Bilder dienen nur zur Referenz. Siehe Produktspezifikationen.
Bestellungen über
$5000SI3493DDV-T1-GE3
20 Volt Power MOSFET
Marken: Vishay Siliconix
Herstellerteil #: SI3493DDV-T1-GE3
Datenblatt: SI3493DDV-T1-GE3 Datenblatt (PDF)
Paket/Gehäuse: TSOP-6
Produktart: Single FETs, MOSFETs
RoHS-Status:
Lagerzustand: 9.182 Stück, Neues Original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
0
1
SI3493DDV-T1-GE3 Allgemeine Beschreibung
P-Channel 20 V 8A (Tc) 3.6W (Tc) Surface Mount 6-TSOP
Funktionen
- Exceptional temperature tolerance
- Low noise operation
- Improved electromagnetic compatibility (EMC)
- Limited to no radiation interference
Anwendung
SWITCHINGSpezifikationen
| Parameter | Wert | Parameter | Wert |
|---|---|---|---|
| Product Status | Active | FET Type | P-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) | Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8A (Tc) | Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 24mOhm @ 7.5A, 4.5V | Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 30 nC @ 4.5 V | Vgs (Max) | ±8V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1825 pF @ 10 V | FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | 3.6W (Tc) | Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount | Supplier Device Package | 6-TSOP |
| Package / Case | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
Versand
| Versandart | Versandgebühr | Vorlaufzeit | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
 |
FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
 |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
 |
TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
 |
EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
 |
REGISTRIERTE LUFTPOST | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
Bearbeitungszeit: Die Versandkosten hängen von der jeweiligen Zone und dem Land ab.
Zahlung
| Zahlungsbedingungen | Handgebühr | |
|---|---|---|
 |
Banküberweisung | Bankgebühr in Höhe von 30,00 USD wird berechnet. |
 |
Paypal | 4,0 % Servicegebühr wird berechnet. |
 |
Kreditkarte | 3,5 % Servicegebühr wird berechnet. |
 |
Western Union | charge US.00 banking fee. |
 |
Geldgramm | Bankgebühr in Höhe von 0,00 USD wird berechnet. |
Garantien
1. Die von Ihnen gekauften elektronischen Bauteile enthalten eine 365-tägige Garantie. Wir garantieren die Produktqualität.
2. Wenn einige der Artikel, die Sie erhalten haben, nicht von perfekter Qualität sind, würden wir verantwortungsvoll Ihre Rückerstattung oder Ersatz arrangieren. Die Artikel müssen jedoch in ihrem Originalzustand verbleiben.
Verpackung
-
![Produkt]( "Produkt")
Schritt1 :Produkt
-
![Vakuumverpackung]( "Vakuumverpackung")
Schritt2 :Vakuumverpackung
-
![Antistatikbeutel]( "Antistatikbeutel")
Schritt3 :Antistatikbeutel
-
![Individuelle Verpackung]( "Individuelle Verpackung")
Schritt4 :Individuelle Verpackung
-
![Verpackungskartons]( "Verpackungskartons")
Schritt5 :Verpackungskartons
-
![Barcode-Versandetikett]( "Barcode-Versandetikett")
Schritt6 :Barcode-Versandetikett
Alle Produkte werden in antistatischen Beuteln verpackt. Versand mit ESD-Antistatikschutz.
Auf dem äußeren ESD-Verpackungsetikett werden die Informationen unseres Unternehmens verwendet: Teilenummer, Marke und Menge.
Wir prüfen alle Waren vor dem Versand, stellen sicher, dass sich alle Produkte in gutem Zustand befinden und dass die Teile neu und original sind und mit dem Datenblatt übereinstimmen.
Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.
Teilpunkte
-
The SI3493DDV-T1-GE3 is a power amplifier chip designed for use in RF applications. It operates at a frequency range of 1700MHz to 2200MHz, making it suitable for wireless communication systems. The chip features high efficiency and linearity, making it ideal for applications requiring high RF performance.
-
Equivalent
Some equivalent products of SI3493DDV-T1-GE3 chip are Vishay Siliconix Si3493DV-T1-GE3, ON Semiconductor NDS3493A, and Diodes Inc. DMT3023LSS-13. They are all power MOSFETs with similar specifications and features. -
Features
- P-channel MOSFET transistor with low on-resistance - Low gate threshold voltage for easy control - Small form factor with DFN package - RoHS compliant for environmental friendliness - Gate-source voltage of +/-8V for flexibility in operation -
Pinout
The SI3493DDV-T1-GE3 has a pin count of 8 and functions as a dual N-channel TrenchFET power MOSFET. It is commonly used in power management applications to regulate and control power flow in electronic devices. -
Manufacturer
The manufacturer of SI3493DDV-T1-GE3 is Vishay Siliconix. Vishay Siliconix is a leading company in the design and production of a wide range of discrete semiconductors and passive electronic components for industrial, automotive, consumer, and telecommunications markets. They are known for their high-quality and innovative solutions in the semiconductor industry. -
Application Field
SI3493DDV-T1-GE3 is a P-channel enhancement mode MOSFET transistor designed for use in power management applications such as load switching and battery protection circuits. It can also be used in voltage regulation and DC-DC converter circuits. Its high efficiency and low on-resistance make it suitable for various portable and battery-powered devices. -
Package
The SI3493DDV-T1-GE3 chip is available in a DFN-6 package type, with a form of tape and reel. It has a size of 2mm x 2mm x 0.55mm.
Wir bieten qualitativ hochwertige Produkte, durchdachten Service und eine Kundendienstgarantie
-
![Produkt]( "Produkt")
Wir haben reichhaltige Produkte, die Ihre unterschiedlichen Bedürfnisse erfüllen können.
-
![quantity]( "quantity")
Die Mindestbestellmenge beginnt bei 1 Stück.
-
![shipping]( "shipping")
Niedrigste internationale Versandgebühr beginnt ab 0,00 USD
-
![Garantie]( "Garantie")
365 Tage Qualitätsgarantie für alle Produkte
