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$5000vishay SI3433CDV-T1-GE3
Single P-Channel 20 V 38 mOhm Surface Mount TrenchFET Power Mosfet - TSOP-6
Marken: Vishay
Herstellerteil #: SI3433CDV-T1-GE3
Datenblatt: SI3433CDV-T1-GE3 Datenblatt (PDF)
Paket/Gehäuse: TSOP-6
Produktart: Single FETs, MOSFETs
RoHS-Status:
Lagerzustand: 9.458 Stück, Neues Original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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SI3433CDV-T1-GE3 Allgemeine Beschreibung
The SI3433CDV-T1-GE3 MOSFET is a top-of-the-line semiconductor device that combines cutting-edge technology with reliable performance. Designed for demanding applications, this transistor delivers high efficiency and precision in a compact form factor. With its impressive specifications and automotive-grade qualifications, it is the perfect choice for engineers and designers looking to optimize the performance of their electronic systems. Trust the SI3433CDV-T1-GE3 MOSFET to deliver superior results in your next project
Funktionen
Anwendung
- Load Switch
- Notebook
Spezifikationen
| Parameter | Wert | Parameter | Wert |
|---|---|---|---|
| Manufacturer: | Vishay | Product Category: | MOSFET |
| RoHS: | Details | Technology: | Si |
| Mounting Style: | SMD/SMT | Package / Case: | TSOP-6 |
| Transistor Polarity: | P-Channel | Number of Channels: | 1 Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 20 V | Id - Continuous Drain Current: | 6 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 38 mOhms | Vgs - Gate-Source Voltage: | - 8 V, + 8 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1 V | Qg - Gate Charge: | 18 nC |
| Minimum Operating Temperature: | - 55 C | Maximum Operating Temperature: | + 150 C |
| Pd - Power Dissipation: | 3.3 W | Channel Mode: | Enhancement |
| Tradename: | TrenchFET | Series: | SI3 |
| Packaging: | MouseReel | Brand: | Vishay Semiconductors |
| Configuration: | Single | Fall Time: | 20 ns |
| Product Type: | MOSFET | Rise Time: | 22 ns |
| Factory Pack Quantity: | 3000 | Subcategory: | MOSFETs |
| Transistor Type: | 1 P-Channel | Typical Turn-Off Delay Time: | 50 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 20 ns | Part # Aliases: | SI3433CDV-T1-BE3 SI3433CDV-GE3 |
| Unit Weight: | 0.000705 oz |
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|---|---|---|---|
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Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.
Teilpunkte
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The SI3433CDV-T1-GE3 is a MOSFET power transistor chip designed for high-speed switching applications. It features a low on-resistance and a small form factor, making it suitable for use in power management systems, motor controls, and DC-DC converters. The chip is available in an ultra-thin DFN package for efficient heat dissipation and compact design.
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Equivalent
The equivalent products of SI3433CDV-T1-GE3 chip are SI3433CDV-T1-GE3E3, SI3417CDV-T1-GE3 and SI3410CDV-T1-GE3. -
Features
SI3433CDV-T1-GE3 is a N-channel MOSFET with a low RDS(on) of 1.7 mΩ and a high current rating of 100 A. It has a compact DFN 5x6 package for space-saving designs and is suitable for high-power applications such as power supplies, motor control, and battery management systems. -
Pinout
The SI3433CDV-T1-GE3 is a dual N-channel MOSFET with a pin count of 8. It is used for switching applications in power management circuits and other high-performance electronics. It can handle high voltage and current loads while minimizing power loss. -
Manufacturer
The manufacturer of SI3433CDV-T1-GE3 is Vishay Siliconix. It is an American company that specializes in manufacturing discrete semiconductors and passive electronic components. Vishay Siliconix is a subsidiary of Vishay Intertechnology, a global manufacturer of electronic components for industrial, computing, automotive, telecommunications, military, consumer, and medical markets. -
Application Field
SI3433CDV-T1-GE3 is commonly used in power management applications such as DC-DC converters, voltage regulators, and battery charging circuits. It is also suitable for LED lighting, motor control, and other applications that require high efficiency and compact size. -
Package
The SI3433CDV-T1-GE3 chip is in a PowerPAK® 1212-8 package type, with a dual MOSFET form. It has a size of 3.3mm x 3.3mm x 0.8mm.
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