemeine Beschreibung
P-Channel 150 V 530mA (Ta) 750mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Funktionen
Anwendung
- Industrial
- Power Management
Spezifikationen
| Parameter | Wert | Parameter | Wert |
|---|---|---|---|
| Series | TrenchFET® | Product Status | Active |
| FET Type | P-Channel | Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 150 V | Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 530mA (Ta) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.2Ohm @ 500mA, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA | Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12 nC @ 10 V |
| Vgs (Max) | ±20V | Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 510 pF @ 25 V |
| Power Dissipation (Max) | 750mW (Ta) | Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount | Supplier Device Package | SOT-23-3 (TO-236) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Versand
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|---|---|---|---|
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Verpackung
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Schritt6 :Barcode-Versandetikett
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Wir prüfen alle Waren vor dem Versand, stellen sicher, dass sich alle Produkte in gutem Zustand befinden und dass die Teile neu und original sind und mit dem Datenblatt übereinstimmen.
Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.
Teilpunkte
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The SI2325DS-T1-E3 is a dual N-channel MOSFET chip designed for use in power management and switching applications. It features a low on-resistance and a compact footprint, making it ideal for space-constrained designs that require efficient power control. This chip is commonly used in portable electronics, battery charging circuits, and motor control systems.
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Equivalent
The equivalent products of SI2325DS-T1-E3 chip are SI2301DS-T1-E3, SI2302DS-T1-E3, and SI2303DS-T1-E3. These are all N-channel MOSFET chips with similar specifications and characteristics to the SI2325DS-T1-E3 chip. -
Features
The SI2325DS-T1-E3 is a N-channel MOSFET transistor with a maximum drain-source voltage of 20V, continuous drain current of 2.1A, and low on-resistance. It is housed in a compact SOT-23 package, making it suitable for portable electronic devices and power management applications. -
Pinout
The SI2325DS-T1-E3 is a dual N-channel enhancement mode MOSFET with a pin count of 6. Pin 1 is the gate of the first MOSFET, pin 2 is the source of the first MOSFET, pin 3 is the drain of the first MOSFET, pin 4 is the gate of the second MOSFET, pin 5 is the source of the second MOSFET, and pin 6 is the drain of the second MOSFET. -
Manufacturer
Vishay Intertechnology is the manufacturer of the SI2325DS-T1-E3. It is a global manufacturer of discrete semiconductors and passive electronic components for a wide range of markets, including automotive, industrial, consumer, and telecommunications. Vishay is known for their high-quality products and innovative solutions in the electronics industry. -
Application Field
The SI2325DS-T1-E3 is a dual N-channel MOSFET commonly used in power management applications such as voltage regulation, DC-DC converters, and motor control circuits. It is also used in battery management systems, LED lighting, and switching power supplies due to its high efficiency and low on-resistance characteristics. -
Package
The SI2325DS-T1-E3 chip is a SOT-23 package type, surface mount form, and has a size of 2.9mm x 1.3mm x 1.1mm.
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