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$5000SI2333DS-T1-E3
Product SI2333DS-T1-E3 is a MOSFET with a voltage rating of 12V and a maximum current of 5.3A
Marken: Vishay
Herstellerteil #: SI2333DS-T1-E3
Datenblatt: SI2333DS-T1-E3 Datenblatt (PDF)
Paket/Gehäuse: SOT-23-3
Produktart: Single FETs, MOSFETs
RoHS-Status:
Lagerzustand: 8.568 Stück, Neues Original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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SI2333DS-T1-E3 Allgemeine Beschreibung
P-Channel 12 V 4.1A (Ta) 750mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Funktionen
- Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Available
- TrenchFET® Power MOSFET
Spezifikationen
| Parameter | Wert | Parameter | Wert |
|---|---|---|---|
| Product Category | MOSFET | RoHS | Details |
| Technology | Si | Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | SOT-23-3 | Transistor Polarity | P-Channel |
| Number of Channels | 1 Channel | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 12 V |
| Id - Continuous Drain Current | 5.3 A | Rds On - Drain-Source Resistance | 32 mOhms |
| Vgs - Gate-Source Voltage | - 8 V, + 8 V | Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 1 V |
| Qg - Gate Charge | 11.5 nC | Minimum Operating Temperature | - 55 C |
| Maximum Operating Temperature | + 150 C | Pd - Power Dissipation | 1.25 W |
| Channel Mode | Enhancement | Tradename | TrenchFET |
| Series | SI2 | Brand | Vishay Semiconductors |
| Configuration | Single | Fall Time | 60 ns |
| Height | 1.45 mm | Length | 2.9 mm |
| Product Type | MOSFET | Rise Time | 45 ns |
| Factory Pack Quantity | 3000 | Subcategory | MOSFETs |
| Transistor Type | 1 P-Channel | Typical Turn-Off Delay Time | 72 ns |
| Typical Turn-On Delay Time | 25 ns | Width | 1.6 mm |
| Part # Aliases | SI2333DS-T1-BE3 SI2333DS-T1 |
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Schritt6 :Barcode-Versandetikett
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Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.
Teilpunkte
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The SI2333DS-T1-E3 is a P-channel MOSFET chip designed for use in power management and switching applications. It has a maximum drain-source voltage of -20V and a continuous drain current of -5.5A. The chip is housed in a small SOT-23 package, making it suitable for use in space-constrained designs. It features low on-state resistance and fast switching speeds, making it ideal for portable electronics and battery-powered devices.
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Equivalent
The equivalent products of SI2333DS-T1-E3 chip are SI2333DC-T1-GE3, SI2333DS-T1-E3, and BSS138E6327XT. These are all N-channel enhancement mode field-effect transistors with similar specifications and characteristics. They can be used as replacements for the SI2333DS-T1-E3 chip in various electronic circuits. -
Features
1. N-channel MOSFET 2. Low on-resistance (RDS(on) = 38mΩ) 3. Low gate threshold voltage (VGS(th) = 1 to 2V) 4. Small package (SOT-23) 5. Avalanche-rated 6. Logic level compatible 7. RoHS compliant -
Pinout
The SI2333DS-T1-E3 is a P-channel MOSFET with a pin count of three. It is used for low-voltage applications and can be used as a switch or in power management circuits. The three pins are Gate, Drain, and Source, which control the flow of current through the device. -
Manufacturer
Vishay Siliconix is the manufacturer of the SI2333DS-T1-E3. It is a semiconductor company that specializes in the design and manufacture of discrete semiconductors and passive electronic components. -
Application Field
The SI2333DS-T1-E3 is a small signal p-channel MOSFET transistor that is commonly used in applications such as battery management, power management, and load switching. It is also utilized in various portable electronics, consumer electronics, and automotive applications due to its compact size and low power consumption. -
Package
The SI2333DS-T1-E3 chip comes in a Surface Mount package type and a tape reel form. Its size is approximately 2.1mm x 1.6mm x 0.85mm.
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