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vishay SI3440DV-T1-GE3
6-pin TSOP-packaged N-Channel MOSFET rated for 150V and 1.2A
Marken: Vishay
Herstellerteil #: SI3440DV-T1-GE3
Datenblatt: SI3440DV-T1-GE3 Datenblatt (PDF)
Paket/Gehäuse: TSOP-6
RoHS-Status:
Lagerzustand: 9.458 Stück, Neues Original
Produktart: Single FETs, MOSFETs
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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| Menge | Einzelpreis | Ext. Preis |
|---|---|---|
| 1 | $0,993 | $0,993 |
| 10 | $0,837 | $8,370 |
| 30 | $0,760 | $22,800 |
| 100 | $0,683 | $68,300 |
| 500 | $0,567 | $283,500 |
| 1000 | $0,544 | $544,000 |
Auf Lager: 9.458 Stck
SI3440DV-T1-GE3 Allgemeine Beschreibung
Product SI3440DV-T1-GE3 is an N-channel MOSFET with a voltage rating of 150V and a continuous drain current of 1.5A. This transistor is designed in a TSOP package and features a low on-resistance of 400mOhm. With a threshold voltage of 4V and a test voltage of 6V for the on-resistance, this MOSFET offers reliable performance in a variety of applications
Funktionen
- High-reliability component
- Industry-standard package
- Wide operating temperature range
Spezifikationen
| Parameter | Wert | Parameter | Wert |
|---|---|---|---|
| Product Category | MOSFET | RoHS | Details |
| Technology | Si | Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | TSOP-6 | Transistor Polarity | N-Channel |
| Number of Channels | 1 Channel | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 150 V |
| Id - Continuous Drain Current | 1.5 A | Rds On - Drain-Source Resistance | 375 mOhms |
| Vgs - Gate-Source Voltage | - 20 V, + 20 V | Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 2 V |
| Qg - Gate Charge | 8 nC | Minimum Operating Temperature | - 55 C |
| Maximum Operating Temperature | + 150 C | Pd - Power Dissipation | 2 W |
| Channel Mode | Enhancement | Tradename | TrenchFET |
| Series | SI3 | Brand | Vishay Semiconductors |
| Configuration | Single | Height | 1.1 mm |
| Length | 3.05 mm | Product Type | MOSFET |
| Factory Pack Quantity | 3000 | Subcategory | MOSFETs |
| Width | 1.65 mm | Part # Aliases | SI3440DV-GE3 |
| Unit Weight | 0.000705 oz |
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