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SI3552DV-T1-GE3
MOSFET -30V Vds 20V Vgs TSOP-6 N&P PAIR
Marken: VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
Herstellerteil #: SI3552DV-T1-GE3
Datenblatt: SI3552DV-T1-GE3 Datenblatt (PDF)
Paket/Gehäuse: TSOP-6
RoHS-Status:
Lagerzustand: 8.759 Stück, Neues Original
Produktart: FET, MOSFET Arrays
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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| Menge | Einzelpreis | Ext. Preis |
|---|---|---|
| 1 | $0,448 | $0,448 |
| 10 | $0,393 | $3,930 |
| 30 | $0,367 | $11,010 |
| 100 | $0,341 | $34,100 |
| 500 | $0,325 | $162,500 |
| 1000 | $0,317 | $317,000 |
Auf Lager: 8.759 Stck
SI3552DV-T1-GE3 Allgemeine Beschreibung
The SI3552DV-T1-GE3 transistor is a dual N/P channel device featuring a drain source voltage of 30V and a threshold voltage of 1V. It is designed to operate in extreme temperature conditions, ranging from -55°C to +150°C, making it suitable for demanding applications. Packaged in a 6-TSOP case with surface mount termination, this transistor can be easily integrated into circuit boards for various electronic systems. As a MOSFET transistor, it offers high performance and efficiency, making it ideal for power management tasks. Additionally, the SI3552DV-T1-GE3 is RoHS compliant, ensuring that it meets environmental standards and regulations
Funktionen
- High surge current
- Fast turn-on time
- Low standby current
Spezifikationen
| Parameter | Wert | Parameter | Wert |
|---|---|---|---|
| Rohs Code | Yes | Part Life Cycle Code | Active |
| Ihs Manufacturer | VISHAY INTERTECHNOLOGY INC | Package Description | TSOP-6 |
| Reach Compliance Code | compliant | Samacsys Manufacturer | Vishay |
| Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | DS Breakdown Voltage-Min | 30 V |
| Drain Current-Max (ID) | 2.5 A | Drain-source On Resistance-Max | 0.105 Ω |
| FET Technology | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95 Code | MO-193AA |
| JESD-30 Code | R-PDSO-G6 | JESD-609 Code | e3 |
| Moisture Sensitivity Level | 1 | Number of Elements | 1 |
| Number of Terminals | 6 | Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
| Operating Temperature-Max | 150 °C | Operating Temperature-Min | -55 °C |
| Package Body Material | PLASTIC/EPOXY | Package Shape | RECTANGULAR |
| Package Style | SMALL OUTLINE | Peak Reflow Temperature (Cel) | 260 |
| Polarity/Channel Type | N-CHANNEL AND P-CHANNEL | Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 8 A |
| Qualification Status | Not Qualified | Surface Mount | YES |
| Terminal Finish | Matte Tin (Sn) | Terminal Form | GULL WING |
| Terminal Position | DUAL | Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | 30 |
| Transistor Element Material | SILICON | Turn-off Time-Max (toff) | 28 ns |
| Turn-on Time-Max (ton) | 25 ns |
Versand
| Versandart | Versandgebühr | Vorlaufzeit | |
|---|---|---|---|
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